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技術(shù)前沿

用于激光雷達(dá)的高性能多結(jié)VCSEL芯片的研究

激光制造網(wǎng) 來源:長光華芯2022-07-04 我要評論(0 )   

摘要在激光雷達(dá)應(yīng)用領(lǐng)域,高功率密度垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)越來越受到關(guān)注。多結(jié)VCSEL是獲得高功率密度的關(guān)鍵技術(shù)。為了得到高性能多結(jié)VCSEL陣列,高斜率效率、高...

摘要

在激光雷達(dá)應(yīng)用領(lǐng)域,高功率密度垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)越來越受到關(guān)注。多結(jié)VCSEL是獲得高功率密度的關(guān)鍵技術(shù)。為了得到高性能多結(jié)VCSEL陣列,高斜率效率、高填充因子和小發(fā)散角是主要的研究方向。我們優(yōu)化了外延設(shè)計(jì)和流片工藝,如隧道結(jié)、氧化層和陣列布局。本文報(bào)道了激射波長在940nm附近的高性能多結(jié)VCSEL陣列。作為激光雷達(dá)應(yīng)用的基本光源,選擇性氧化的正面發(fā)射VCSEL陣列已實(shí)現(xiàn),其具有59.7%的光電轉(zhuǎn)換效率和8.3W/A的斜率效率。加工后的VCSEL陣列器件的發(fā)光面積為234* 250um2,15A峰值電流,10KHz 10ns(半峰寬)的脈寬測試條件下,功率密度大于1800W/mm2。發(fā)散角小于21度(1/e2)。


關(guān)鍵詞: 激光雷達(dá),垂直腔面發(fā)射激光器陣列,多結(jié),高功率密度,小發(fā)散角


01 背景介紹


近年來,隨著激光雷達(dá)(LiDAR)技術(shù)的發(fā)展,VCSEL陣列光源,由于其低制造成本、小溫漂系數(shù)、易于二維集成的優(yōu)勢,越來越受到激光雷達(dá)應(yīng)用市場的關(guān)注。首先,使用特殊的結(jié)構(gòu)和工藝設(shè)計(jì),VCSEL陣列可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更低的發(fā)散角,以滿足激光雷達(dá)長距離應(yīng)用的發(fā)展需求,利用多結(jié)VCSEL技術(shù)是產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高效率、更高功率密度的關(guān)鍵。其次,使用特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),如優(yōu)化氧化層的位置、厚度、Al組分,發(fā)散角性能可以進(jìn)一步優(yōu)化。最后,更高的填充因子意味著更小的芯粒面積,也有利于更高的輸出功率密度??紤]到納秒級的短脈沖測試條件,VCSEL陣列的熱積累可以忽略。大的氧化孔徑和小的周期尺寸也可以用于提高填充因子。


本文中,通過優(yōu)化外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝的VCSEL陣列可以實(shí)現(xiàn)高功率密度和低發(fā)散角。在晶圓級100Hz 10us的寬脈沖測試條件下,VCSEL陣列的能量轉(zhuǎn)換效率峰值高達(dá)59.7%,斜率效率高達(dá)8.3W/A。另外,在器件級10KHz 10ns短脈沖測試條件下,VCSEL陣列可以實(shí)現(xiàn)高于110W的峰值功率輸出,對應(yīng)的功率密度高于1800W/mm2,發(fā)散角達(dá)到21°。


02 高光束質(zhì)量的多結(jié)VCSEL陣列設(shè)計(jì)

2.1 應(yīng)用需求


激光雷達(dá)是一種利用激光成像技術(shù)進(jìn)行精準(zhǔn)距離量測的技術(shù),被認(rèn)為是智能駕駛、3D傳感等領(lǐng)域最重要的探測技術(shù)之一。隨著探測距離的增加,點(diǎn)云(Point Cloud)密度隨之降低,分辨率也會受到限制。為了實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離3D掃屏的重建,就需要具有更高功率密度、更低發(fā)散角的高質(zhì)量激光光束。


設(shè)計(jì)理念如圖1所示。使用納秒級短脈沖測試,具有小發(fā)散角的多結(jié)VCSEL陣列為激光雷達(dá)的應(yīng)用提供了一個(gè)極佳的平臺。基于此理念,我們設(shè)計(jì)并制造了世界領(lǐng)先的多結(jié)VCSEL陣列(5/6/8結(jié)),并利用特殊的氧化層和填充因子設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)更高功率密度和更低的發(fā)散角性能。


圖 1. 激光雷達(dá)光源探測示意圖,左為常規(guī),右為更高功率密度、更小發(fā)散角優(yōu)化結(jié)果。


2.2 器件光電性能


2.2.1  效率優(yōu)化


為了提高能量轉(zhuǎn)換效率(PCE)和斜率效率(SE),通過多個(gè)有源區(qū)的堆疊,可以增大器件的增益體積。我們的多結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,利用了低串阻、低吸收的隧道結(jié)設(shè)計(jì),并利用了外延層厚度精準(zhǔn)控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)增益介質(zhì)與增益光場的對準(zhǔn)。6結(jié)VCSEL陣列的結(jié)構(gòu)示意圖和等效電路圖如圖2所示。


圖 2.6結(jié)VCSEL結(jié)構(gòu)示意圖和等效電路模型。


2.2.2  發(fā)散角優(yōu)化


對于傳統(tǒng)的多結(jié)VCSEL陣列,發(fā)散角會隨著隧道結(jié)和量子阱數(shù)量的增多而變大?;谖墨I(xiàn)報(bào)道和我們的仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果,VCSEL陣列的發(fā)散角會受到氧化層指標(biāo)的影響,如位置、厚度、Al組分和數(shù)量等因素,如圖3所示。圖3a給出了傳統(tǒng)6結(jié)VCSEL的結(jié)構(gòu)示意圖,上述氧化層指標(biāo)影響到“纖芯”(中心區(qū)域)和“包層”(氧化區(qū)域)的有效折射率差值。另外,引入了不同位置的增益損耗比,基橫模和高階橫模的分布位置也會發(fā)生變化。盡量擴(kuò)大基橫模的占比,有利于發(fā)散角的優(yōu)化。


圖 3.發(fā)散角優(yōu)化機(jī)理。(a)傳統(tǒng)6結(jié)VCSEL的結(jié)構(gòu)圖,(b)針對發(fā)散角性能的優(yōu)化結(jié)構(gòu)。


2.2.3  填充分子優(yōu)化


填充因子定義為總發(fā)光窗口面積除以總發(fā)光面積。總發(fā)光窗口面積取決于每個(gè)發(fā)光孔的氧化孔徑,總發(fā)光面積取決于光束陣列的外徑。


公式1


其中F是填充因子,r是氧化孔徑的半徑,N是發(fā)光點(diǎn)數(shù)量,AL是總發(fā)光面積的長,Aw是總發(fā)光面積的寬。


公式2


其中J是電流密度,Io是工作電流。


從公式1和2可知,對于給定的總發(fā)光面積,低的填充因子會導(dǎo)致較高的電流密度,會導(dǎo)致器件工作在高電流密度模式。在此工作模式下,損壞的可能性會增大,影響器件可靠性。第二,高的電流密度,更容易出現(xiàn)增益飽和現(xiàn)象,盡管低于激光雷達(dá)的實(shí)際工作電流,但是轉(zhuǎn)換效率和斜率效率也會受到影響。第三,高的填充因子,會降低器件串阻,可以為驅(qū)動電路板的電壓限制提供更大的空間。我們調(diào)整氧化孔徑的尺寸,臺面尺寸和發(fā)光陣列的周期,以實(shí)現(xiàn)高填充因子的VCSEL陣列版圖,如圖4c所示。圖4中,從a,b到c,填充因子依次分別為27.0%,42.0%和48.8%。


圖 4.填充因子優(yōu)化機(jī)理。a)填充因子為27.0%的版圖設(shè)計(jì),b)填充因子為42.0%的版圖設(shè)計(jì),c)填充因子為48.8%的版圖設(shè)計(jì)。


2.3 工藝流片


流片工藝如圖5所示。

a. GaAs基底上的外延生長。

b. 背面Ti和SiN的應(yīng)力補(bǔ)償。P型接觸金屬被沉積在p+金屬層的表面。

c. 干法刻蝕產(chǎn)生臺面。

d. 氧化爐管進(jìn)行氧化工藝。

e. PECVD生長SiN鈍化層。

f. ICP-RIE刻蝕形成電流注入通孔。

g. 種子金沉積和金電鍍用于電流注入。

h. 研磨拋光襯底后,N型接觸金屬被沉積在N側(cè)。


圖 5.工藝流程圖。



03 不同設(shè)計(jì)的結(jié)果討論

3.1 高效率


我們針對5/6/8結(jié)的VCSEL陣列完成流片工藝。圖6給出了100Hz 10us脈沖電流驅(qū)動下的5/6/8結(jié)VCSEL陣列的對比。隨著更多結(jié)數(shù)的設(shè)計(jì),斜率效率從4.9W/A,提升到5.9W/A,最終提升到8.3W/A,如圖6a所示。最大轉(zhuǎn)換效率從48.7%,提升到56.5%,最終提升到59.7%,如圖6b所示。


圖6.100Hz 10us脈沖電流驅(qū)動下的5/6/8結(jié)VCSEL陣列LI和PCE曲線。a)LI曲線,b)PCE曲線。



3.2 低發(fā)散角


為了證明基于不同氧化層位置的發(fā)散角優(yōu)化設(shè)計(jì),我們增大了波導(dǎo)層厚度,保證氧化層和有源區(qū)的光學(xué)距離為0.25lambda,0.75lambda,和1.25lambda。如圖7所示,使用10kHz 10ns短脈沖測試條件,發(fā)散角分別優(yōu)化至27.9°、26.6°和24.6°。

圖7.短脈沖驅(qū)動下不同氧化層位置對發(fā)散角的影響。


3.3 高填充因子


針對圖4中的a/b/c三種結(jié)構(gòu),我們進(jìn)行了5結(jié)的VCSEL陣列流片。并根據(jù)不同的臺面尺寸實(shí)現(xiàn)不同的氧化孔徑??紤]到給定的VCSEL陣列布局,圖8a中給出了8um/10um/12um氧化孔徑下的LI曲線。在10kHz 10ns短脈沖測試條件下,使用小的氧化孔徑,如8um,由于相對較大的電流密度,斜率效率降低。另外,針對不同填充因子設(shè)計(jì)的A,B,C結(jié)構(gòu),其LI曲線如圖8b所示。在一定范圍內(nèi),斜率效率會隨著填充因子的提高而提高。


圖8.不同填充因子設(shè)計(jì)的LI性能對比。a)不同氧化孔徑尺寸下的LI曲線,b)不同填充因子版圖設(shè)計(jì)A、B、C的LI曲線。


04 高性能8結(jié)VCSEL陣列和高量產(chǎn)能力


4.1 優(yōu)化后8結(jié)VCSEL陣列的性能


綜合上述優(yōu)化機(jī)理,我們實(shí)現(xiàn)了具有高功率密度、高斜率效率、低發(fā)散角的8結(jié)VCSEL陣列。其性能測試條件為10kHz 10ns短脈沖測試。如圖9a所示,15A的驅(qū)動電流下,輸出總功率為112W,功率密度超過1800W/mm2,轉(zhuǎn)換效率為21%。同時(shí),其遠(yuǎn)場分布圖如圖9c所示,發(fā)散角性能如圖9d所示,小于21°。


圖9.8結(jié)VCSEL陣列的短脈沖測試性能。a)LIV曲線,b)光譜曲線,c)遠(yuǎn)場光斑的CCD圖像,d)遠(yuǎn)場光斑強(qiáng)度分布。


考慮到納秒測試條件,器件的熱累積可以忽略。為了研究不同溫度下的陣列性能,我們使用了TEC提供從30C到80C的環(huán)境溫度。10kHz 10ns短脈沖測試中,LI、FF和光譜性能如圖10所示。圖10a展現(xiàn)了8結(jié)VCSEL陣列極高的穩(wěn)定性。在工作條件15A下,其功率波動范圍小于8%,如圖10b所示。波長隨溫度漂移的曲線如圖10c所示,系數(shù)為0.07nm/C,如圖10d所示。


圖10. 8結(jié)VCSEL陣列的變溫性能。a)不同溫度下的LI曲線,b)功率隨溫度變化曲線,c)光譜隨溫度變化曲線,d)波長漂移與溫度關(guān)系。


4.2 VCSEL芯片的高量產(chǎn)能力


目標(biāo)激光雷達(dá)產(chǎn)品,圖11給出了6吋晶圓上能量轉(zhuǎn)換效率和波長分布的均勻性,顯示了蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司6吋生產(chǎn)線極好的量產(chǎn)控制能力。圖11a表明,超過95%的器件工作狀態(tài)下的能量轉(zhuǎn)換效率介于54%和58%之間。圖11b表明,超過95%的器件工作狀態(tài)下的波長分布介于935nm和945nm之間。


圖11.6吋晶圓VCSEL陣列的均勻性。a)PCE Map,b)波長Map。

05 總結(jié)


本文設(shè)計(jì)并制造了用于激光雷達(dá)應(yīng)用的高能量密度和低發(fā)散角的多結(jié)VCSEL陣列,優(yōu)化后的最大能量轉(zhuǎn)換效率為59.7%,斜率效率8.3W/A。測試條件為100Hz 10us寬脈寬驅(qū)動。對于8結(jié)VCSEL陣列產(chǎn)品,10kHz 10ns短脈沖驅(qū)動15A的工作電流下,其功率密度高達(dá)1800W/mm2,發(fā)散角小于21°(1/e2)。針對波長、能量密度、發(fā)散角和其他主要性能參數(shù),可以隨客戶需求進(jìn)行定制服務(wù)。


致謝

作者感謝蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司VCSEL團(tuán)隊(duì)在器件設(shè)計(jì)、流片工藝、封裝及測試方面的工作。


參考文獻(xiàn)

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