德國(guó)于利希研究中心領(lǐng)導(dǎo)、由一些歐洲研究結(jié)構(gòu)和大學(xué)組成的研究小組，將會(huì)在2015 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議上（該會(huì)議將于12月7日至9日在華盛頓召開(kāi)）發(fā)布硅基直接帶隙鍺錫微腔激光器，該激光器的激射波長(zhǎng)為2.5 um，輸出功率為 221 KW/cm2。
該激光器采用厚度為560 nm且生長(zhǎng)在鍺緩沖層/硅襯底上的鍺錫外延材料，由標(biāo)準(zhǔn)的CMOS兼容工藝制造，并單片集成在硅平臺(tái)上。激光器的激射歸功于應(yīng)變引起的直接帶隙外延層和微腔結(jié)構(gòu)。這個(gè)研究工作克服了光子集成中CMOS工藝兼容的光源制備這一大難點(diǎn)，是硅光子集成的一個(gè)重要步驟。
該激光器的制備工藝如下：外延生長(zhǎng)后，采用干法刻蝕刻出微腔結(jié)構(gòu)，然后用四氟化碳等離子體刻蝕出底部支柱，再淀積三氧化二鋁作為鈍化層。在這個(gè)過(guò)程中，微腔邊緣的應(yīng)力釋放有助于提高激光器性能。
該激光器采用厚度為560 nm且生長(zhǎng)在鍺緩沖層/硅襯底上的鍺錫外延材料，由標(biāo)準(zhǔn)的CMOS兼容工藝制造，并單片集成在硅平臺(tái)上。激光器的激射歸功于應(yīng)變引起的直接帶隙外延層和微腔結(jié)構(gòu)。這個(gè)研究工作克服了光子集成中CMOS工藝兼容的光源制備這一大難點(diǎn)，是硅光子集成的一個(gè)重要步驟。
該激光器的制備工藝如下：外延生長(zhǎng)后，采用干法刻蝕刻出微腔結(jié)構(gòu)，然后用四氟化碳等離子體刻蝕出底部支柱，再淀積三氧化二鋁作為鈍化層。在這個(gè)過(guò)程中，微腔邊緣的應(yīng)力釋放有助于提高激光器性能。
轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
相關(guān)文章
熱門(mén)資訊
精彩導(dǎo)讀
關(guān)注我們
