太陽能行業(yè)在2008年后產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充，推動(dòng)電池生產(chǎn)商產(chǎn)能需要不斷提升，而激光技術(shù)在太陽能產(chǎn)業(yè)中起著越來越重要的角色。激光技術(shù)在太陽能產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用主要包括激光鉆孔、刻槽、劃片、薄膜太陽能電池激光劃線系統(tǒng)等。

       太陽能資源是世界未來能源開發(fā)主要方向之一。提高太陽能電池和面板的效率幾乎是全球每位太陽能廠商最急于實(shí)現(xiàn)的愿望。大多數(shù)已提出的技術(shù)藍(lán)圖清晰指出，5年后晶體硅（c-Si）太陽能電池的效率將增長(zhǎng)3-5%，平均值將達(dá)到16-20%。對(duì)于薄膜太陽能面板，總體效率較低，但也有望獲得相應(yīng)提高。比如，從單結(jié)非晶硅（a-Si）結(jié)構(gòu)向串聯(lián)結(jié)a-Si/mc-Si（微非晶）結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化，通過提高光譜吸收率可將電池效率約提升4%，面板總體效率將提升至10% 。然而，激光技術(shù)將在新型上表面和背面加工階段起重要作用。

       一般，太陽能制造可以被劃分為兩個(gè)不同的價(jià)值鏈——晶體硅和薄膜面板。晶體硅的設(shè)備價(jià)值鏈被限定為晶圓、電池和模塊中游階段，而薄膜面板制造的設(shè)備價(jià)值鏈包括沉積和圖式行成以及模塊封裝。激光設(shè)備的應(yīng)用恰好滿足這種劃分。

       對(duì)于新型的背接觸型硅電池和薄膜圖案形成，激光打孔和劃線是被大多數(shù)同行認(rèn)可的技術(shù)手段。脈沖光纖激光器輸出峰值功率高達(dá)數(shù)百千瓦。在激光背面打孔作被接觸的單晶硅及多晶硅電池，效率可超過20％。當(dāng)脈沖光纖激光器平均輸出功率達(dá)80W，重復(fù)頻率80kHz，脈沖寬度700ns時(shí)可達(dá)到理想效果。

       現(xiàn)在很多工廠依舊在激光刻邊中實(shí)用濕法蝕刻替代激光劃片。但是，從綠色生產(chǎn)角度出發(fā)，激光劃片速度快，排污少，沒有化學(xué)廢棄物后續(xù)處理問題，這些優(yōu)勢(shì)使得激光應(yīng)用在薄膜圖案形成占據(jù)越來越大的優(yōu)勢(shì)。