一個月前的2022年8月9號，美國總統(tǒng)拜登正式簽署了《芯片與科學(xué)法案》。在對美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行542億美元的扶持之下，法案也明確表示：“受到補貼的企業(yè)十年內(nèi)不能在中國及相關(guān)國家就半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行重大擴(kuò)張”。同時美國還與韓國等其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國結(jié)成芯片聯(lián)盟，動作頻繁。

未來我國發(fā)展國產(chǎn)芯片替代進(jìn)口芯片已成定局，相關(guān)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用亟待發(fā)展。水滴激光作為國內(nèi)激光清洗領(lǐng)域的領(lǐng)軍者和先行者，也在持續(xù)的投入研發(fā)成本，探索著激光清洗在芯片制造業(yè)中應(yīng)用的可能，希望為加快我國半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展盡綿薄之力。

在芯片制造業(yè)中，半導(dǎo)體清洗貫穿產(chǎn)業(yè)始終，步驟占總生產(chǎn)流程30%以上，是影響晶圓片質(zhì)量和芯片性能的關(guān)鍵工藝，擁有400億以上的市場空間。雖然在重要性和設(shè)備市場規(guī)模上不如光刻機(jī)等核心設(shè)備，但作為不可替代的一環(huán)，對芯片生產(chǎn)的良品率和廠商經(jīng)濟(jì)效益都有著至關(guān)重要的影響。

目前隨著芯片制造工藝先進(jìn)程度的持續(xù)提升，對晶圓表面污染物的控制要求不斷提高，每一步光刻、刻蝕、沉積等重復(fù)性工序后，都需要一步清洗工序，可以確定的是，清洗工序是所有工藝中出現(xiàn)次數(shù)最多的，且未來還將進(jìn)一步增加。

晶圓清洗工序簡圖

在2018年工藝節(jié)點達(dá)到10nm時，硅片對清洗參數(shù)的要求就達(dá)到了一定高度：表面顆粒及COP密度小于0.1個/c㎡，表面臨界金屬元素密度小于2.5*10?at/c㎡。目前國內(nèi)企業(yè)少數(shù)能做到14nm的工藝節(jié)點，而像臺積電、三星等已經(jīng)可量產(chǎn)3nm，在向2nm發(fā)起沖擊，對清洗的要求只會更高。

目前晶圓片的清洗方式有浸泡、旋轉(zhuǎn)噴淋、機(jī)械刷洗、超聲、兆聲、等離子、氣相、束流等，主要采用濕法清洗和干式清洗相結(jié)合的方式，濕法清洗是主流，但會對材料有輕微損害，例如產(chǎn)生圖形損傷、COP（100nm左右的空洞）等，干法清洗作為更加清潔的清洗技術(shù)在產(chǎn)線中部分應(yīng)用，前景更加被看好。

激光清洗作為干法清洗的一種，對于晶圓片生產(chǎn)工序中表面的污染——如粉塵顆粒、金屬、有機(jī)物、氧化物等都有良好的清洗效果，且精度效果更加可控，但目前國內(nèi)尚無較為成熟的應(yīng)用實例，水滴激光拋磚引玉，分享我們對晶圓片表面粗加工的試驗工藝報告，希望未來激光清洗能進(jìn)一步參與到芯片制造環(huán)節(jié)中。

圖2 不同工藝參數(shù)激光清洗后晶圓表面宏觀形貌