激光技術(shù)最早于1960年面世，是一種因刺激產(chǎn)生輻射而強化的光。激光被廣泛應(yīng)用是因為它具有單色性好、方向性強、亮度高等特性。激光技術(shù)的原理是：當光或電流的能量撞擊某些晶體或原子等易受激發(fā)的物質(zhì)，使其原子的電子達到受激發(fā)的高能量狀態(tài)，當這些電子要回復到平靜的低能量狀態(tài)時，原子就會射出光子，以放出多余的能量；而接著，這些被放出的光子又會撞擊其它原子，激發(fā)更多的原子產(chǎn)生光子，引發(fā)一連串的“連鎖反應(yīng)”，并且都朝同一個方前進，形成強烈而且集中朝向某個方向的光。

這種光就叫做激光。激光幾乎是一種單色光波，頻率范圍極窄，又可在一個狹小的方向內(nèi)集中高能量，因此利用聚焦后的激光束可以對各種材料進行打孔。激光因為擁有這種特性，所以擁有廣泛的應(yīng)用。

激光技術(shù)的核心是激光器，世界上第一臺激光器是1960年由T.H.梅曼等人制成的第紅寶石激光器，激光器的種類很多，可按工作物質(zhì)、激勵方式、運轉(zhuǎn)方式、工作波長等不同方法分類。但各種激光器的基本工作原理均相同，產(chǎn)生激光的必不可少的條件是粒子數(shù)反轉(zhuǎn)和增益大過損耗，所以裝置中必不可少的組成部分有激勵（或抽運）源、具有亞穩(wěn)態(tài)能級的工作介質(zhì)兩個部分。

半導體物理學的迅速發(fā)展及隨之而來的晶體管的發(fā)明，使科學家們早在50年代就設(shè)想發(fā)明半導體激光器。在1962年7月美國麻省理工學院林肯實驗室的兩名學者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）報告了砷化鎵材料的光發(fā)射現(xiàn)象，通用電氣研究實驗室工程師哈爾（Hall）與其他研究人員一道研制出世界上第一臺半導體激光器。

半導體激光器是用半導體材料作為工作物質(zhì)的一類激光器，由于物質(zhì)結(jié)構(gòu)上的差異，產(chǎn)生激光的具體過程比較特殊。常用材料有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。自1962年世界上第一只半導體激光器是問世以來，經(jīng)過幾十年來的研究，半導體激光器得到了驚人的發(fā)展，它的波長從紅外、紅光到藍綠光，被蓋范圍逐漸擴大，各項性能參數(shù)也有了很大的提高！半導體激光器具有體積小、效率高等優(yōu)點，因此可廣泛應(yīng)用于激光通信、印刷制版、光信息處理等方面。

半導體激光器的發(fā)展簡史

世界上第一只半導體激光器是1962年問世的，經(jīng)過幾十年來的研究，半導體激光器得到了驚人的發(fā)展，它的波長從紅外、紅光到藍綠光，被蓋范圍逐漸擴大，各項性能參數(shù)也有了很大的提高，其制作技術(shù)經(jīng)歷了由擴散法到液相外延法(LPE)，氣相外延法(VPE)，分子束外延法(MBE),MOCVD方法(金屬有機化合物汽相淀積)，化學束外延(CBE)以及它們的各種結(jié)合型等多種工藝。

其激射閉值電流由幾百mA降到幾十mA，直到亞mA，其壽命由幾百到幾萬小時，乃至百萬小時從最初的低溫(77K)下運轉(zhuǎn)發(fā)展到宰la下連續(xù)工作。輸出功率由幾毫瓦提高到千瓦級(陣列器件)它具有效率高、體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)簡單、能將電能直接轉(zhuǎn)換為激光能、功率轉(zhuǎn)換效率高(已達10%以上、最大可達50%)。便于直接調(diào)制、省電等優(yōu)點，因此應(yīng)用領(lǐng)域日益擴大.目前，固定波長半導體激光器的使用數(shù)量居所有激光器之首，某些重要的應(yīng)用領(lǐng)域過去常用的其他激光器，已逐漸為半導體激光器所取代。

20世紀60年代初期的半導體激光器是同質(zhì)結(jié)型激光器，它是在一種材料上制作的pn結(jié)二極管。在正向大電流注入下，電子不斷地向P區(qū)注入，空穴不斷地向1"1區(qū)注入。于是，在原來的pn結(jié)耗盡區(qū)內(nèi)實現(xiàn)了載流子分布的反轉(zhuǎn)，由于電子的遷移速度比空穴的遷移速度快，在有源區(qū)發(fā)生輻射、復合，發(fā)射出熒光，在一定的條件下發(fā)生激光。這是一種只能以脈沖形式工作的半導體激光器。

半導體激光器發(fā)展的第二階段是異質(zhì)結(jié)構(gòu)半導體激光器，它是由兩種不同帶隙的半導體材料薄層。如GaAs。GaAIAs所組成，最先出現(xiàn)的是單異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器(1969年)。單異質(zhì)結(jié)注入型激光器(SHLD)是利用異質(zhì)結(jié)提供的勢壘把注入電子限制在GaAsP—N結(jié)的P區(qū)之內(nèi)，以此來降低閥值電流密度，其數(shù)值比同質(zhì)結(jié)激光器降低了一個數(shù)量級，但單異質(zhì)結(jié)激光器仍不能在室溫下連續(xù)工作。

1970年，實現(xiàn)了激光波長為9000A，室溫連續(xù)工作的雙異質(zhì)結(jié)caAs—GaAIAs(砷化鎵一鎵鋁砷)激光器。雙異質(zhì)結(jié)激光器(DHL)的誕生使可用波段不斷拓寬，線寬和調(diào)諧性能逐步提高，其結(jié)構(gòu)的特點是在P型和n型材料之間生長了僅有0。2tt。m厚的，不摻雜的，具有較窄能隙材料的一個薄層，因此注A。00載流子被限制在該區(qū)域內(nèi)(有源區(qū))，因而注人較少的電流就可以實現(xiàn)載流子數(shù)的反轉(zhuǎn)。在半導體激光器件中。目前比較成熟、性能較好、應(yīng)用較廣的是具有雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電注入式GaAs二極管激光器。

隨著異質(zhì)結(jié)激光器的研究發(fā)展，加之由于MBE、MOCVD技術(shù)的成就，于是，在1978年出現(xiàn)了世界上第一只半導體量子阱激光器(QWL)，它大幅度地提高了半導體激光器的各種性能。后來，又由于MOCVD、MBE生長技術(shù)的成熟，能生長出高質(zhì)量超精細薄層材料，之后，便成功地研制出了性能更加良好的量子阱激光器，量子阱半導體激光器與雙異質(zhì)結(jié)(DH)激光器相比，具有閾值電流低、輸出功率高，頻率響應(yīng)好，光譜線窄和溫度穩(wěn)定性好和較高的電光轉(zhuǎn)換效率等許多優(yōu)點。

從20世紀70年代末開始，半導體激光器明顯向著兩個方向發(fā)展，一類是以傳遞信息為目的的信息型激光器。另一類是以提高光功率為目的的功率型激光器。在泵浦固體激光器等應(yīng)用的推動下，高功率半導體激光器(連續(xù)輸出功率在100mw以上，脈沖輸出功率在5W以上，均可稱之謂高功率半導體激光器)在20世紀90年代取得了突破性進展，其標志是半導體激光器的輸出功率顯著增加。

20世紀90年代出現(xiàn)的面發(fā)射激光器(SEL)是一種在室溫下可達到亞毫安的網(wǎng)電流8mW的輸出功率和11%的轉(zhuǎn)換效率的半導體激光器。20世紀90年代末，面發(fā)射激光器和垂直腔面發(fā)射激光器得到了迅速的發(fā)展，且已考慮了在超并行光電子學中的多種應(yīng)用。980nm,850nm和780nm的器件在光學系統(tǒng)中已實現(xiàn)了實用化。

為了滿足21世紀信息傳輸寬帶化、信息處理高速化、信息存儲大容量化以及軍用裝備的小型、高精度化等需要，半導體激光器在高速寬帶LD、大功率ID，短波長LD，盆子線和量子點激光器、中紅外LD等方面取得了一系列引人矚目的成果。

半導體激光器的工作原理

半導體激光器是一種相干輻射光源，要使它能產(chǎn)生激光，必須具備三個基本條件：

1、增益條件：建立起激射媒質(zhì)(有源區(qū))內(nèi)載流子的反轉(zhuǎn)分布，在半導體中代表電子能量的是由一系列接近于連續(xù)的能級所組成的能帶，因此在半導體中要實現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，必須在兩個能帶區(qū)域之間，處在高能態(tài)導帶底的電子數(shù)比處在低能態(tài)價帶頂?shù)目昭〝?shù)大很多，這靠給同質(zhì)結(jié)或異質(zhì)結(jié)加正向偏壓，向有源層內(nèi)注人必要的載流子來實現(xiàn)。將電子從能量較低的價帶激發(fā)到能量較高的導帶中去。當處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復合時，便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。

2、要實際獲得相干受激輻射，必須使受激輻射在光學諧振腔內(nèi)得到多次反饋而形成激光振蕩，激光器的諧振腔是由半導體晶體的自然解理面作為反射鏡形成的，通常在不出光的那一端鍍上高反多層介質(zhì)膜，而出光面鍍上減反膜。對F—p腔(法布里一珀羅腔)半導體激光器可以很方便地利用晶體的與P—n結(jié)平面相垂直的自然解理面一[110]面構(gòu)成F—P腔。

3、為了形成穩(wěn)定振蕩，激光媒質(zhì)必須能提供足夠大的增益，以彌補諧振腔引起的光損耗及從腔面的激光輸出等引起的損耗，不斷增加腔內(nèi)的光場。這就必須要有足夠強的電流注入，即有足夠的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，粒子數(shù)反轉(zhuǎn)程度越高，得到的增益就越大，即要求必須滿足一定的電流閥值條件。當激光器達到閥值時，具有特定波長的光就能在腔內(nèi)諧振并被放大，最后形成激光而連續(xù)地輸出。

可見在半導體激光器中，電子和空穴的偶極子躍遷是基本的光發(fā)射和光放大過程。對于新型半導體激光器而言，人們目前公認量子阱是半導體激光器發(fā)展的根本動力。量子線和量子點能否充分利用量子效應(yīng)的課題已延至本世紀，科學家們已嘗試用自組織結(jié)構(gòu)在各種材料中制作量子點，而GaInN量子點已用于半導體激光器。另外，科學家也已經(jīng)做出了另一類受激輻射過程的量子級聯(lián)激光器，這種受激輻射基于從半導體導帶的一個次能級到同一能帶更低一級狀態(tài)的躍遷，由于只有導帶中的電子參與這種過程，因此它是單極性器件。

半導體激光器的工作特性

1  閾值電流

當注入p-n結(jié)的電流較低時，只有自發(fā)輻射產(chǎn)生，隨電流值的增大增益也增大，達閾值電流時，p-n結(jié)產(chǎn)生激光。

影響閾值的幾個因素：

（1）晶體的摻雜濃度越大，閾值越小。

（2）諧振腔的損耗小，如增大反射率，閾值就低。

（3）與半導體材料結(jié)型有關(guān)，異質(zhì)結(jié)閾值電流比同質(zhì)結(jié)低得多。目前，室溫下同質(zhì)結(jié)的閾值電流大于30000A/cm2；單異質(zhì)結(jié)約為8000A/cm2；雙異質(zhì)結(jié)約為1600A/cm2?，F(xiàn)在已用雙異質(zhì)結(jié)制成在室溫下能連續(xù)輸出幾十毫瓦的半導體激光器。

（4）溫度愈高，閾值越高。100K以上，閾值隨T的三次方增加。因此，半導體激光器最好在低溫和室溫下工作。

2、方向性

由于半導體激光器的諧振腔短小，激光方向性較差，在結(jié)的垂直平面內(nèi)，發(fā)散角最大，可達20°-30°；在結(jié)的水平面內(nèi)約為10°左右。

3、效率

量子效率  η＝每秒發(fā)射的光子數(shù)／每秒到達結(jié)區(qū)的電子空穴對數(shù)

77K時，GaAs激光器量子效率達70％－80％；300K時，降到30％左右。

功率效率η1＝輻射的光功率／加在激光器上的電功率

由于各種損耗，目前的雙異質(zhì)結(jié)器件，室溫時的η1最高10％，只有在低溫下才能達到30％－40％。

4、光譜特性

由于半導體材料的特殊電子結(jié)構(gòu)，受激復合輻射發(fā)生在能帶（導帶與價帶）之間，所以激光線寬較寬，GaAs激光器，室溫下譜線寬度約為幾納米，可見其單色性較差。輸出激光的峰值波長：77K時為840nm；300K時為902nm。

異質(zhì)結(jié)激光器的工作過程

半導體激光器的結(jié)構(gòu)多種多樣，基本結(jié)構(gòu)是圖示出的雙異質(zhì)結(jié)(DH)平面條形結(jié)構(gòu)。

這種結(jié)構(gòu)由三層不同類型半導體材料構(gòu)成，不同材料發(fā)射不同的光波長。圖中標出所用材料和近似尺寸。結(jié)構(gòu)中間有一層厚0.1~0.3 μm的窄帶隙P型半導體，稱為有源層；兩側(cè)分別為寬帶隙的P型和N型半導體，稱為限制層。三層半導體置于基片(襯底)上，前后兩個晶體解理面作為反射鏡構(gòu)成法布里 - 珀羅(FP)諧振腔。

雙異質(zhì)結(jié)（DH）平面條形激光器的基本結(jié)構(gòu)

由于限制層的帶隙比有源層寬，施加正向偏壓后， P層的空穴和N層的電子注入有源層。P層帶隙寬，導帶的能態(tài)比有源層高，對注入電子形成了勢壘，注入到有源層的電子不可能擴散到P層。同理， 注入到有源層的空穴也不可能擴散到N層。這樣，注入到有源層的電子和空穴被限制在厚0.1~0.3 μm的有源層內(nèi)形成粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布，這時只要很小的外加電流，就可以使電子和空穴濃度增大而提高效益。

另一方面，有源層的折射率比限制層高，產(chǎn)生的激光被限制在有源區(qū)內(nèi)，因而電/光轉(zhuǎn)換效率很高，輸出激光的閾值電流很低，很小的散熱體就可以在室溫連續(xù)工作。 

(a) 雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)；(b) 能帶；(c) 折射率分布；(d) 光功率分布

半導體激光器的應(yīng)用

在激光光譜學中的應(yīng)用

激光光譜是以激光為光源的光譜技術(shù)，主要用于分子光譜、等離子物理、高階諧波產(chǎn)生的科學應(yīng)用及大氣污染的監(jiān)測和癌癥的診斷等。而選用半導體激光器作為激光光譜學的光源中有較多優(yōu)勢，它體積小，輸入能量低，壽命長，可協(xié)調(diào)性強且價格低廉。例如圖即為“SPECDILASV—763—OXY"VCSEL所探測的氧氣的吸收光譜(半導體激光器的工作溫度為Top=10℃,Iset=4.6mA,加32Hz,10.6mV的鋸齒波,256次平均)?？梢钥闯?通過改變工作電流很容易地得到氧氣的兩個吸收峰,無模式跳躍。

用760nmVCSEL激光器測得的氧氣吸收光譜

在光固化成型技術(shù)中的應(yīng)用

光固化成型法（Stereo lithography Appearance，簡稱SLA）是最早出現(xiàn)的快速原型制造工藝，由于它成型過程自動化程度高、制作原型表面質(zhì)量好、尺寸精度較高且能夠?qū)崿F(xiàn)比較精細的尺寸成型，在單件小批量精密鑄造、概念設(shè)計的交流、產(chǎn)品模型、快速工模具及直接面向產(chǎn)品的模具等諸多方面廣泛應(yīng)用于航空、汽車、電器、消費品以及醫(yī)療等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用。其成型原理如圖2所示,用特定波長與強度的激光聚焦到光固化材料表面,使之由點到線,由線到面順序凝固,完成一個層面的繪圖作業(yè),然后升降臺在垂直方向移動一個層片的高度,再固化另一個層面.這樣層層疊加直至構(gòu)成一個三維實體。

而紫外半導體激光器技術(shù)的發(fā)展，為SLA提供了最好的光源，在電光效率、成本、體積、壽命和可靠性等指標上堪稱最優(yōu)，在光譜、譜線寬度、功率等性能方面也完全符合其工藝要求，因此現(xiàn)在進行這種新型光源的研究已成為現(xiàn)實。

在軍事領(lǐng)域的應(yīng)用

伴隨激光技術(shù)的日趨成熟，半導體激光器的應(yīng)用范圍覆蓋了整個光電子學領(lǐng)域，它在軍事領(lǐng)域也得到了廣泛應(yīng)用，成為我國國防事業(yè)不可或缺的中堅力量。如半導體激光雷達，主要是波長820~850 nm 的LD 及列陣。新型半導體激光雷達與被動探測（紅外系統(tǒng)）相結(jié)合，具有多種成像功能，包括強度成像、距離成像和速度成像等，具有先進的實時圖像處理功能，包括各種成像的綜合、圖像跟蹤和目標的自動識別等。

此外，半導體激光器也在激光測距、激光模擬武器、激光警戒、激光制導跟蹤、引燃引爆等方面獲得了廣泛的應(yīng)用。

在醫(yī)療上的應(yīng)用

半導體激光器體積小、成本低、壽命長、波長可選擇、輸出功率穩(wěn)定等優(yōu)點，特別適用于醫(yī)療設(shè)備，其臨床應(yīng)用幾乎覆蓋了所有其他類型的激光器的應(yīng)用范圍。如低功率810nm近紅外半導體激光器，由于該波長的激光穿透能力強，屈光間質(zhì)對它吸收最少，光斑直徑可調(diào)范圍大 ,是眼科中最常用的熱源，可用于治療青光眼、硅油注入術(shù)后難治性高眼壓以及視網(wǎng)膜的光凝和固定等；810nm半導體激光起能夠很好被毛囊內(nèi)黑色素吸收，產(chǎn)生熱效應(yīng)，破壞毛囊，完成脫毛的效果；大功率半導體激光器也廣泛應(yīng)用于腫瘤的激光切割、凝固手術(shù)。這些都為人類的健康進一步提供了保障。

在通信領(lǐng)域的應(yīng)用

半導體激光器在信息的獲取，傳輸，存儲和處理以及顯示中也得到廣泛應(yīng)用。21世紀，隨著光纖通信的發(fā)展，半導體激光器光作為光纖通信系統(tǒng)中的光源，是關(guān)鍵元件,是整個系統(tǒng)的核心部分,短距離的光纖通信采用單模光纖和130~150nm波長的半導體激光器,空間通信用列陣半導體激光器。全球光纖通信市場前景廣闊,因此,半導體激光器的市場前景也是非常好的。

在激光打印及印刷市場中的應(yīng)用

激光打印機脫胎于80年代末的激光照排技術(shù)，流行于90年代中期。它是將激光掃描技術(shù)和電子照相技術(shù)相結(jié)合的打印輸出設(shè)備。較其他打印設(shè)備，激光打印機有打印速度快、成像質(zhì)量高等優(yōu)點。10-100nm的高功率半導體激光器主要用于高速激光打印機。一般為網(wǎng)絡(luò)化辦公打印機,包括新出現(xiàn)的彩色激光打印機(打印速度為12-35p/min)。用激光把資料直接寫在印刷板上正成為印刷技術(shù)工業(yè)的一種發(fā)展趨勢,不僅節(jié)省很多中間環(huán)節(jié)、降低成本,而且加快了速度，因此此種應(yīng)用預計會穩(wěn)定增長，如采用1W二極管激光器64元陣列、用光纖藕合配以透鏡系統(tǒng)。目前多數(shù)激光、計算機、印刷系統(tǒng)采用鹵素銀或光敏有機物的光敏材料。杜邦公司、柯達公司等均在致力于開發(fā)此類熱敏材料,采用半導體激光器日益增多,此項應(yīng)用市場也呈蓬勃發(fā)展。