據(jù)晶元光電測試數(shù)據(jù)表明，一般si MOSFET轉(zhuǎn)換的效率在87%，而更換 GaN 功率元器件可實(shí)現(xiàn)95%。但GaN材料一直被用在LED藍(lán)光襯底材料，卻忽視了其最原始半導(dǎo)體材料的應(yīng)用。

而據(jù)美國能源局?jǐn)?shù)據(jù)顯示，全球能源除了天然氣、煤炭和核能以外占居11.1%的風(fēng)電、太陽能等能源，在使用si功率器件實(shí)現(xiàn)能源轉(zhuǎn)換時(shí)，損失率高達(dá)10%，可見GaN材料的應(yīng)用不應(yīng)僅限于此。

晶元光電研發(fā)中心副總經(jīng)理謝民勛先生表示，4H-SiC第一代被商業(yè)化的晶體管通過大尺寸，高成本來維持大電流的流通，而如金GaN高壓晶體管可以實(shí)現(xiàn)高壓、大電流，響應(yīng)速度快以及更低成本。

從傳統(tǒng)的燈泡到今天的LED，照明經(jīng)歷著傳統(tǒng)照明、直流驅(qū)動(dòng)LED照明到AC LED照明。AC LED或?qū)⑹荓ED照明的最終最理想的方式，而目前市場最為關(guān)注的就是高壓LED。

作為高壓LED最重要的就是驅(qū)動(dòng)元件，而GaN功率器件的出現(xiàn)解決了這個(gè)問題。據(jù)謝明勛先生表示，GaN功率器件是集電感電容的體積小、耐溫為一體的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)LED照明產(chǎn)品電路簡單化。

晶元光電作為領(lǐng)先者，更是采用協(xié)同開發(fā)模式推出基于GaN高壓晶體管的DOB技術(shù)，將電源驅(qū)動(dòng)器直接封裝在印刷電路板上，縮小光源尺寸，大幅降低傳統(tǒng)燈具廠進(jìn)入LED照明的門檻。以藍(lán)光材料驅(qū)動(dòng)藍(lán)光LED，讓LED應(yīng)用無限可能的理想照進(jìn)現(xiàn)實(shí)。