極紫外光（EUV）微影設(shè)備無疑是半導(dǎo)體制程推向3nm的重大利器。 這項每臺要價高達逾近億美元的尖端設(shè)備，由荷商ASML獨家生產(chǎn)供應(yīng)，目前主要買家全球僅臺積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠為主。
EUV設(shè)備賣價極高，原因是開發(fā)成本高，因此早期ASML為了分攤開發(fā)風險，還特別邀請臺積電、三星和英特爾三大廠入股，但隨著開發(fā)完成，臺積電后來全數(shù)出脫艾司摩爾股票，也獲利豐碩。
有別于過去半導(dǎo)體采用浸潤式曝光機，是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長縮短到193/132nm的微影技術(shù)，EUV微影設(shè)備是利用波長極短的紫外線，在硅晶圓上刻出更微細的電路圖案。
ASML目前EUV年產(chǎn)能為12臺，預(yù)定明年擴增至24臺。 該公司宣布2017年的訂單已全數(shù)到手，且連同先前一、二臺產(chǎn)品，已出貨超過20臺；2018年的訂單也陸續(xù)到手，推升ASML第2季營收達到21億歐元單季新高，季增21%，每股純益1.08歐元，股價也寫下歷史新高。
因設(shè)備昂貴，且多應(yīng)用在7nm以下制程，因此目前有能力采購者，以三星、臺積電、英特爾和格羅方德為主要買家。 三星目前也是最大買主，估計采購逾十臺，將裝設(shè)于南韓華城的18號生產(chǎn)線（Line 18）全力搶占晶圓代工版圖。
由于極紫外光可大幅降低晶圓制造的光罩數(shù)，縮短芯片制程流程，是晶圓制造邁入更先進的利器。
在三星決定7nm率先導(dǎo)入EUV后，讓EUV輸出率獲得快速提升，臺積電決定在7nm強化版提供客戶設(shè)計定案，5nm才決定全數(shù)導(dǎo)入。
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