應(yīng)用材料公司于3月推出Applied DFinder檢測(cè)系統(tǒng)，用于在22納米及更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)的存儲(chǔ)和邏輯芯片上檢測(cè)極具挑戰(zhàn)性的互連層。作為一項(xiàng)突破性的技術(shù)，該系統(tǒng)是首款采用深紫外(DUV)激光技術(shù)的暗場(chǎng)檢測(cè)工具，使芯片制造商具有前所未有的能力，在生產(chǎn)環(huán)境中檢測(cè)出圖形化晶圓上極小的顆粒缺陷，從而提高產(chǎn)品良率。DFinder系統(tǒng)專(zhuān)門(mén)針對(duì)互連層的檢測(cè)而設(shè)計(jì)，因此總擁有成本比其它暗場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)最多可降低40%。這對(duì)芯片制造而言是一項(xiàng)非常關(guān)鍵的優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樵谶@個(gè)過(guò)程中可能會(huì)涉及50多個(gè)獨(dú)立的檢測(cè)步驟。

　　DFinder系統(tǒng)采用獨(dú)一無(wú)二的DUV激光照明技術(shù)，可檢測(cè)出22納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上小至40納米的所有應(yīng)該被關(guān)注的顆粒缺陷，這比其它任何暗場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng)所能識(shí)別的顆粒小30%以上。此外，該系統(tǒng)專(zhuān)有的掠射角光路和全偏振控制，可有效地將顆粒缺陷從晶圓圖形上分離出來(lái)，從而既能找出所有影響良率的顆粒缺陷，又能將“錯(cuò)報(bào)”和滋擾缺陷誤報(bào)降低一個(gè)數(shù)量級(jí)。這種區(qū)分晶圓圖形和重要缺陷的卓越性能，讓客戶幾乎可以避免使用那些既耗時(shí)又昂貴的非圖形化測(cè)試晶圓。
 

　　應(yīng)用材料公司副總裁、工藝診斷和控制事業(yè)部總經(jīng)理Ronen Benzion表示：“應(yīng)用材料公司在薄膜沉積技術(shù)方面擁有的廣博知識(shí)和豐富經(jīng)驗(yàn)，使我們的檢測(cè)技術(shù)具有獨(dú)到之處，能夠滿足客戶提高下一代芯片良率的要求。這種能力是任何其他設(shè)備供應(yīng)商都無(wú)法提供的。我們這套DFinder系統(tǒng)從頭打造專(zhuān)門(mén)針對(duì)新一代缺陷。我們的晶圓代工和存儲(chǔ)芯片客戶都對(duì)這套新系統(tǒng)表現(xiàn)出極大的熱情。目前他們已經(jīng)購(gòu)買(mǎi)了多套系統(tǒng)，并為量產(chǎn)追加了訂單。”