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近日，由中國科學(xué)院上海硅酸鹽所中試基地氧化碲組葛增偉、朱勇等人發(fā)明的“一種高純二氧化碲單晶及其制備方法”（High-purity Tellurium Dioxide Single Crystal and the Manufacturing Method Thereof)正式獲得美國專利商標(biāo)局授予的專利授權(quán)（美國專利號(hào)：US 8480996 B2）。

該專利采用二次晶體生長制備方法獲得高純度二氧化碲單晶，尤其是U、Th等放射性雜質(zhì)含量可降低至10-13g/g，因而使得上海硅酸鹽所成為大型中微子探測項(xiàng)目（CUORE項(xiàng)目）所需核心探測材料的全球唯一供應(yīng)商。目前，上海硅酸鹽所中試基地氧化碲組已向CUORE項(xiàng)目提供1000多塊高純二氧化碲單晶，實(shí)現(xiàn)創(chuàng)匯500多萬美元。高純二氧化碲單晶作為一種大尺寸優(yōu)質(zhì)二氧化碲單晶新產(chǎn)品，先后于2010年和2011年獲得上海市和國家重點(diǎn)新產(chǎn)品計(jì)劃資助，取得了良好的社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益。

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上海硅酸鹽所高純二氧化碲單晶及其制備方法獲得美國專利授權(quán)