微影技術(shù)的研發(fā)已進(jìn)展至極短波長(zhǎng)的超紫外光(EUV)，來自美國馬里蘭大學(xué)(University of Maryland)的研究團(tuán)隊(duì)則提出一種多光子光阻劑(multi-photon photoresists)，能讓可見光微影達(dá)到納米等級(jí)的分辨率；通常微影分辨率是與曝光時(shí)間成反比。

“大多數(shù)達(dá)到高分辨率微影的方法，都是與采用更短波長(zhǎng)的光源有關(guān)；”馬里蘭大學(xué)教授John Fourkas表示：“我們的目標(biāo)是以可見光產(chǎn)出納米級(jí)的微影效果。”該團(tuán)隊(duì)新開發(fā)的多光子技術(shù)簡(jiǎn)稱 RAPID (Resolution Augmentation through Photo-Induced Deactivation，透過光致去活化達(dá)到的分辨率強(qiáng)化方法)，以一道激光在光阻劑中啟動(dòng)曝光，然后加入第二道激光來完成整個(gè)程序，僅在兩個(gè)聚焦光束重迭的納米等級(jí)范圍內(nèi)進(jìn)行完全曝光。

Fourkas指出：“只要我們用一道激光并透過顯微鏡物鏡來進(jìn)行聚焦，我們就能把吸收作用(absorption)局限在激光聚焦體積的微小區(qū)域中。”研究人員已經(jīng)就芯片上3D材料的選擇性聚合作用(selective polymerization)，將該技術(shù)優(yōu)化；利用一種“多光子吸收聚合作用(Multi-photon Absorption Polymerization，MAP)”，研究團(tuán)隊(duì)在芯片上制作出了微小的電感。

RAPID則是后續(xù)的工作，利用光阻劑的多光子吸收作用，來達(dá)成聚焦可見光微影的納米等級(jí)分辨率，可望延緩甚至可能免除采用超紫外光源的需要。

圖中是采用多光子吸收聚合作用(MAP)、接著又以選擇性金屬化(selective metallization)所制作的微電感(microinductor)

這種技術(shù)適用于標(biāo)準(zhǔn)的大氣壓力條件，不像深紫外光需要在真空中操作；該光阻劑中特有的光啟動(dòng)程序(photo-initiator)是由一道激光所活化，然后再被第二道激光去活化，證實(shí)了研究人員稱之為PROVE (proportional velocity)的現(xiàn)象，也就是更高的曝光度可產(chǎn)出更小的特征尺寸。#p#分頁標(biāo)題#e#

接下來研究人員計(jì)劃以晶圓片尺寸規(guī)格來測(cè)試其技術(shù)，突破到目前為止都是以逐點(diǎn)(point-by-point)方式進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)；而該研究團(tuán)隊(duì)也估計(jì)，RAPID技術(shù)要邁入商業(yè)化階段還需要約十年的時(shí)間。