現(xiàn)在當(dāng)今世界，5nm芯片生產(chǎn)工藝可以說是最尖端的科技，國(guó)內(nèi)現(xiàn)在最先進(jìn)的中芯國(guó)際公司也才剛剛突破N+1生產(chǎn)工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)大概7納米生產(chǎn)工藝水平。近日中科院表示張子旸團(tuán)隊(duì)光刻方面取得研究進(jìn)展，在5nm光刻工藝上研發(fā)出來一種新型的5nm芯片的加工方法。當(dāng)前在5納米芯片加工生產(chǎn)中，主流生產(chǎn)技術(shù)是光刻技術(shù)和極紫光光刻技術(shù)兩種，而張子旸團(tuán)隊(duì)的5nm工藝則是在無掩模光刻技術(shù)上的一項(xiàng)研究。傳統(tǒng)中的無掩模光刻技術(shù)的成本非常低，但是激光的精度卻難以掌控，這也是這項(xiàng)技術(shù)難以量產(chǎn)應(yīng)用的原因。

而這次，張子旸團(tuán)隊(duì)進(jìn)行研究的就是無掩膜光刻技術(shù)，這次研究通過雙激光束交疊技術(shù)達(dá)到了5納米的光刻精度，能夠?qū)崿F(xiàn)5納米芯片的生產(chǎn)。這樣的技術(shù)不僅讓無掩模光刻機(jī)光刻精度大大提升，達(dá)到了生產(chǎn)5nm芯片的要求，而且生產(chǎn)效率也有所提高。據(jù)中國(guó)微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)報(bào)道，中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所張子旸研究員，與國(guó)家納米科學(xué)中心劉前研究員合作，在其發(fā)表的論文講述了該團(tuán)隊(duì)開發(fā)的新型 5 nm 超高精度激光光刻加工方法。

當(dāng)然，這個(gè)還是一個(gè)實(shí)驗(yàn)室的技術(shù)，想成功應(yīng)用到生產(chǎn)當(dāng)中去，可能還需要不短的路要走，但是畢竟5nm光刻新技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)突破，接下來只要在設(shè)備制造和生產(chǎn)商再次獲得突破，那么未來可能5nm直刻技術(shù)就能夠很好的應(yīng)用到生產(chǎn)中去。而且現(xiàn)在張子旸團(tuán)隊(duì)在5納米芯片生產(chǎn)研發(fā)獲得突破，采用的設(shè)備應(yīng)該全部是自研設(shè)備，如果未來這項(xiàng)技術(shù)能夠獲得量產(chǎn)的話，那么我國(guó)芯片制造產(chǎn)業(yè)可能將會(huì)實(shí)現(xiàn)飛躍發(fā)展。甚至未來有可能一改世界芯片制造設(shè)備生產(chǎn)的格局，可能讓ASML就會(huì)難受。

從現(xiàn)在來看，國(guó)內(nèi)在芯片制造領(lǐng)域內(nèi)也在做兩方面的準(zhǔn)備和研究。一個(gè)是激光直刻技術(shù)，一個(gè)就是在研發(fā)更先進(jìn)的EUV光刻機(jī)。如果這兩個(gè)芯片光刻方面的頂尖設(shè)備和頂尖生產(chǎn)技術(shù)，科研院所以及企業(yè)能夠獲得更快的突破，那么未來我國(guó)生產(chǎn)5納米芯片，甚至是更先進(jìn)的3納米，2納米的芯片都將成為可能，那么未來我國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展將會(huì)發(fā)展的更好。