半導(dǎo)體制造業(yè)發(fā)展迅速,“綠色”技術(shù)無疑具有光明的未來,這就要求有新的激光加工(laser oem)工藝與技術(shù)來獲得更高的生產(chǎn)品質(zhì)、成品率和產(chǎn)量。除了激光系統(tǒng)的不斷發(fā)展,新的加工技術(shù)和應(yīng)用、光束傳輸與光學(xué)系統(tǒng)的改進、激光光束與材料之間相互作用的新研究,都是保持綠色技術(shù)革新繼續(xù)前進所必須的。下文圍繞紫外DPSS激光器、準(zhǔn)分子激光器器、光纖激光器在半導(dǎo)體行業(yè)中的加工應(yīng)用,展開論述。
紫外DPSS激光器在LED晶圓劃片中的應(yīng)用
紫外二極管泵浦固體(DPSS)激光器系統(tǒng)具有可靠性高、加工重復(fù)性好等特點,廣泛應(yīng)用于微加工、表面處理與材料加工等領(lǐng)域。這種UV DPSS激光加工(laser oem)方法優(yōu)于其它的激光加工(laser oem)方法或機械、化學(xué)加工方法,在半導(dǎo)體與其它工業(yè)應(yīng)用中具有很大的發(fā)展?jié)摿Α?nbsp;
在劃片、切割、結(jié)構(gòu)構(gòu)造、過孔鉆孔等微加工領(lǐng)域廣泛使用DPSS激光器對以下材料進行加工:硅片、藍(lán)寶石、CVD化學(xué)氣相沉積鉆石、III-V族半導(dǎo)體(砷化稼、磷化銦、磷化鉀)與III族氮化物(氮化稼、氮化鋁)等。DPSS激光器也被用于陶瓷、塑料與金屬材料的微加工。
355nm與266nm多倍頻DPSS激光器在紫外波段可以輸出數(shù)瓦的功率、kHz量級高重復(fù)頻率、高脈沖能量的激光,短脈沖的光束經(jīng)過聚焦后可以產(chǎn)生極高的功率密度,在晶圓劃片中可以使材料迅速氣化。在通常的激光劃片過程中,采用了一種遠(yuǎn)場成像的簡易技術(shù)將光束聚焦到一個小點,然后移到晶片材料上。不同的材料由于吸收光的特性不一樣,因此需要的光強也不一樣,但是這種遠(yuǎn)場成像的聚焦光斑在調(diào)節(jié)優(yōu)化光強時不夠靈活,光強過強或過弱都會影響激光劃片效果。而且通常的激光劃片局限于獲得最小的聚焦光斑,后者決定了劃片的分辨率。
圖1、氮化鎵-藍(lán)寶石晶圓激光劃片的切口寬度為2.5微米。
要達(dá)到理想的加工效果,優(yōu)化激光光強就很重要了,因此需要一種新的激光劃片方法來克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。美國JPSA公司的技術(shù)人員開發(fā)了一種有效的光束整形與傳遞的光學(xué)系統(tǒng),該系統(tǒng)可以獲得很狹窄的2.5微米切口寬度,可以在保證最小聚焦光斑的同時調(diào)節(jié)優(yōu)化激光強度,大大提高了半導(dǎo)體晶圓劃片的速度,同時降低了對材料過度加熱與附帶損傷的程度。這種新的激光加工(laser oem)工藝與技術(shù)可以獲得更高的生產(chǎn)品質(zhì)、更高的成品率和產(chǎn)量。
圖2、248nm激光剝離示意圖
圖3、248nm激光剝離藍(lán)寶石上的氮化鎵(一個脈沖激光光斑一次覆蓋9個芯片)。
JPSA對不同波長的激光進行開發(fā),使它們特別適合于晶圓切割應(yīng)用,采用266nm的DPSS激光器對藍(lán)光LED藍(lán)寶石晶圓的氮化鎵正面進行劃片,正切劃片速度可達(dá)150mm/s,每小時可加工大約15片晶圓(標(biāo)準(zhǔn)2英寸晶圓,裸片尺寸350m×350m),切口卻很?。ㄐ∮?m)。激光工藝具有產(chǎn)能高、對LED性能影響小的特點,容許晶圓的形變和彎曲,其切割速度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)機械切割方法。
除了藍(lán)寶石之外,碳化硅也可以用來作為藍(lán)光LED薄片的外延生長基板。266nm和355nm紫外DPSS激光器(帶隙能量分別為4.6eV和3.5eV)可用于碳化硅(帶隙能量為2.8eV)劃片。JPSA通過持續(xù)研發(fā)背切劃片的激光吸收增強等新技術(shù),研發(fā)了雙面劃片功能,355nm的DPSS激光器可以從LED的藍(lán)寶石面進行背切劃片,實現(xiàn)了劃片速度高達(dá)150mm/s的高產(chǎn)量背切劃片,無碎片并且不損壞外延層。對于第III-V主族半導(dǎo)體,例如砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)和磷化銦(InP),典型的切口深度為40m,250微米厚的晶圓劃片速度高達(dá)300mm/s。
準(zhǔn)分子激光器在2D圖案成形與3D微加工、LED剝離中的應(yīng)用
準(zhǔn)分子激光器工業(yè)加工系統(tǒng)具有波長短(351、308、248、193與157nm等紫外波段)、功率高(50~100瓦)、能量大、光斑面積大、光斑分布比較均勻等特點。因此準(zhǔn)分子激光器適合大面積圖案加工、3D微加工、MEMS微加工、紫外激光光刻、TFT平板激光退火、LED激光剝離等應(yīng)用。
2D圖案成形與3D微加工 準(zhǔn)分子激光器可以產(chǎn)生大面積方形或矩形的光斑,特別適合大面積圖案成形工藝與3D微加工。準(zhǔn)分子激光器可以在相對較大的聚焦平面范圍內(nèi)高效地加工材料,例如500mJ的UV光束在能量密度為1 J/cm2時光斑的面積達(dá)到7×7mm。大面積的準(zhǔn)分子激光束可以投射到光刻掩模上,微加工特殊的形狀和圖案;這些被稱為近場成像。通過掩膜板與加工工件的協(xié)調(diào)運動,可以微加工得到較大的復(fù)雜圖案。
圖4、薄膜太陽能電池的P1、P2、P3三層材料需要多光路激光劃片系統(tǒng)先后進行三次劃片。
LED激光剝離(LLO) LED激光剝離的基本原理是利用外延層材料與藍(lán)寶石材料對紫外激光具有不同的吸收效率。藍(lán)寶石具有較高的帶隙能量(9.9eV),所以藍(lán)寶石對于248nm的氟化氪(KrF)準(zhǔn)分子激光(5eV輻射能量)是透明的,而氮化鎵(約3.3eV的帶隙能量)則會強烈吸收248nm激光的能量。正如圖2所示,激光穿過藍(lán)寶石到達(dá)氮化鎵緩沖層,產(chǎn)生一個局部的爆炸沖擊波,在氮化鎵與藍(lán)寶石的接觸面進行激光剝離?;谕瑯拥脑恚?93nm的氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光可以用于分離氮化鋁(AlN)與藍(lán)寶石。具有6.3eV帶隙能量的氮化鋁可以吸收6.4eV的ArF激光輻射,而9.9eV帶隙能量的藍(lán)寶石對于ArF準(zhǔn)分子激光則是透明的。
光束均勻性和晶圓制備對于實現(xiàn)成功剝離都很重要。JPSA公司采用創(chuàng)新的光束均勻化專利技術(shù)使得準(zhǔn)分子激光束在晶圓上可以產(chǎn)生最大面積達(dá)5×5毫米的均勻能量密度分布的平頂光束。設(shè)計人員通過激光剝離(LLO)工藝可以實現(xiàn)垂直結(jié)構(gòu)的LED,它克服了傳統(tǒng)的橫向結(jié)構(gòu)的各種缺陷。垂直結(jié)構(gòu)LED可以提供更大的電流,消除電流擁擠問題以及器件內(nèi)的瓶頸問題,顯著提高LED的最大輸出光功率與最大效率。圖3展示了一個典型的剝離效果。
圖5、JPSA薄膜太陽能電池優(yōu)化劃片(左)與非JPSA薄膜太陽能電池劃片(右)的比較。
DPSS激光器與光纖激光器在薄膜太陽能電池劃片中的應(yīng)用
DPSS激光器與光纖激光器具有體積小、功率大、倍頻波長范圍多等特點,適合在太陽能電池劃片中的應(yīng)用。
由于硅材料的成本增加,很多光伏(PV)平板制造商從制造第一代的硅晶太陽能電池轉(zhuǎn)為制造第二代的薄膜太陽能電池。薄膜太陽能電池包括非晶硅(a-Si)太陽能電池、碲化鎘(CdTe)和銅銦鎵硒(CIGS)化合物半導(dǎo)體電池。相比硅晶電池的幾百微米硅晶厚度,薄膜太陽能電池薄膜厚度只有幾個微米,大大降低了材料的成本。薄膜太陽能電池具有材料用量少、加工工序少、有彈性、半透明、制造成本低等優(yōu)點。 #p#分頁標(biāo)題#e#
JPSA設(shè)計的薄膜太陽能電池激光劃片加工系統(tǒng)采用創(chuàng)新的光束均勻化專利技術(shù)使得DPSS激光束產(chǎn)生均勻能量密度分布的平頂光束,根據(jù)加工材料可選擇1064nm、352nm、355nm或266nm波長的激光,多光路快速加工,可以對非平面玻璃板薄膜自動聚焦,無HAZ熱影響區(qū),可以高產(chǎn)量、高效地進行薄膜太陽能電池的P1、P2、P3劃片與P4邊緣隔離,掃描速度可達(dá)1.5米/秒。(作者:Jeffrey P. Sercel,JPSA公司 譯者:王川,東隆科技有限公司)
Jeffrey P. Sercel是美國J. P. Sercel Associates公司(JPSA)的董事長和首席技術(shù)官,電郵:jsercel@jpsalaser.com。JPSA公司已于2008年與東隆科技有限公司聯(lián)合成立中國第一個JPSA售后服務(wù)中心。
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