今天是王守武誕辰100周年紀念日，特推送此文，以紀念王院士及其卓越的貢獻。

王守武

半導體器件物理學家、微電子學家，中科院院士

王守武他組織籌建了中國第一個半導體研究室和全國半導體測試中心，也是中國科學院半導體研究所的創(chuàng)建者。在研究與開拓中國半導體材料、半導體器件、光電子器件及大規(guī)模集成電路等方面做出了重要貢獻，他領導研制了中國的第一臺單晶爐、第一根鍺單晶、第一只鍺晶體管、第一只激光器，組建了第一條完全自主的中、大規(guī)模集成電路生產線。今天是王守武誕辰100周年紀念日，特撰寫此文，以紀念王先生及其卓越的貢獻。

1、出身書香門第的“海歸”

王守武出生于書香門第之家，其父王季同先生是當時有名的電氣工程師。

1944年，王守武通過了國民政府的自費留美考試，并被麻省理工學院錄取，但是結核病使他錯過了赴美時間，未能入學。1945年夏天，在二哥王守融的陪同下，他輾轉緬甸，東渡大洋，進入普渡大學攻讀工程力學，并因興趣轉到物理系攻讀博士學位，專注于固體內部微觀粒子運動規(guī)律的研究。

新中國成立后，他積極響應“留美中國科學工作者協會”的號召，克服美國政府和國民黨特務的重重阻礙刁難，攜妻兒回到祖國。

2、半導體“國家隊”的領頭雁

王守武回國前并未聯系國內的工作單位，“1950年回國的時候，我沒有什么打算，只是覺得國內剛解放，想為國家搞點建設，作點貢獻。我原來是學工程力學的，又改學物理，我覺得回來搞建設，干什么都可以，什么都能干，所以我沒有跟國家聯系，直接回來了。”王守武回憶說，“當時只想為祖國作點貢獻，哪里需要就到哪里去。中科院讓我去，我就去了?！?/span>

回國初期，王守武在中科院應用物理研究所工作，他先后完成了西藏地區(qū)生活用太陽灶設計，志愿軍夜間行車防空襲車燈設計，還和同事一起安裝調試了中國第一臺電子顯微鏡，后組建了應用物理所電學組。

王守武開始接觸半導體是緣于一個偶然的機會。應用物理所的一個儀表壞了，給他修理，拆開后發(fā)現，里面的氧化亞銅整流器壞了。經過查閱文獻，王守武搞清楚了氧化亞銅整流器的工作原理、氧化亞銅的實驗室制備方法，隨后他不僅修好了儀器，還開始嘗試自己動手制作這種整流器。

上世紀50年代初，王守武領導應用物理所電學組開展半導體研究。他們從制作研究儀器設備開始，包括動力設備、材料制作設備和分析檢測儀器。他們繞制了一個燒氧化銅的電爐，設計制作了電子管溫控器，對多種半導體材料和器件的一些基本性質進行了初步測量。同時王守武也在注視著國際上半導體科學的新發(fā)展。他很快意識到半導體研究的重要性，尤其晶體管發(fā)明帶來的信息技術變化。

1956年迎來了一個重要的轉折點，電學組在1956年的工作計劃中指出：“半導體放大器的進一步發(fā)展將全面地革新電子學設備的面貌，在國民經濟上的意義極為重大。”

 1956年到1960年，半導體研究室在半導體器件的研制方面取得一系列成果：研制成功我國第一根鍺單晶、研制成功合金結鍺晶體管和金鍵二極管、拉制成功摻雜的鍺單晶并完成我國鍺單晶的實用化、拉制成功我國第一根硅單晶并實現我國硅單晶的實用化、成功研制我國第一支鍺合金擴散高頻晶體管、參與研制成功我國第一臺大型晶體管計算機。原中國科學院黨組書記、副院長張勁夫在幾十年后回憶由他負責組織的中國科學院參與“兩彈一星”的工作和貢獻，其中他談到了半導體所的貢獻：“從美國回來搞半導體材料的林蘭英和科學家王守武、工程師王守覺兩兄弟，是他們做的工作。第二代計算機，每秒數十萬次，為氫彈的研制作了貢獻。”

3、建設全國半導體測試中心

1960年，中國科學院半導體研究所正式成立，王守武任業(yè)務副所長。是年，世界第一臺激光器誕生，兩年后，美國和前蘇聯相繼研制成功半導體激光器。得知這一消息后，王守武看準這是一個重大的研究方向，開始組織半導體所進行探索。

自1963年起，他先后領導并參與了中國第一臺半導體激光器的研制、實現半導體激光器的連續(xù)激射、半導體負阻激光器以及激光應用的研究工作，為我國在這個技術領域的技術進步奠定了基礎。

全國半導體測試中心

4、研制4千位的大規(guī)模集成電路

粉碎“四人幫”后，全國自然科學學科規(guī)劃會議在北京召開，指示半導體工作者“一定要把大規(guī)模集成電路搞上去”。

集成電路是一種電子器件，通常所說的“芯片”就是指集成電路，它是將一個電路所需的晶體管、二極管、電阻、電容等做在一個面積很小的半導體硅片上。1964年，半導體所研制成功中國最早的集成電路，但到上世紀70年代，我國集成電路的研制和生產與國際先進水平有了很大差距。

王守武先從研制難度不大的256位中規(guī)模集成電路入手，以檢驗工藝流程的穩(wěn)定性和可靠性，隨后才投片研制4千位動態(tài)隨機存儲器。1979年9月28日，該大規(guī)模集成電路研制成功，批量成品率達20%以上，最高的達40%。這一重要突破結束了我國不能制造大規(guī)模集成電路的歷史，并獲得中科院1980年科技成果一等獎。1979年底，他也因此榮獲全國勞動模范；1980年，被評選為中國科學院院士。

 1979年在超凈線工作

5、開展集成電路大生產試驗

1980年，王守武開始兼任中國科學院109工廠廠長職務，開展4千位大規(guī)模集成電路的推廣工作，從事提高成品率、降低成本的集成電路大生產試驗。他在109工廠，建設了大通間、高凈化級別、適合大規(guī)模集成電路生產的現代化廠房。同時組織有關人員，重新改造了通風、排氣系統，完善了其他一些工藝設施，從而迅速將老廠房改造高凈化標準廠房。

王守武率領科研人員對每臺設備的每個部件進行檢查，還研制了清洗機之類的工藝設備，使得工藝設備可靠工作。他首次選用聚丙烯做高純水的輸送管材以保障成品率；建起了用高壓充氣和抽高真空兩種檢查氣體管道密封性能的方法以解決氣體表頭密封問題。同時，他組織設計制定了對硅片等原材料的質量檢查標準和控制措施。對于工藝技術方案，他不僅引導大家大膽采用等離子化學氣相淀積（CVD）這一最新工藝，還積極采用半導體研究所發(fā)明的一種成本低、光刻線邊界整齊、針孔小、適合大生產的無顯影光刻技術。在王守武精心操持下，109廠以一個電視機用的集成電路品種進行流片試生產，一次就取得了芯片成品率達50%以上的可喜成果，比國內其它研制單位的成品率高出三四倍。大生產試驗線及成果，在1985年獲得中國科學院科技進步二等獎，后被授予國家級科技進步獎。

1986年1月，上級將半導體所從事大規(guī)模集成電路研究的全套人馬，合并到109工廠，組建中科院“微電子中心”（后來更名為微電子研究所），王守武被任命為該中心的終身名譽主任。之后他再次親自領導組織建設新的生產線，并通過驗收于1990年榮獲中科院科技進步二等獎。

在109工廠任職期間，王守武并未停止自己的科學研究工作。他與有關同事一起，研究了PNPN負阻激光器的性能、單腔雙接觸激光器的穩(wěn)定性問題，以及對激光器內部光波模式和載流子分布的計算機模擬分析等，也做出了非常優(yōu)秀的成果。

6、追憶王守武院士的偉大貢獻

王守武是一位具有戰(zhàn)略眼光的科學家。他淵博的學識、超人的動手能力、謙遜的性格得到了國內外廣大學者的尊重。多年來，他對我國半導體科學技術發(fā)展方向、政策和策略的確定有過很多卓見。1987年，他因“世界新技術革命和我國的對策”獲國家科學技術進步獎二等獎；上世紀80年代，他闡述了發(fā)展我國集成電路工業(yè)上如何處理好科研與生產的關系，做好把科研成果轉變?yōu)樯a產品的中間環(huán)節(jié)；上世紀90年代，他提出，在制訂我國微電子行業(yè)規(guī)劃時，要狠抓微電子所用的基礎材料和專用設備兩個方面的基礎，重視科技隊伍的培養(yǎng)；2000年，他建議，發(fā)展半導體工業(yè)要開拓市場，可以考慮用通信電路作為我國發(fā)展半導體工業(yè)的突破口，集中力量，發(fā)展我國獨特的系列產品，力爭在國際上占有一席之地；2006年，王守武呼吁，科研成果轉化要打破科研院所與產業(yè)部門之間的“條條塊塊”。