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深度解讀

攻克高能離子加速 國產(chǎn)芯片技術(shù)突破

來源:大公報(bào)2020-06-29 我要評論(0 )   

據(jù)中新社報(bào)道:作為芯片製造核心關(guān)鍵裝備,由中國電子科技集團(tuán)有限公司(中國電科)旗下電科裝備自主研製的高能離子注入機(jī),已成功實(shí)現(xiàn)百萬電子伏特高能離子加速,其性能...

據(jù)中新社報(bào)道:作為芯片製造核心關(guān)鍵裝備,由中國電子科技集團(tuán)有限公司(中國電科)旗下電科裝備自主研製的高能離子注入機(jī),已成功實(shí)現(xiàn)百萬電子伏特高能離子加速,其性能達(dá)國際主流先進(jìn)水平。


中國電科旗下電科裝備離子注入機(jī)總監(jiān)張叢表示,電科裝備將在年底前推出首臺高能離子注入機(jī),實(shí)現(xiàn)中國芯片製造領(lǐng)域全系列離子注入機(jī)自主創(chuàng)新發(fā)展,并將為全球芯片製造企業(yè)提供離子注入機(jī)成套解決方案。


據(jù)了解,離子注入機(jī)是芯片製造中至關(guān)重要的核心關(guān)鍵裝備。在芯片製造過程中,需摻入不同種類元素以按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中。離子注入機(jī)即是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片製造設(shè)備。


高能離子注入機(jī)是離子注入機(jī)中技術(shù)難度最大的機(jī)型,長久以來,因其極大的研發(fā)難度和較高的行業(yè)競爭壁壘,被稱為離子注入機(jī)領(lǐng)域的“珠穆朗瑪峰”,是中國集成電路製造裝備產(chǎn)業(yè)鏈上亟待攻克的關(guān)鍵一環(huán)。


中國電科介紹說,旗下電科裝備,此前已連續(xù)突破中束流、大束流、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等離子注入機(jī)產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化難題,產(chǎn)品廣泛服務(wù)於全球知名芯片製造企業(yè)。

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芯片制造半導(dǎo)體等離子
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