ARM總裁Warren East表示,“英特爾公司在移動IC的生產(chǎn)工藝上不占優(yōu)勢。”
“去年這個時候英特爾陣營為他們的制造優(yōu)勢做出很多噱頭,”East說,“我們一直對此表示懷疑,因為ARM企業(yè)系統(tǒng)正研發(fā)28nm制程,而英特爾才進行32nm制程的開發(fā),我沒看到他們哪里更領(lǐng)先。”
此外,隨著Foundries開發(fā)周期的縮短,開發(fā)速度的加快,英特爾將會發(fā)現(xiàn)移動工藝技術(shù)的發(fā)展將會超出他們的預(yù)料。
“我們支持所有的獨立研發(fā),”East說道,“包括TSMC 20nm planar bulk CMOS和16nm FinFET,三星 20nm planar bulk CMOS、14nm FinFET和20nm planar bulk CMOS, 以及Global Foundries 20nm FD-SOI和14nm FinFET。”
它使得ARM生態(tài)系統(tǒng)有一個龐大的工藝群可以選擇。“我沒有更好的方法判斷哪個工藝比其他工藝更成功,”East說,“我們的方法與工藝無關(guān)。”
重要的是,F(xiàn)oundries的工藝與英特爾的方向在14nm制程相交軌。
14nm將是英特爾在更小節(jié)點的移動SOC的首要目標,他們或許會將之放到某個首次發(fā)布的新工藝IC中。
當問及Foundries是否準備推出下一代更小節(jié)點移動SOC,East回復(fù)說,”這也是我們想要從Foundries那知道的信息。“
Global Foundries打算在2014年批量制造14nm FinFET,與英特爾開始生產(chǎn)14nm FinFET的計劃處于同一時間。
事實上,GF的14nm工藝可能比英特爾的更小,Global Foundries的高級副總裁Mojy Chian 說:“因為英特爾的術(shù)語庫與開發(fā)界使用的術(shù)語庫不匹配。比如,在back-end metallisation方面英特爾的22nm制程與開發(fā)界的28nm制程,英特爾22nm制程的設(shè)計規(guī)則和間距與代工廠的28nm制程的差異。
意法半導體公司的技術(shù)總監(jiān)Jean-Marc Chery指出,英特爾22nm制程的柵極長度實際是26nm。
此外,英特爾三角形散熱片不具FinFET工藝優(yōu)勢,落后于能優(yōu)化FinFET晶體管的GF矩形散熱片。#p#分頁標題#e#
Chian說,移動SOC將放于在GF 14NM FinFET節(jié)點的前面。自2009年以來GF一直與ARM合作優(yōu)化其基于ARM的SOC工藝。
TSMC預(yù)計于明年底推出第一個16nm FinFET工藝。該測試芯片將使用ARM 64位V8處理器。
使用ARM處理器驗證其16nm FinFET工藝將給予TSMC基于ARM的SOC客戶群極大信心。
當問及FinFET如何影響基于ARM的SOC時,East回答:“答案非常簡單。問題是它是否在可接受成本范圍內(nèi)產(chǎn)生收益?你不能勞而不獲。它的制造成本是多少?有多大產(chǎn)出呢?顯而易見,這些都影響成本。”
當問及ARM推進服務(wù)器市場的進展狀況時,East回復(fù):“目前為止,進展良好。你現(xiàn)在可以購買使用了Calxeda芯片(基于ARM內(nèi)核)的波士頓貽貝服務(wù)器。我們對這款產(chǎn)品非??春?。在計算機性能的穩(wěn)定水平上,節(jié)能和節(jié)省空間的數(shù)據(jù)出人意料。”
“目前,服務(wù)器基于專為智能手機設(shè)計的Cortex A9構(gòu)架,”East補充道:“將應(yīng)用A15的服務(wù)器會更勝一籌,我們?yōu)樗l(fā)生的一切感到非常高興。”
當問及上周五的大事件(即使用ARM構(gòu)架處理器的Windows 8將ARM版Windows筆記本電腦和平板電腦推出入店)時,East回答說:“這不會引起任何大的驚喜--它只是出現(xiàn)了而已。”
在第三季度閃亮出場獲得營收增長18%和盈利增長22%的成就后,ARM期望看到第四季度也有驕人市場業(yè)績。
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