2007年入選中科院“百人計(jì)劃”，2009年獲“國(guó)家杰出青年基金”。2001年畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，獲得理學(xué)博士學(xué)位。2001年至2004年，在美國(guó)伯克利勞倫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室做博士后；2004年至2007年，美國(guó)再生能源國(guó)家實(shí)驗(yàn)室助理研究員；2007年5月，入選中國(guó)科學(xué)院“百人計(jì)劃”，同時(shí)進(jìn)入半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室工作，從事半導(dǎo)體摻雜機(jī)制和納米材料的研究。 

　　取得的重要科研成果及所獲獎(jiǎng)勵(lì)： 

　　在半導(dǎo)體摻雜機(jī)制和納米材料等前沿領(lǐng)域中取得的一系列創(chuàng)新性研究成果：(1)發(fā)表了一百余篇論文（其中“Nature”一篇，“Nature Material”一篇，“PRL”六篇，“Nano Letters”四篇，“JACS”二篇，“APL”十八篇，“PRB/JPCC”三十六篇），對(duì)半導(dǎo)體光電材料與器件的設(shè)計(jì)有重要的指導(dǎo)作用。(2)首次從理論上研究了形狀對(duì)納米團(tuán)簇電子態(tài)的影響，并且對(duì)相關(guān)的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了解釋。(3)與合作者提出了Charge Patching方法，實(shí)現(xiàn)了上萬原子的第一性原理精度計(jì)算，該方法特別適用于大原胞的半導(dǎo)體合金和納米團(tuán)簇的大規(guī)模計(jì)算。(4)對(duì)半導(dǎo)體摻雜機(jī)制有深入的研究，提出GaN和ZnO等實(shí)現(xiàn)p-型摻雜的實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｐ停⒂玫谝恍栽磉M(jìn)行計(jì)算，獲得國(guó)際同行的廣泛關(guān)注。(5)首次研究了量子點(diǎn)中雜質(zhì)的穩(wěn)定性, 預(yù)言在硅摻雜的GaAs量子點(diǎn)中，如量子點(diǎn)的尺寸小于14納米，將出現(xiàn)DX深能級(jí)中心。(6)首次預(yù)言了CdS量子點(diǎn)比CdSe量子點(diǎn)更容易觀察到“暗激子現(xiàn)象”，該預(yù)言被美國(guó)P.F.Barbara教授的實(shí)驗(yàn)小組所證實(shí)。論文已經(jīng)被國(guó)際同行高度評(píng)價(jià)和大量引用，至今已被引用兩千余次。2008年9月2日《科技日?qǐng)?bào)》第十版以《李京波：半導(dǎo)體照明學(xué)科帶頭人》為題報(bào)道了其最新研究進(jìn)展。2009年3月17日《自然》（亞洲材料）報(bào)道了其研究小組在光催化材料研究中取得的重要進(jìn)展。2009年獲國(guó)家杰出青年基金（信息學(xué)部）。2011年獲浙江省“千人計(jì)劃”榮譽(yù)稱號(hào)，2012年中科院“百人計(jì)劃”終期評(píng)估，獲評(píng)“優(yōu)秀”。