閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
電子加工新聞

EUV將使用等離子和激光制造下一代芯片

來(lái)源:愛(ài)科技網(wǎng)2020-01-02 我要評(píng)論(0 )   

微芯片無(wú)處不在,很容易忽略它們的真正杰出之處。像溫控器或唱歌賀卡這樣的普通物品,包含數(shù)百萬(wàn)個(gè)微觀結(jié)構(gòu),這些微觀結(jié)構(gòu)是有史

微芯片無(wú)處不在,很容易忽略它們的真正杰出之處。像溫控器或唱歌賀卡這樣的普通物品,包含數(shù)百萬(wàn)個(gè)微觀結(jié)構(gòu),這些微觀結(jié)構(gòu)是有史以來(lái)最杰出的制造工藝之一。

自1977年左右以來(lái),當(dāng)前的流程一直在發(fā)展,其工作方式類(lèi)似于投影儀。激光通過(guò)掩膜發(fā)出的光,就像芯片的設(shè)計(jì)圖一樣,然后將掩膜投射到涂在硅板上的光敏化學(xué)品上。結(jié)果幾乎就像曝光照片一樣:光將芯片的圖像傳輸?shù)焦枭?,在硅上可以將其直接蝕刻到金屬中。這個(gè)過(guò)程稱(chēng)為光刻,隨著它變得越來(lái)越先進(jìn),晶體管變得越來(lái)越小,越來(lái)越快并且更加節(jié)能。

制造芯片的特定機(jī)制已經(jīng)非常復(fù)雜,需要原子級(jí)的精度和某些有史以來(lái)最精確的制造工具,但是當(dāng)前的方法有其局限性。這個(gè)過(guò)程已經(jīng)使用了將近15年,而且已經(jīng)用盡了?,F(xiàn)在,芯片上晶體管的部分尺寸約為7至10納米,遠(yuǎn)小于用于制造它們的193nm紫外線。

如果我們要繼續(xù)制造更好,更快的芯片,制造商需要重新設(shè)計(jì)工藝,而新工藝是極紫外光刻或EUV。多年來(lái),公司一直致力于開(kāi)發(fā)芯片制造的下一步,而我們剛剛看到第一批使用EUV制成的設(shè)備進(jìn)入市場(chǎng)。

要了解有關(guān)此過(guò)程的更多信息,我去了英特爾的兩家制造工廠,他們正在開(kāi)發(fā)EUV,親自看一下機(jī)器,并了解有關(guān)這種極端制造的更多信息。

EUV仍是一項(xiàng)革命性的飛躍,仍將芯片藍(lán)圖投射到硅上,但是它使用波長(zhǎng)極小的光來(lái)做到這一點(diǎn),這對(duì)于創(chuàng)建微小的特征更好。

在這些微小的波長(zhǎng)下,幾乎所有的東西都吸收紫外線,而典型的激光無(wú)法產(chǎn)生紫外線。該過(guò)程更加奇特,涉及液態(tài)金屬和高能等離子體。技術(shù)挑戰(zhàn)巨大,但回報(bào)是我們?cè)O(shè)備速度和能源效率的飛躍。

轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

激光制造EUV微芯片
免責(zé)聲明

① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權(quán)均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使 用,并注明"來(lái)源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)責(zé)任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來(lái)源的作品及圖片,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)向本網(wǎng)提出書(shū)面權(quán)利通知,并提供身份證明、權(quán)屬證明、具體鏈接(URL)及詳細(xì)侵權(quán)情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會(huì)依法盡快移除相關(guān)涉嫌侵權(quán)的內(nèi)容。

網(wǎng)友點(diǎn)評(píng)
0相關(guān)評(píng)論
精彩導(dǎo)讀