近期Te化物材料由于其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)被廣泛的研究，并應(yīng)用在拓?fù)浣^緣體、熱電材料、量子器件及光電傳感器等研究領(lǐng)域。In2Te3作為一種重要Te化物也已受到大量科學(xué)工作者的關(guān)注，In2Te3二維薄膜材料已經(jīng)在存儲(chǔ)器件、熱電器件及氣體傳感器件方面得到了初步的結(jié)果。然而，關(guān)于In2Te3納米線的研究尚處空白。

　　國家納米科學(xué)中心何軍課題組在最新研究中，通過CVD方法首次合成了高質(zhì)量的單晶In2Te3納米線，并基于這種新型納米線發(fā)展了一種從350nm到1090nm即紫外-可見-近紅外寬帶光譜光探測(cè)器。該探測(cè)器具有快速響應(yīng)、線性輸入-輸出和寬譜響應(yīng)等特征。In2Te3納米線優(yōu)良的光電特性使之有望成為下一代全譜高性能光探測(cè)器及光傳感器。

　　此外，研究人員通過溶劑熱法合成了一維In2Te3納米結(jié)構(gòu)，并且首次系統(tǒng)地研究了溶劑比例、反應(yīng)時(shí)間及不同表面活性劑等各種反應(yīng)條件對(duì)納米結(jié)構(gòu)成核生長(zhǎng)機(jī)制及最終生長(zhǎng)形貌的影響。與CVD合成的納米線結(jié)構(gòu)不同，該結(jié)構(gòu)所具有粗糙的表面使之有可能在氣體傳感、能量存儲(chǔ)方面得到廣泛的應(yīng)用。

　　相關(guān)的研究工作發(fā)表在Nano Letters及Journal of Materials Chemistry上。

In2Te3納米線的SEM、TEM圖像及其光響應(yīng)特性