在當(dāng)今社會(huì)中，制造商總是在尋找那些更低能耗和更高效率的設(shè)備。來(lái)自IMS研究所的Barry Young對(duì)此做了統(tǒng)計(jì)，預(yù)計(jì)2010年全球發(fā)光二極管（LED）的需求將增長(zhǎng)61%，手機(jī)市場(chǎng)是很大的觸發(fā)因素。大面積的背光LED電視市場(chǎng)正在迅速擴(kuò)大，LED也被廣泛應(yīng)用于投影儀、手電筒、汽車(chē)尾燈和頭燈、普通照明等市場(chǎng)。固態(tài)白光源可以通過(guò)混合紅光、綠光、藍(lán)光LED來(lái)實(shí)現(xiàn)，或者通過(guò)使用磷光材料將單色藍(lán)光或紫外LED轉(zhuǎn)換成寬光譜的白光。

 　　隨著LED產(chǎn)量的增加，LED制造商正在尋找可以?xún)?yōu)化劃片寬度、劃片速度與加工產(chǎn)量的新工藝進(jìn)展。新型LED激光剝離（LLO）和激光晶圓劃片設(shè)備給LED制造商提供了高性?xún)r(jià)比的工業(yè)工具，可以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

高亮度垂直結(jié)構(gòu)LED

　　通常情況下，藍(lán)光/綠光LED是由幾微米厚的氮化鎵（GaN）薄膜在藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)形成的。 一些LED的制造成本主要取決于藍(lán)寶石襯底本身的成本和劃片—裂片加工成本。對(duì)于傳統(tǒng)的LED倒裝橫向結(jié)構(gòu)，藍(lán)寶石是不會(huì)被剝離的，因此，陰極和陽(yáng)極都在同一側(cè)的氮化鎵外延層（epi）（圖1）。 

圖1. 傳統(tǒng)的橫向結(jié)構(gòu)的藍(lán)光LED。 MQW =多量子阱。

　　這種橫向結(jié)構(gòu)對(duì)于高亮度LED有幾個(gè)缺點(diǎn)：材料內(nèi)電流密度大、電流擁擠、可靠性較差、壽命較短；此外，通過(guò)藍(lán)寶石的光損很大。

　　設(shè)計(jì)人員通過(guò)激光剝離（LLO）工藝可以實(shí)現(xiàn)垂直結(jié)構(gòu)的LED，它克服了傳統(tǒng)的橫向結(jié)構(gòu)的各種缺陷。垂直結(jié)構(gòu)LED可以提供更大的電流，消除電流擁擠問(wèn)題以及器件內(nèi)的瓶頸問(wèn)題，顯著提高LED的最大輸出光功率與最大效率（圖2）。

圖2.垂直結(jié)構(gòu)的藍(lán)光LED