近日，有著“價格屠夫”稱號的小米召開了線上新品發(fā)布會。除了沖刺高端市場的新款手機(jī)，發(fā)布會上一款不起眼的周邊產(chǎn)品，卻悄然開啟了一輪半導(dǎo)體新材料行業(yè)的盛宴。 

發(fā)布會后，小米將GaN氮化鎵半導(dǎo)體，帶到了大眾面前。也讓其身后的眾多半導(dǎo)體企業(yè)受到大眾關(guān)注。耐威科技就是其中之一家從事氮化鎵半導(dǎo)體生產(chǎn)的企業(yè)。 

衛(wèi)星導(dǎo)航起家，MEMS雄起 

耐威科技于2008年在北京成立，從事慣性導(dǎo)航系統(tǒng)及衛(wèi)星導(dǎo)航產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售工作。經(jīng)過多年發(fā)展，耐威科技形成了一套全覆蓋的導(dǎo)航系統(tǒng)業(yè)務(wù)，并于2015年在深交所上市。 

2008-2016年間，耐威科技專注導(dǎo)航與航空電子的業(yè)務(wù)。依靠此，耐威科技的營收與利潤一直處于平穩(wěn)增長狀態(tài)。但在專注導(dǎo)航業(yè)務(wù)的同時，耐威科技發(fā)現(xiàn)，頻繁與高質(zhì)量的信號傳輸都離不開MEMS。 

MEMS是指利用半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝構(gòu)造的微型器件或系統(tǒng)。它通常集微傳感器、信號處理和控制電路、微執(zhí)行器、通訊接口和電源等部件于一體，尺寸大小通常在微米級至毫米級之間。 

MEMS可將電子系統(tǒng)與周圍環(huán)境有機(jī)結(jié)合在一起，微傳感器接收運(yùn)動、光、熱、聲、磁等信號，信號再被轉(zhuǎn)換成能夠被電子系統(tǒng)識別、處理的電信號，部分MEMS器件可通過微執(zhí)行器實(shí)現(xiàn)對外部介質(zhì)的操作。

由于MEMS與原本的導(dǎo)航與航空電子業(yè)務(wù)高度契合，耐威科技開始著手MEMS的布局。 

2016年，耐威科技收購了全球領(lǐng)先的MEMS芯片制造商Silex Microsystems AB，Silex Microsystems來自瑞典，一度是世界上最大的MEMS代工廠。世界權(quán)威半導(dǎo)體市場研究機(jī)構(gòu)Yole Development的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2012-2016年，Silex在全球MEMS代工廠收入中的綜合排名為第五位，2017年則超越臺積電（TSMC）、索尼（SONY）前進(jìn)至第三位，緊隨意法半導(dǎo)體（ST Microelectronics）、Teledyne DALSA之后。 

Silex擁有8英寸與6英寸兩條獨(dú)立的MEMS生產(chǎn)線，在加速度計、陀螺儀和其他微型傳感器技術(shù)方面有深厚的積累。Silex的客戶涵蓋工業(yè)、汽車、生物醫(yī)療、通訊、消費(fèi)電子等多個領(lǐng)域。耐威科技也因此一躍成為MEMS芯片全球代工龍頭。 

與此同時，耐威科技的產(chǎn)能利用率也在不斷提高，2018年產(chǎn)能利用率高達(dá)98.52%。且近期瑞典產(chǎn)線的MEMS訂單極多，生產(chǎn)排期已經(jīng)超過14個月。短期內(nèi)，耐威科技MEMS代工全球龍頭的地位無人可撼動。 

此外，耐威科技本身在MEMS制造工藝技術(shù)方面也有較深厚的積累。收購?fù)瓿芍?，?jù)耐威科技2019年12月初的消息，耐威科技“8英寸MEMS國際代工線建設(shè)項(xiàng)目”將在2020年于北京投產(chǎn)，6年后達(dá)到穩(wěn)定期。 

該項(xiàng)目目前計劃實(shí)現(xiàn)每月1萬片產(chǎn)能，預(yù)計滿產(chǎn)后可增加營業(yè)收入7-8億，未來有望實(shí)現(xiàn)每月3萬片產(chǎn)能。北京產(chǎn)線建設(shè)完成后，賽萊克斯北京將與瑞典Silex形成優(yōu)勢互補(bǔ)。這條產(chǎn)線也將為本土的MEMS傳感器企業(yè)提供重要的支持。

探索新材，三線齊進(jìn) 

近兩年，耐威科技緊密圍繞物聯(lián)網(wǎng)和特種電子兩大產(chǎn)業(yè)鏈，大力發(fā)展MEMS、導(dǎo)航、航空電子三大核心業(yè)務(wù)。與此同時，耐威科技也在積極布局第三代半導(dǎo)體等潛力業(yè)務(wù)。 

第三代半導(dǎo)體材料及器件主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、金剛石等材料，以及在其基礎(chǔ)上開發(fā)制造的相應(yīng)器件。因其禁帶寬度(Eg)大于或等于2.3電子伏特(eV)，又被成為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 

與第一、二代半導(dǎo)體材料硅（Si）和砷化鎵（GaAs）相比，第三代半導(dǎo)體材料及器件具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子速率等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。隨著5G時代的到來及物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料及器件即將迎來巨大的市場應(yīng)用前景。 

第三代半導(dǎo)體行業(yè)是在硅基電力電子器件逐漸接近其理論極限值背景下，誕生的新一代電子信息技術(shù)革命的新興行業(yè)，目前該行業(yè)還屬于初創(chuàng)期，各方企業(yè)幾乎都處于同一起跑線上。 

為了與時間賽跑，耐威科技在即墨投資設(shè)立了聚能晶源公司，專注GaN外延材料的研發(fā)生長；在嶗山投資設(shè)立了聚能創(chuàng)芯公司，專注GaN器件的開發(fā)設(shè)計。從入駐到項(xiàng)目建成投產(chǎn)，聚能晶源僅僅用了一年多的時間。 

在第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)布局方面，耐威科技目前主要專注氮化鎵(GaN)材料的生長與器件的設(shè)計領(lǐng)域。耐威科技已成功研制8英寸硅基氮化鎵外延晶圓，且正在持續(xù)研發(fā)氮化鎵器件。據(jù)了解，該材料及器件可廣泛應(yīng)用于5G通訊、云計算、數(shù)據(jù)中心、新型電源等領(lǐng)域。一旦完成研發(fā)，將具有先發(fā)優(yōu)勢。 

以聚能晶源此前展示的HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓產(chǎn)品為例。該型GaN外延晶圓具有高晶體質(zhì)量、低表面粗糙度、高一致性的材料特點(diǎn)。同時具有低導(dǎo)通電阻、高耐壓的電學(xué)特性。值得一提的是，聚能晶源GaN外延晶圓具有優(yōu)秀的材料可靠性，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)TDDB測試方法，其在標(biāo)稱耐壓值下的長時有效壽命達(dá)到了10的9次方小時，處于國際業(yè)界領(lǐng)先水平。 

根據(jù)MarketsandMarkets預(yù)測，到2023年，功率氮化鎵市場規(guī)模將達(dá)到4.23億美元，復(fù)合增長率為93%。我國眾多企業(yè)也已開始此布局。國家集成電路產(chǎn)業(yè)大基金、北京集成電路產(chǎn)業(yè)基金也給與了大量資金支持。 

耐威科技董事長楊云春對此也充滿了信心。他多次表示，公司在青島會持續(xù)建設(shè)第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地及器件設(shè)計中心，在規(guī)模與體量上再造一個耐威。 

新材料的發(fā)現(xiàn)往往比新技術(shù)的使用更為重要，如果GaN外延晶圓得以批量使用，我國在開發(fā)GaN器件時可實(shí)現(xiàn)高性能、高一致性、高良率、高可靠性等優(yōu)勢，可幫助國產(chǎn)替代搶占第三代半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的競爭先機(jī)。

作者：張偉超