VCSEL的優(yōu)勢

　　VCSEL技術(shù)提供的諸多優(yōu)勢可以歸納為以下幾點(diǎn)：

　　1.波長穩(wěn)定性：在一個VCSEL激射波長非常穩(wěn)定，因?yàn)樗怯啥唐冢?/span>1--1.5波長厚）法布里 - 珀羅腔固定。邊緣發(fā)射器相反，VCSEL的只能運(yùn)行在一個單一的縱向模式。

　　2.波長均勻性和譜寬：生長技術(shù)改善了不到一個腔波長為2nm的標(biāo)準(zhǔn)偏差，這樣的VCSEL 3“晶圓生產(chǎn)。這允許制造的VCSEL 2 - D數(shù)組數(shù)組的元素（<1nm的全寬半高譜寬）之間的小波長變化。相比之下，邊發(fā)射欄棧遭受顯著波長的變化，從酒吧吧，因?yàn)闆]有內(nèi)在機(jī)制，以穩(wěn)定的波長，在很寬的譜寬（3--5nm的FWHM），。

　　3.波長的溫度靈敏度：在VCSEL的發(fā)射波長不敏感的溫度變化比邊緣發(fā)射器？5倍。原因是在VCSEL的激光波長是由單縱模腔的光學(xué)厚度和定義，這種光學(xué)厚度與溫度的關(guān)系是最小的（腔的折射率和物理厚度有一個微弱的依賴溫度）。另一方面，在邊緣發(fā)射器的激光波長被定義為峰值增益波長，其中有一個對溫度的依賴性更強(qiáng)。因此，高功率陣列（加熱和溫度梯度，可以顯著）的譜線寬度是VCSEL陣列窄于邊緣發(fā)射陣列（酒吧堆棧）。此外，超過20℃的溫度變化，在VCSEL的發(fā)射波長會有所不同（7nm邊緣發(fā)射器相比）小于#p#分頁標(biāo)題#e#1.4nm。

        4.高溫作業(yè)（泵的chillerless操作）：由于VCSEL的可以可靠地工作在溫度高達(dá)80℃，就可以操作無需冷藏。因此，冷卻系統(tǒng)就變得非常小，堅(jiān)固耐用，這種方法移植。

　　5. 單位面積高功率：邊緣發(fā)射器提供最多約500W/cm2，而VCSEL的提供1200W /平方厘米，在不久的將來可以提供2 - 4KW /平方厘米。

　　6.光束質(zhì)量：垂直腔面發(fā)射激光器發(fā)出通告束。通過適當(dāng)?shù)那辉O(shè)計(jì)的VCSEL也可以在一個單一的橫向模式（圓形高斯）發(fā)出。這種簡支梁結(jié)構(gòu)，大大降低了耦合/光束整形光學(xué)（邊緣發(fā)射器相比）的復(fù)雜性和成本，提高了耦合效率光纖或輸送介質(zhì)。這一直是在低功耗市場的VCSEL技術(shù)的關(guān)鍵賣點(diǎn)。

　　7.可靠性：由于VCSEL的不受災(zāi)難性的光學(xué)損傷（COD），其可靠性比邊緣發(fā)射器高得多。典型的擬合值的VCSEL（一億美元的設(shè)備出現(xiàn)故障）<10。

　　8.Manufacturabilty和產(chǎn)量：可生產(chǎn)的VCSEL已經(jīng)為這項(xiàng)技術(shù)的關(guān)鍵賣點(diǎn)。由于復(fù)雜的制造工藝和COD（災(zāi)難性的光損傷），邊緣發(fā)射器有一個低收益率（邊緣發(fā)射980納米泵的芯片制造商相關(guān)的可靠性問題，通常只得到#p#分頁標(biāo)題#e#2“晶圓-500芯片）。另一方面，對VCSEL的收益率超過90％（相當(dāng)于5000大功率芯片從2英寸晶圓）。事實(shí)上，由于其平面屬性，VCSEL的制造標(biāo)準(zhǔn)的IC芯片處理相同。

　　9.可擴(kuò)展性：對于高功率應(yīng)用中，一個關(guān)鍵的VCSEL優(yōu)勢是，他們可以直接加工成單片的2 - D陣列，而這不是邊緣發(fā)射器（可能只有一維的單片陣列）的可能。此外，一個復(fù)雜的熱效率低下的安裝計(jì)劃是需要安裝在棧邊發(fā)射極棒。

　　10.包裝和散熱：安裝的大型高功率VCSEL 2 - D的一個“結(jié)點(diǎn)”配置陣列很簡單（類似微處理器包裝），熱搬遷過程中非常有效的，因?yàn)闊岜闅v砷化鋁鎵材料只有幾微米。已被證明5毫米的2 - D VCSEL陣列的5mm x <0.16K / W的創(chuàng)紀(jì)錄的熱阻抗。

　　11.成本：隨著簡單加工和散熱技術(shù)，它比同等的邊緣發(fā)射的酒吧棧封裝的2 - D VCSEL陣列變得更加容易。建立現(xiàn)有硅業(yè)的散熱技術(shù)，可用于非常高功率陣列的散熱。這將顯著降低高功率模塊的成本。目前，激光棒的成本是DPSS激光器顯性成本。