國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)核心技術(shù)再迎突破，哈工大成功研制出了高速超精密激光干涉儀，目前可用于350nm到28nm工藝的光刻機(jī)樣機(jī)集成研制和性能測(cè)試，意味著我們離光刻機(jī)又近了一步。

要想發(fā)展半導(dǎo)體，光刻機(jī)是繞不過去的一個(gè)環(huán)節(jié)。早在2018年，中芯國(guó)際就預(yù)訂了一臺(tái)EUV光刻機(jī)，但一直沒有到貨。到2023年1月底，美國(guó)聯(lián)合日本、荷蘭簽署“協(xié)議”，進(jìn)一步阻止向我國(guó)出售DUV光刻機(jī)，企圖在芯片制造設(shè)備這個(gè)環(huán)境打壓中國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展，在光刻機(jī)這條道路上，可以說走得非常曲折。

從華為遭遇老美打壓后，嚴(yán)重暴露出我國(guó)在高端芯片的短板，核心就是要解決光刻機(jī)問題。中科院院長(zhǎng)白春禮：中科院將集結(jié)精銳力量組織系統(tǒng)攻關(guān)，有效解決一批“卡脖子”問題。光刻機(jī)便是其中的一項(xiàng)，在中科院的號(hào)召下，我國(guó)上海微電子堅(jiān)持自主研發(fā)，立志突破光刻機(jī)核心技術(shù)。

目前在國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)技術(shù)已有重大進(jìn)展，根據(jù)媒體報(bào)道，在2022年，上海微電子在國(guó)產(chǎn)90nm光刻機(jī)已經(jīng)取得了突破，在多重曝光技術(shù)，可以將芯片制程縮小到22nm。另外，上海微電子和國(guó)內(nèi)多個(gè)廠商聯(lián)合，多個(gè)核心技術(shù)突破消息頻頻傳來。如華為公布了光刻機(jī)技術(shù)相關(guān)的專利；前方還有另一條好消息傳來，上海微電子生產(chǎn)的首臺(tái)2.5D/3D先進(jìn)封裝光刻機(jī)順利交付并正式投入使用。

這是我國(guó)光刻機(jī)一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，采用這種激光干涉儀，才能滿足掩膜工作臺(tái)、硅片雙工作臺(tái)、物鏡系統(tǒng)復(fù)雜的相對(duì)位置和姿態(tài)測(cè)量需求，保證光刻機(jī)的整體套刻精度，這對(duì)國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)有什么意義呢？

這項(xiàng)技術(shù)解決我國(guó)高端裝備發(fā)展和量子化計(jì)量基準(zhǔn)等前沿研究的“卡脖子”問題。團(tuán)隊(duì)突破系列核心測(cè)量方法和工程化關(guān)鍵技術(shù)，該領(lǐng)域存在的測(cè)不準(zhǔn)、測(cè)不精、測(cè)不快的核心難題將被徹底解決。

眾所周知，EUV光刻機(jī)涉及10萬(wàn)個(gè)零部件，來自全球100多個(gè)國(guó)家，即使是荷蘭阿斯蘭也無(wú)法制造出光刻機(jī)所有的零部件，也需要從其他國(guó)家進(jìn)口，完成光刻機(jī)的組裝。所以說光刻機(jī)是一個(gè)十分精密復(fù)雜的設(shè)備。涉及光源、雙工件臺(tái)、物鏡是光刻機(jī)的三大核心系統(tǒng)。目前在雙工件臺(tái)、物鏡核心技術(shù)，我國(guó)早已突破，只剩下光源方面。

早在2021年，清華大學(xué)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)發(fā)明了一種名為“穩(wěn)態(tài)微聚束”（SSMB）的加速器光源，這種新型加速器光源能夠?qū)崿F(xiàn)大功率、高中頻以及窄帶寬輻射，它可以為光刻機(jī)的研發(fā)提供相關(guān)技術(shù)。其實(shí)，對(duì)于光源技術(shù)相信也即將迎來好消息。這也意味著，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)即將迎來突破。

可以說，我國(guó)在光刻機(jī)方面發(fā)展速度還是非?？斓?，阿斯麥曾多次發(fā)出預(yù)警：中國(guó)突破光刻機(jī)，只是時(shí)間問題。

在傳統(tǒng)芯片產(chǎn)業(yè)上，我國(guó)已經(jīng)取得了很多不錯(cuò)的成績(jī)，光刻機(jī)需要突破，也一定會(huì)突破。在新的道路上，我國(guó)也走在世界的前列，無(wú)論在傳統(tǒng)道路上還是借助新賽道一旦取得突破，美國(guó)就再也沒有辦法了。