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10月22日消息，國家知識產(chǎn)權局信息顯示，度亙核芯光電技術（蘇州）有限公司申請一項名為“一種激光芯片的鍍膜方法和激光芯片”的專利，公開號CN 118763497 A，申請日期為2024年9月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種激光芯片的鍍膜方法和激光芯片，鍍膜方法包括：在激光芯片的腔面生長預覆蓋膜；去除在激光芯片的腔面生長的預覆蓋膜，保留在P面電極和N面電極上形成的預覆蓋膜翻膜；對激光芯片鍍光學膜，在激光芯片的腔面上形成光學膜。本發(fā)明提供的激光芯片上鍍有膜層，所述膜層使用如上所述的激光芯片鍍膜方法得到。本發(fā)明通過鍍預覆蓋膜的工藝，最終在P面電極和N面電極上，預覆蓋膜和光學膜共兩層膜均可穩(wěn)定存在，避免了現(xiàn)有技術中光學膜翻膜從金屬電極表面脫落污染腔面的問題，也可在后續(xù)激光芯片的封裝過程中，阻擋焊料外溢，防止焊料污染腔面。

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度亙核芯申請激光芯片鍍膜方法和芯片專利，避免光學膜翻膜脫落污染腔面

度亙核芯申請激光芯片鍍膜方法和芯片專利，避免光學膜翻膜脫落污染腔面