閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
技術(shù)前沿

中科院上海光機所在等離子體增強原子層沉積HfO2薄膜激光損傷閾值方面取得新進展

激光制造網(wǎng) 來源:中科院上海光機所2023-06-21 我要評論(0 )   

近期,中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所薄膜光學(xué)實驗室朱美萍研究員團隊在等離子體增強原子層沉積(PEALD)HfO2薄膜的激光損傷閾值(LIDT)方面取得新進展。相關(guān)研究成...

近期,中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所薄膜光學(xué)實驗室朱美萍研究員團隊在等離子體增強原子層沉積(PEALD)HfO2薄膜的激光損傷閾值(LIDT)方面取得新進展。相關(guān)研究成果發(fā)表在Journal of Alloys and Compounds上。

1

PEALD具有精確的厚度可控性,基于該方法的HfO2/SiO2三倍頻減反射膜性能優(yōu)良。然而,PEALD HfO2薄膜中的高雜質(zhì)含量和非化學(xué)計量比導(dǎo)致其LIDT較低,是限制三倍頻激光薄膜LIDT提高的主要原因。因此,如何提高PEALD HfO2薄膜的LIDT成為了研究重點。

2

圖1.不同溫度下氧氣退火的HfO2薄膜的XPS能譜:(a)Hf 4f,(b)C 1s,(c)N 1s和(d)O 1s

研究人員將PEALD HfO2薄膜在不同氣氛和不同溫度下進行了退火處理,研究了對HfO2薄膜表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)成分和LIDT(激光脈寬:7.8 ns,激光波長:355 nm)的影響。實驗結(jié)果表明,在氧氣氣氛下退火更有利于雜質(zhì)化合物(碳酸鹽和胺)的分解和缺氧狀態(tài)的改善。與退火前相比,在氧氣氣氛特定溫度下退火的HfO2薄膜具有更低的C和N雜質(zhì)含量,更高的化學(xué)計量比,從而具有更低的吸收和更高的LIDT。該實驗為PEALD氧化物薄膜和其他含有類似雜質(zhì)的氧化物薄膜的性能改善提供了參考,有利于相關(guān)激光薄膜LIDT的提高。

3

圖2.不同溫度下氧氣退火的HfO2薄膜:(a)雜質(zhì)含量,(b)O/Hf比,(c)吸收和(d)LIDT


轉(zhuǎn)載請注明出處。

中科院上海光機所,光電,激光,激光企業(yè),激光制造,激光器
免責(zé)聲明

① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權(quán)均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使 用,并注明"來源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)責(zé)任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來源的作品及圖片,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點和對其真實性負(fù)責(zé),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個人認(rèn)為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權(quán)益,請及時向本網(wǎng)提出書面權(quán)利通知,并提供身份證明、權(quán)屬證明、具體鏈接(URL)及詳細(xì)侵權(quán)情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會依法盡快移除相關(guān)涉嫌侵權(quán)的內(nèi)容。

相關(guān)文章
網(wǎng)友點評
0相關(guān)評論
精彩導(dǎo)讀