加州圣何塞--(美國商業(yè)資訊)--工程基片工藝和技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商和束流誘導(dǎo)太陽能電池晶圓制造技術(shù)的先鋒企業(yè)Silicon Genesis今天宣布，該公司已經(jīng)最終確定了用于制造薄膜太陽能電池硅晶圓的第二代生產(chǎn)系統(tǒng)的規(guī)格。該系統(tǒng)設(shè)計成功是6年多以來開發(fā)、原型測試并與太陽能電池合作伙伴一起采用眾多設(shè)備對太陽能電池材料進(jìn)行評估的成果。新GenII PolyMaxTM系統(tǒng)的推出得益于SiGen之前獲取的眾多業(yè)界首創(chuàng)成就，包括率先制造出獨立式的20um（微米）、50um、85um、120um和150um的125mm和156mm業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)方形無切損單晶硅太陽能電池晶圓。這些成就為光伏業(yè)帶來了首創(chuàng)的真正無切損單晶硅晶圓制造技術(shù)。

      PolyMax高產(chǎn)量制造系統(tǒng)的推出將推動整個產(chǎn)業(yè)在使用更低成本的零浪費晶圓解決方案來代替線鋸工藝方面再前進(jìn)一步。PolyMax系統(tǒng)的一大關(guān)鍵優(yōu)勢在于該系統(tǒng)能夠生產(chǎn)出比線鋸技術(shù)所能達(dá)到的更薄晶圓，從而使該行業(yè)能生產(chǎn)出擁有更高光電轉(zhuǎn)換率和更低成本的太陽能電池。

     Silicon Genesis總裁兼首席執(zhí)行官Francois Henley表示："我們相信，太陽能產(chǎn)業(yè)所面臨的嚴(yán)峻價格壓力將進(jìn)一步推動質(zhì)子束誘導(dǎo)晶圓制造工藝的推廣。我們曾在2008年P(guān)VSEC大會上使用一部200萬伏高能質(zhì)子植入機原型制造出50 um厚的晶圓，首次推出我們的束流誘導(dǎo)切削技術(shù)。我們相信，使用我們的技術(shù)將大幅削減制造高性能太陽能電池的成本，讓光伏產(chǎn)業(yè)能夠早于預(yù)期數(shù)年在無補貼的情況下實現(xiàn)電網(wǎng)平價。這些薄和超薄太陽能晶圓擁有良好的性能，而且已經(jīng)經(jīng)過了我們合作伙伴和獨立第三方實驗室的測試。"

      在被問及有關(guān)其他薄膜硅技術(shù)提供商最近發(fā)布的新聞稿的問題時，Henley表示："最新發(fā)布的這些新聞進(jìn)一步確認(rèn)了市場需要能幫助降低高效硅吸光體制造成本的新方法和新工藝。我們曾在2006年在美國國家可再生能源實驗室對Ampulse熱絲化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)和SiGen層轉(zhuǎn)移單晶硅薄膜一起進(jìn)行了評估。我轉(zhuǎn)而選擇了我們的直接高能束流誘導(dǎo)切削方法。這一方面能幫助公司使用他們新型的紋理支撐技術(shù)來制造高品質(zhì)薄膜。就在我們的此次新技術(shù)公布前不久，Twin Creeks Technologies宣布推出與我們束流誘導(dǎo)晶圓制造工藝類似的工藝，不過據(jù)報道他們的工藝僅限于生產(chǎn)接合式（非獨立式）20um薄膜。作為束流誘導(dǎo)晶圓制造技術(shù)的先鋒企業(yè)，而且假定對方?jīng)]有使用我們100多項美國專利組合中任一種專利（我們正在監(jiān)督），SiGen很高興看到另一家公司認(rèn)識到薄晶體硅在幫助大幅降低太陽能電池成本上的重要性。事實是Twin Creeks Technologies在評估了SiGen的束流誘導(dǎo)晶圓商業(yè)計劃和技術(shù)（包括我們的200萬電子伏特植入機原型）之后不久就獲得一家風(fēng)投公司的資助，這一點值得關(guān)切。"

      SiGen的束流誘導(dǎo)晶圓制造技術(shù)將不僅僅服務(wù)于太陽能市場。該核心技術(shù)還有能力為HB-LED以及利用硅、砷化鎵、鍺、碳化硅、氮化鎵和藍(lán)寶石的封裝/3D結(jié)構(gòu)領(lǐng)域新出現(xiàn)的業(yè)界要求提供高品質(zhì)的薄膜材料。該技術(shù)的關(guān)鍵優(yōu)勢是在保證高性能材料在要求嚴(yán)苛的最終應(yīng)用領(lǐng)域有效性的同時將高性能材料的成本降至最低。