高密度光存儲(chǔ)技術(shù)是一種利用光學(xué)原理來存儲(chǔ)和檢索大量數(shù)據(jù)的技術(shù)。它通過激光與介質(zhì)的相互作用使介質(zhì)發(fā)生物理、化學(xué)變化來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的編碼、存儲(chǔ)和讀取，以實(shí)現(xiàn)高密度、高速度和高穩(wěn)定性的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

其基本物理原理是：存儲(chǔ)介質(zhì)受到激光照射后，介質(zhì)的某種性質(zhì)(如反射率、反射光極化方向等)發(fā)生改變，介質(zhì)性質(zhì)的不同狀態(tài)映射為不同的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的讀出則通過識(shí)別存儲(chǔ)單元性質(zhì)的變化來實(shí)現(xiàn)。所有基于光盤的光存儲(chǔ)都基于相同的技術(shù)原理：聚焦光束人射到光盤上，如果光盤上已經(jīng)存在記錄信息，反射光的特征，例如，光強(qiáng)、光的相位或者光的偏振狀態(tài)將發(fā)生某種變化，通過電子系統(tǒng)處理可以再現(xiàn)原始記錄的數(shù)據(jù)信息，這就是光盤的基本讀出過程。具體來說，就是讀取信息時(shí)，激光掃描介質(zhì)，在凹坑處由于反射光與入射光相互抵消入射光不返回，而在未燒蝕的無凹坑處，入射光大部分返回。這樣，根據(jù)光束反射能力的不同，就可以把存儲(chǔ)介質(zhì)上的二進(jìn)制信息讀出，然后再將這些二進(jìn)制代碼轉(zhuǎn)換成為原來的信息。

傳統(tǒng)光存儲(chǔ)中，絕大部分商品化光盤存儲(chǔ)系統(tǒng)中所用的記錄介質(zhì)的記錄機(jī)理都是熱致效應(yīng)。利用從激光束吸收的能量，作為高度集中的、強(qiáng)大的熱源，促使介質(zhì)局部熔化或蒸發(fā)，通常稱為燒蝕記錄。對于特定的高密度存儲(chǔ)用途，可以選擇不同的機(jī)制：雙光子異構(gòu)化(TPI)和激光誘導(dǎo)表面變形。TPI可以產(chǎn)生巨大的雙折射，實(shí)現(xiàn)高信噪比(>20d B)的多維可逆存儲(chǔ)。隨著記錄能量的增加，表面發(fā)生偏振相關(guān)的形變，這不僅有利于多級存儲(chǔ)，而且提高了讀出信號(hào)和存儲(chǔ)穩(wěn)定性。光致表面形變當(dāng)記錄劑量(曝光時(shí)間或記錄功率)增加到臨界閾值以上時(shí)，材料表面將形成偏振相關(guān)的形變[23，24]。與其他激光類型的熱燒蝕不同，飛秒激光引起的表面變形一般歸因于電場力驅(qū)動(dòng)的聚合物分子的大規(guī)模遷移。[3]

了解光存儲(chǔ)相對于磁存儲(chǔ)方法的優(yōu)勢，需要從原理上理解它們的根本區(qū)別，傳統(tǒng)的磁記錄的寫入原理是將隨時(shí)間變化的電信號(hào)轉(zhuǎn)換為在線性或者旋轉(zhuǎn)的鐵磁性材料中的磁化強(qiáng)度和方向的空間變化，傳統(tǒng)的磁記錄讀出原理是將分布于磁性材料中的磁化方向和強(qiáng)度的空間變化，通過線性或者旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，利用磁電轉(zhuǎn)化元件，轉(zhuǎn)換為隨時(shí)間變化的電信號(hào)。每次處理或翻轉(zhuǎn)一點(diǎn)信息時(shí)，驅(qū)動(dòng)器都會(huì)使用磁場通過線圈傳導(dǎo)熱量，從而燃燒大量能量。相反，如果驅(qū)動(dòng)器可以在磁層上使用激光脈沖，則該器件將在較低的電壓下運(yùn)行，并且位翻轉(zhuǎn)所需的能量將大大減少。[4]

隨著記錄密度的提高(目前的硬盤記錄密度已經(jīng)能夠達(dá)到 30Gb/cm2)，能夠獲得的感生電流的強(qiáng)度和信噪比已經(jīng)過小，造成讀入設(shè)備的誤碼率已經(jīng)不能達(dá)到要求。計(jì)算機(jī)和信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展使越來越多的信息內(nèi)容以數(shù)字化的形式記錄、傳輸和存儲(chǔ)，對大容量信息存儲(chǔ)技術(shù)的研究也隨之不斷升溫。

與傳統(tǒng)的磁存儲(chǔ)技術(shù)（如硬盤驅(qū)動(dòng)器）相比，高密度光存儲(chǔ)技術(shù)具有更高的存儲(chǔ)密度和更快的數(shù)據(jù)訪問速度，同時(shí)具有更好的數(shù)據(jù)保持性和耐用性。

隨著激光技術(shù)的不斷成熟，尤其是半導(dǎo)體激光器的成熟應(yīng)用，使得光存儲(chǔ)從最初的微縮照相發(fā)展成為快捷、方便、容量巨大的存儲(chǔ)技術(shù)，各種光存儲(chǔ)技術(shù)紛紛產(chǎn)生。與磁介質(zhì)存儲(chǔ)技術(shù)相比，光存儲(chǔ)具有壽命長、非接觸式讀/寫、信息位的價(jià)格低等優(yōu)點(diǎn)。從二十世紀(jì)六十年代開始一經(jīng)發(fā)展就迅速流行[1]，已普及到國民經(jīng)濟(jì)的各行各業(yè)。直到近些 年來，隨著全固態(tài)硬盤(solid state hard drive, SSD)、硬盤(hybrid hard disk, HHD)等存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展，其存儲(chǔ)密度、容量不斷增大和成本不斷降低，以及網(wǎng)速的不斷提高、云存儲(chǔ)的普及，經(jīng)歷了數(shù)代進(jìn)步的光盤市場開始不斷萎縮。

但隨著云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、大數(shù)據(jù)時(shí)代的到來，主流的數(shù)據(jù)保存方法，例如 SSD 存儲(chǔ)存在單位成本高的問題，同樣存儲(chǔ)容量的 SSD 比 HDD 貴得多；而 HDD 雖然單位成本低，適合做大容量存儲(chǔ)，但讀寫速度遠(yuǎn)不如 SSD。而且 SSD和 HDD 壽命都只有 3 年~5 年。磁帶庫具有存儲(chǔ)密度高，成本低的優(yōu)點(diǎn)，但每 10 年左右就要進(jìn)行遷移，需要恒溫恒濕的保存環(huán)境，抵御強(qiáng)電磁場的能力差。在此情況下，面對大數(shù)據(jù)時(shí)代長期保存、低能耗、高可靠的存儲(chǔ)要求，光存儲(chǔ)技術(shù)又開始受到重視和發(fā)展[2]。

上圖顯示了50年來單個(gè)單元讀/寫和空閑狀態(tài)的電力消耗比較。在此比較中，單個(gè)HDD單元通常用于讀/寫消耗20 W，并且以這種方式用于每年100小時(shí)。在空閑狀態(tài)下，每小時(shí)功耗為10w。單個(gè)ODS單元的讀寫功耗為7w，每年以這種方式使用100小時(shí)。成本是根據(jù)假設(shè)計(jì)算出來的[1]

為了提高存儲(chǔ)密度和數(shù)據(jù)傳輸速率，未來主流光存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展的另一個(gè)重要目標(biāo)將是增加在光盤中制造的存儲(chǔ)層的數(shù)量。光存儲(chǔ)正在由長波向短波、低維向高維(即由平面向立體)、遠(yuǎn)場向近場、光熱效應(yīng)向光子效應(yīng)、逐點(diǎn)存儲(chǔ)向并行存儲(chǔ)發(fā)展。

1. 多層光盤存儲(chǔ)技術(shù)：這種技術(shù)通過增加光盤的存儲(chǔ)層數(shù)，來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的大幅提升。傳統(tǒng)的DVD和藍(lán)光技術(shù)分別支持單層和雙層存儲(chǔ)，而多層光盤技術(shù)可以支持更多的數(shù)據(jù)層，從而顯著增加存儲(chǔ)容量。信息的寫入和讀出通常是通過將一束或多束激光束聚焦到 3D 介質(zhì)中來實(shí)現(xiàn)的。

2. 三維光存儲(chǔ)技術(shù)：三維光存儲(chǔ)技術(shù)通過在多個(gè)維度（通常是三個(gè)空間維度）上存儲(chǔ)信息，來實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)。這種技術(shù)可以在同一體積內(nèi)存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)，比傳統(tǒng)的二維存儲(chǔ)技術(shù)（如CD、DVD）的存儲(chǔ)密度要高得多。包括可超越光學(xué)衍射極限的雙光子吸收 (two-photon absorption，TPA)三維光存儲(chǔ)，基于遠(yuǎn)場超分辨受激發(fā)射損耗(stimulated emission depletion， STED)熒光顯微三維光存儲(chǔ)技術(shù)；

寫入過程是通過使用商用可調(diào)諧鈦藍(lán)寶石振蕩器完成的，該振蕩器通過自制顯微鏡中的高數(shù)值孔徑透鏡聚焦。納米棒有一個(gè)閾值溫度，在該溫度下，它們會(huì)熔化并重整為更短的棒或球體。這種光熱重塑發(fā)生的程度取決于輸入波長及其相對于入射偏振的對齊。因此，可以從焦點(diǎn)體積中存在的大量桿中選擇單個(gè)桿;只有那些具有適當(dāng)長度和方向的桿才會(huì)被轉(zhuǎn)換為球體，表示與這些參數(shù)相對應(yīng)的枯竭的局部桿群：數(shù)據(jù)點(diǎn)。

3. 全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)：全息存儲(chǔ)是一種利用光的干涉和衍射原理，將數(shù)據(jù)以全息圖的形式在介質(zhì)中存儲(chǔ)和再現(xiàn)的技術(shù)。全息存儲(chǔ)不僅可以在兩維平面上存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，還可以利用介質(zhì)的深度，實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)。采用三維體存儲(chǔ)模式，其理論存儲(chǔ)密度為1/λ3。由于存儲(chǔ)密度提升了一個(gè)維度，因此可以將現(xiàn)有的光存儲(chǔ)密度提升幾個(gè)數(shù)量級。一般光學(xué)體全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)機(jī)理為：待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)(數(shù)字或模擬)經(jīng)空間光調(diào)制器(SLM)被調(diào)制到信號(hào)光上，形成一個(gè)二維信息頁，然后與參考光在記錄介質(zhì)中干涉形成體全息圖從而完成信息的記錄讀出時(shí)使用和原來相同的參考光尋址，可以讀出相應(yīng)地存儲(chǔ)在晶體中的全息圖。利用體全息圖的布拉格選擇性，改變參考光的入射角度或波長，就可在一個(gè)單位體積內(nèi)復(fù)用多幅圖像，實(shí)現(xiàn)多重存儲(chǔ)，達(dá)到超高密度存儲(chǔ)的目的。

4. 超快激光直寫技術(shù)實(shí)現(xiàn)大容量、超長壽命的多維光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，特別是微納米結(jié)構(gòu)技術(shù)，以其快速、高精度的能量沉積等獨(dú)特優(yōu)勢，在透明材料中得到了廣泛的研究。與更長的激光脈沖(大于幾皮秒)相比，飛秒激光脈沖可以在非熱狀態(tài)下在材料內(nèi)部產(chǎn)生修改而不會(huì)造成附帶損害，這表明飛秒激光是極具潛力的3D光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)工具。

5. 多階光存儲(chǔ)技術(shù)：傳統(tǒng)的光存儲(chǔ)系統(tǒng)中，二元數(shù)據(jù)序列存儲(chǔ)在記錄介質(zhì)中，記錄符只有兩種不同的物理狀態(tài)，例如只讀光盤中交替變化的坑岸形貌。如將數(shù)據(jù)流調(diào)制成M進(jìn)制數(shù)據(jù)(M>2)，令調(diào)制后的數(shù)據(jù)與記錄介質(zhì)的M種不同物理狀態(tài)相對應(yīng)，即可實(shí)現(xiàn)M階存儲(chǔ)。如圖所示的坑深調(diào)制多階存儲(chǔ)，就是通過改變信息符的深度來實(shí)現(xiàn)多值存儲(chǔ)，數(shù)據(jù)流經(jīng)調(diào)制轉(zhuǎn)換成盤基多種不同坑深的變化，即可實(shí)現(xiàn)多階坑深存儲(chǔ)。[9]

6. 近場光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)：傳統(tǒng)光驅(qū)使用包含物鏡的光學(xué)頭進(jìn)行寫、讀、擦操作，由于物鏡距盤片記錄層多為幾個(gè)毫米，屬于遠(yuǎn)場光存儲(chǔ)方式，光無法聚焦成直徑小于半波長的點(diǎn)，存儲(chǔ)密度受到了限制。近場光學(xué)存儲(chǔ)采用的是近場光，它是由記錄介質(zhì)與光源在小于半波長量級 的距離時(shí)獲得的隱失光。隱失光為非傳輸光，當(dāng)距離超過波長量級時(shí)迅速衰減到接近于零。近場光學(xué)存儲(chǔ)的基本原理就是通過亞波長尺寸的光學(xué)頭和亞波長尺寸的距離控制，實(shí)現(xiàn)亞波長尺寸的光點(diǎn)記錄。只要將光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)放在近場光學(xué)顯微鏡中，保持光學(xué)探針與存儲(chǔ)介質(zhì)的距離在近場范圍內(nèi)，則在存儲(chǔ)介質(zhì)中形成的記錄點(diǎn)尺寸就可能在亞波長量級內(nèi)，從而克服衍射極限，實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)。近場超越光學(xué)衍射極限光學(xué)存儲(chǔ)，包括近場探針掃描顯微(scanning probe microscopy，SPM)存儲(chǔ)、近場固體浸沒透鏡(solid immersion lens，SIL)存儲(chǔ)和超分辨近場結(jié)構(gòu) (super-resolution near-field structure ，super-RENS)存儲(chǔ)

在對高效、可靠的存儲(chǔ)解決方案的需求不斷增長的數(shù)字時(shí)代，高密度光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)變得越來越重要。飛秒激光器以其超短脈沖持續(xù)時(shí)間為特征，已成為這些存儲(chǔ)解決方案發(fā)展的關(guān)鍵參與者。它們在微觀和納米尺度上精確操縱材料的能力使它們成為高密度光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用的理想選擇。涉及全息存儲(chǔ)、雙光子吸收存儲(chǔ)以及近場光學(xué)技術(shù)，利用飛秒脈沖激光在納米尺度下創(chuàng)建修改區(qū)域，編碼多級和多路復(fù)用信息，以顯著擴(kuò)展存儲(chǔ)容量。高功率飛秒激光技術(shù)的發(fā)展為實(shí)現(xiàn)超高密度光存儲(chǔ)提供了一種高可行性的方案。

鐿鐳飛秒的HELIOS系列高功率飛秒激光器，在提高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度和讀寫速度方面發(fā)揮了重要作用，由于其窄脈寬的特性，允許在不損傷周圍材料的情況下，對存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行極其精細(xì)的加工。這意味著可以在更小的空間內(nèi)創(chuàng)建存儲(chǔ)單元，無需擔(dān)心因加工過程產(chǎn)生的熱損傷而影響數(shù)據(jù)的完整性。使其能夠在存儲(chǔ)介質(zhì)上制作極其細(xì)小的標(biāo)記，這允許在相同空間內(nèi)存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)。通過精確控制激光脈沖的能量和持續(xù)時(shí)間，可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的數(shù)據(jù)編碼模式，從而極大地提高存儲(chǔ)密度和存儲(chǔ)介質(zhì)的長期穩(wěn)定性和可靠性。HELIOS系列高功率飛秒激光器還可以用于開發(fā)新型存儲(chǔ)介質(zhì)，如通過在玻璃或其他透明材料中創(chuàng)建微納結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)，搭配鐿鐳開發(fā)的AURORA系列光參量放大器，通過調(diào)諧激發(fā)波長尋找可以對存儲(chǔ)材料特異性激發(fā)的特殊波長，開發(fā)新型大容量光存儲(chǔ)材料。也通過使用具有較高重復(fù)頻率的飛秒激光器并對每個(gè)體素多于8個(gè)狀態(tài)(3Bit)的熒光強(qiáng)度進(jìn)行編碼，可以進(jìn)行更高速的記錄飛秒激光誘導(dǎo)材料熒光基團(tuán)來實(shí)現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)讀寫。

另外在研究光磁相互作用的實(shí)驗(yàn)中，采用飛秒磁光成像技術(shù)研究磁化轉(zhuǎn)換的超快動(dòng)力學(xué)。用單個(gè)泵浦脈沖記錄磁區(qū)，并用中心波長為800 nm的單個(gè)40fs非聚焦探測脈沖成像；激光誘導(dǎo)磁化過程。為了研究飛秒激光脈沖在YIG：Co薄膜中誘導(dǎo)的自旋振蕩，我們還利用磁光泵浦探測方法進(jìn)行了常規(guī)的時(shí)間分辨測量。泵浦脈沖的持續(xù)時(shí)間為50fs，以500kHz的重復(fù)頻率打到樣品處。

時(shí)間分辨磁化動(dòng)力學(xué)和單次成像原理圖。附圖顯示了單脈沖激光激發(fā)YIG:Co形成的磁疇的磁光可視化。[11]

2012 年，PennWell's Strategies Unlimited（加利福尼亞州）預(yù)測，在大約 76 億美元的激光市場中，近 7.85 億美元（占總市場的 10% 以上）用于光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)激光器的銷售。[13] 2021 年 11 月，美國國會(huì)通過了《國防授權(quán)法案》（NDAA），要求建立國家半導(dǎo)體技術(shù)中心 （NSTC）。美國國家半導(dǎo)體技術(shù)中心（National Semiconductor Technology Center）的卓越內(nèi)存聯(lián)盟建議。[14]因此對這些迅速增長的數(shù)據(jù)量進(jìn)行存檔的需求不斷增長。另一方面，處理大量數(shù)據(jù)歸檔的數(shù)據(jù)中心更是特別需要降低存儲(chǔ)成本(初始成本和運(yùn)營成本)。光存儲(chǔ)可以作為一種非常有前途的大容量存儲(chǔ)解決方式，但為了真正滿足未來這些數(shù)據(jù)中心的需求，增加光存儲(chǔ)容量密度是必需的。松下、索尼等公司也早都開始了新型高密度大容量光存儲(chǔ)技術(shù)的開發(fā)[15]

之后隨著光存儲(chǔ)的發(fā)展和用戶意識(shí)的普及，2017 年下半年，光存儲(chǔ)進(jìn)入快速發(fā)展階段，從 2018年到 2019 年將有一個(gè)很大的突破點(diǎn)[29]，如單個(gè)光盤存儲(chǔ)容量將達(dá)到或超過 500 G，并不斷降低存儲(chǔ)成本。預(yù)計(jì)在 2022 年左右與光存儲(chǔ)相關(guān)的單項(xiàng)技術(shù)和系統(tǒng)集成技術(shù)將達(dá)到穩(wěn)定，并使得存儲(chǔ)購買成本達(dá)到或低于 1 美分/GB。

未來光存儲(chǔ)技術(shù)研究將主要圍繞兩個(gè)大的方向并行：新的存儲(chǔ)方式工程化和研發(fā)性能更優(yōu)良的存儲(chǔ)介質(zhì)材料。目前，最有望工程化的是雙光束超分辨技術(shù)和玻璃存儲(chǔ)技術(shù)。由于各種存儲(chǔ)技術(shù)都以提高存儲(chǔ)容量、密度、可靠性和數(shù)據(jù)傳輸率為主要發(fā)展目標(biāo)。因此在未來 5 到 10 年內(nèi)，光存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展趨勢仍然是以超大容量、超高效率、超高吞吐率、低成本及廣泛兼容性的云存儲(chǔ)產(chǎn)品為主要目標(biāo)，通過完善并依據(jù)相應(yīng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、國家標(biāo)準(zhǔn)和國際標(biāo)準(zhǔn)，各行各業(yè)普及高性能低成本大數(shù)據(jù)光存儲(chǔ)。

可以合理地預(yù)測，在不久的將來，OSA將在大數(shù)據(jù)技術(shù)領(lǐng)域獲得巨大的份額，全球市場規(guī)模將達(dá)到每年300億美元。與蓬勃發(fā)展的芯片和激光技術(shù)一起，OSA作為數(shù)據(jù)流的中繼站或信息歸檔的倉庫，將能夠推動(dòng)一種全新的全光信息管理范式，走向大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可持續(xù)未來。[16]

近年來，隨著各類光存儲(chǔ)技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步，光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)理論存儲(chǔ)密度不斷攀升。這使得光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)具備了克服磁控存儲(chǔ)技術(shù)等傳統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式在高能耗和低壽命等方面缺點(diǎn)的優(yōu)勢，尤其在大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。當(dāng)前，商用光存儲(chǔ)系統(tǒng)主要以二維數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)為主，研發(fā)重點(diǎn)集中在提升數(shù)據(jù)存儲(chǔ)面密度。然而，關(guān)于開發(fā)和提升信息存儲(chǔ)體密度的研究及商業(yè)化應(yīng)用仍有巨大的發(fā)展空間。通過深入研發(fā)各類高密度光存儲(chǔ)技術(shù)，有望在信息存儲(chǔ)密度、讀寫速度及使用壽命穩(wěn)定性等方面實(shí)現(xiàn)光學(xué)存儲(chǔ)技術(shù)的巨大提升，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)單設(shè)備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的幾何級增長。