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電子加工新聞

三星將在中國量產(chǎn)10納米級閃存

星之球激光 來源:三星電子2012-03-27 我要評論(0 )   

韓國三星電子公司3月22日宣布,將于中國設(shè)立的NAND型閃存新工廠將使用電路線寬為10納米級別的技術(shù)實施量產(chǎn)。10納米級技術(shù)是韓國工廠即將于今年上半年投入使用的最尖端技...

       韓國三星電子公司3月22日宣布,將于中國設(shè)立的NAND型閃存新工廠將使用電路線寬為10納米級別的技術(shù)實施量產(chǎn)。10納米級技術(shù)是韓國工廠即將于今年上半年投入使用的最尖端技術(shù),同時三星還正在強化將中國作為重要零件產(chǎn)地的體制。新工廠計劃在陜西省西安市建設(shè)。新工廠將在年內(nèi)開工建設(shè),在明年底投入量產(chǎn)。

  三星于去年12月向韓國政府提出了在中國建設(shè)NAND型閃存工廠的申請,并于今年1月獲得批準。雖然此前透露的消息是“將使用20納米級別以下的技術(shù)”,但三星認為中國作為蘋果“iPhone”手機等數(shù)碼產(chǎn)品組裝基地的重要性日漸增強,有必要采用更尖端的技術(shù)進行高效生產(chǎn)。

  縮小電路線寬后,利用一片硅晶圓制造出的半導(dǎo)體數(shù)量將隨之增加,從而提高生產(chǎn)效率。三星除了將于今年上半年開始使用10納米級技術(shù)在韓國進行量產(chǎn)之外,還計劃將該技術(shù)運用于中國工廠,其目的是通過此舉鞏固全球份額冠軍的寶座。
 

 

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