1．半導體激光器的基本結構和工作原理

圖（1）示出了GaAs激光器的結構。它的核心部分是p—n結。p—n結的兩個端面是按晶體的天然晶面剖切開的，稱為解理面，該二表面極為光滑，可以直接用作為平行反射鏡面，構成諧振腔。上下電極施加正向電壓，使結區(qū)產生雙簡并的能帶結構及激光工作電流。激光可以從一側解理面輸出，也可由兩側輸出。

圖（1） GaAs激光器的結構

2. 半導體激光器工作的閾值條件

激光器產生激光的前提條件除了粒子數發(fā)生反轉還需要滿足閾值條件，即諧振腔的雙程光放大倍數大于1，或增益系數滿足第二章中給出的(1)式

               (1)

在這里，α_內是半導體激光器諧振腔的內部損耗，L為晶體兩解理面之間的長度，r₁和r₂為解理面的反射率。增益系數和#p#分頁標題#e#粒子數反轉的關系也取決于諧振腔內的工作物質，滿足（1-90）式。結合(1-42)和(1-27)式，可以得到

 (2)

式中t_復合為結區(qū)電子的壽命，其倒數等于在E₂、E₁能級之間的愛因斯坦自發(fā)輻射系數，△n為粒子數反轉值。

3. 半導體激光器的閾值電流

半導體激光器作用區(qū)的粒子數反轉值難于確定，但是可以將它與工作電流I聯系起來。在低溫下，假設在一定的時間間隔內，注入激光器的電子總數與同樣時間內發(fā)生的電子與空穴復合數相等而達到平衡，則有

                                                  (3)

式中w和d分別為晶體的寬度和作用#p#分頁標題#e#區(qū)的厚度。代入(2)式得

(4)

式中 為通過作用區(qū)的電流密度。結合(2-36)式并將f(v)近似為1/△v，可以得到閾值電流密度的近似表達式為

     (5)

例如，GaAs激光器，△v=3×10⁶MHz，，λ=0.84ηm，μ=3.35，d=2ηm，代入上式得到J_閾∽150A/cm²。此值與低溫時的實測值很接近，但是與室溫下的閾值電流密度(3~5#p#分頁標題#e#×10⁴A/cm²) 相差很遠。因此上述討論只是近似分析，主要是提供一個分析方法。