近日，由中科院長春光學精密機械與物理所研究員佟存柱承擔的中科院知識創(chuàng)新工程領(lǐng)域前沿項目“大功率高亮度光子晶體激光器及列陣”取得階段性進展?？蒲腥藛T通過布拉格反射波導結(jié)構(gòu)，成功將半導體激光快軸（垂直）發(fā)散角從40o降低到7.5o，慢軸（水平）發(fā)散角7.2o，實現(xiàn)近圓形光束出光。

一直以來，半導體激光器的最大缺點之一是它較大的發(fā)散角及橢圓形出光光斑，這導致較差的光束質(zhì)量。而光束質(zhì)量反映的是激光的可會聚性，直接影響到實際應(yīng)用。目前商業(yè)化的半導體激光器均采用全反射波導結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)的激光諧振腔狹小，不對稱，導致快軸發(fā)散角高達30o～60o，慢軸發(fā)散角10o。

研究小組采用雙邊橫向布拉格反射波導結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)通過光子禁帶原理進行光學導波，所限制模式為光學缺陷模式，可以有效壓縮激光的遠場發(fā)散角。在成功解決了光子晶體缺陷模式與全反射模式競爭、高質(zhì)量厚尺度（>10微米）外延生長技術(shù)問題后，該小組實現(xiàn)了該器件室溫連續(xù)激射。器件工作于808納米，輸出功率>2瓦，斜率效率0.531瓦/安，快、慢軸發(fā)散角被降低到7.5o和7.2o，出光光斑近圓形。

據(jù)悉，該類器件結(jié)構(gòu)不僅可以用于量子阱激光器，還可以拓展到不同波長、不同增益介質(zhì)的半導體激光器，如量子點、量子級聯(lián)激光器等。這可以從芯片結(jié)構(gòu)角度徹底改變半導體激光器發(fā)散角大而不對稱的缺點。該器件核心結(jié)構(gòu)已經(jīng)申請國家發(fā)明專利4項，目前，研究人員正在抓緊時間優(yōu)化工藝，進一步提高器件的性能，努力實現(xiàn)實用化。