度亙核芯（DoGain）在2023年1月29日美國舊金山舉行的西部光電會議（Photonics West 2023）上發(fā)布了在高功率9xxnm半導(dǎo)體激光方面的最新進展。開發(fā)的915nm單管激光芯片，國際上首次實現(xiàn)了單管器件高達55W的功率輸出！

圖1. 9xxnm半導(dǎo)體激光芯片結(jié)構(gòu)示意圖

圖2. 9xxnm半導(dǎo)體激光器件COS結(jié)構(gòu)示意圖

高功率、高效率、高亮度是激光技術(shù)和應(yīng)用孜孜以求的目標，也是當前激光技術(shù)領(lǐng)域中比較活躍的研究領(lǐng)域。我們通過對基礎(chǔ)物理、材料科學(xué)以及器件制備工藝的深入研究，優(yōu)化了芯片的內(nèi)量子效率、腔內(nèi)光學(xué)損耗以及腔面的高負載能力，成功實現(xiàn)了輸出功率和電光轉(zhuǎn)換效率的顯著提高。開發(fā)的915nm單管激光芯片，在室溫和55A連續(xù)工作條件下，突破性的實現(xiàn)了55.5W的高輸出功率，而且具有高的電光轉(zhuǎn)換效率、小的水平發(fā)散角和高的偏振度。

圖3. 25℃，CW條件下，915nm 功率、電壓和電光轉(zhuǎn)換效率隨電流變化曲線

度亙很榮幸將此技術(shù)及產(chǎn)品推向市場，為客戶提供高功率、高效率、高性價比的有效解決方案。度亙也將持續(xù)聚焦核心光電領(lǐng)域，提升產(chǎn)品的性能和可靠性，持續(xù)不斷的為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品。