大尺寸解決方案

頂層封裝體采用0.5 mm焊球節(jié)距，其尺寸逐漸超過12 × 12 mm，而且頂層焊球節(jié)距正逐步縮小到0.4 mm（圖3），在這樣的趨勢下，模塑型底層PoP逐漸得以應用。模塑型底層PoP也可以實現(xiàn)芯片疊層，包括將引線鍵合器件疊層在倒裝芯片上等情況。模塑型底層PoP以陣列的形式進行模塑處理，并類似傳統(tǒng)小節(jié)距球柵陣列（FBGA）封裝被切割分離，對應EMC能夠擴展到封裝邊緣，有助于控制封裝的翹曲變形程度。

圖3. 存在多種窄互連節(jié)距PoP解決方案，包括裸片型倒裝芯片方案、采用機械切割的模塑方案以及采用激光打孔的模塑方案。

一個顯而易見的問題是如何暴露出頂層邊緣的焊盤，這樣才能通過焊球與頂層封裝的互連。目前開發(fā)了兩種方法實現(xiàn)這一目標，分別是機械切割和激光燒蝕。使用機械切割的方式，去除模塑之前，底層封裝上表面邊緣焊球上覆蓋的EMC材料。這樣封裝邊緣的EMC厚度會被降低，達到使焊球暴露以滿足頂層封裝回流的要求。必須嚴格控制邊緣位置處EMC材料的高度或厚度，因為這會影響焊球的暴露直徑、暴露焊料量以及回流后與頂層封裝的焊料融合質(zhì)量。這種類型的底層PoP已經(jīng)被開發(fā)出來，但還沒有廣泛應用于生產(chǎn)。

使用激光燒蝕暴露封裝上表面邊緣焊球方法，在底層PoP中正獲得越來越多的關(guān)注。激光燒蝕或激光鉆孔已經(jīng)在封裝襯底制造中獲得了廣泛應用，而目前這一技術(shù)又被用于在底層封裝上制作#p#分頁標題#e#EMC通孔。

同樣地，控制通孔制作對SMT過程中可以無缺陷地從頂至底完成PoP回流至關(guān)重要。通孔與焊球的對準精度、模塑帽上部的外孔直徑（OHD）和暴露焊球的內(nèi)孔直徑都必須進行優(yōu)化并嚴格控制。目前已經(jīng)在0.5 mm封裝間焊球節(jié)距和很多大尺寸（樣品尺寸）SMT試驗中顯示了所需加工能力，正在進行板級可靠性研究來探索可接受的DPM水平。對于這種激光通孔型底層封裝，0.4 mm的封裝焊球節(jié)距正在開發(fā)中。

對于0.4 mm的封裝互連焊球節(jié)距，翹曲變形必須控制在0.05 mm以下。激光通孔模塑技術(shù)與低CTE襯底配合的方案已在開發(fā)階段?？梢钥紤]使用裸片倒裝芯片底層PoP，但為了適應0.4 mm封裝接口節(jié)距所需的更小封裝間距，倒裝芯片器件將會需要被減薄到約0.06 mm，這樣對應的組裝高度約為0.13 mm。對于這么薄的裸片倒裝芯片器件，如何操作和測試都將是棘手的問題。然而，裸片倒裝芯片PoP對應著最低的組裝成本。0.4 mm PoP接口節(jié)距的關(guān)注熱點在于選擇激光通孔的類型。一般認為，通過開發(fā)和使用倒裝芯片模塑底部填充（MUF）以及其他低成本倒裝芯片方法，可以降低這種封裝的總體成本。

未來的PoP

對于小而薄PoP解決方案的需求將會繼續(xù)，預計#p#分頁標題#e#PoP將會在目前市場份額的基礎(chǔ)上在其他低成本手機和其他消費設(shè)備中得以應用。為滿足這些需求，正在開發(fā)使用更小PoP互連節(jié)距的更薄PoP解決方案（圖4）。使用與硅器件本身性質(zhì)更加匹配的材料以降低翹曲變形，這種更薄的高密度襯底技術(shù)也在評估過程中。甚至使用包含穿透硅通孔（TSV）的硅基襯底方案以實現(xiàn)超薄PoP疊層也在考慮范圍內(nèi)。TSV可以實現(xiàn)高密度薄型存儲器疊層，在不遠的將會有可能會在頂層PoP存儲器疊層中得以使用。目前已經(jīng)開發(fā)出扇入型PoP技術(shù)，實現(xiàn)高密度小節(jié)距封裝間互連（已經(jīng)可以實現(xiàn)0.4 mm的頂層封裝節(jié)距）。

圖4. 未來的PoP解決方案將會實現(xiàn)更高互連密度、更薄體積的疊層。

下一代三維扇出型圓片級封裝（FOWLP）技術(shù)，也就是被廣泛稱作嵌入性圓片級BGA（eELB）的封裝技術(shù)，可以實現(xiàn)超薄PoP模塊，正受到越來越多的關(guān)注。這種eWLB封裝，在封裝的雙面使用再布線層，并使用通孔穿透封裝邊緣處塑料扇出區(qū)域，可以實現(xiàn)約0.25 mm的封裝體厚度，在封裝體內(nèi)可以并排放置多個芯片，而且可以實現(xiàn)節(jié)距小于0.4 mm的高密度封裝接口，從而可以允許小于0.15 mm的封裝間隙。使用這種技術(shù)，可以實現(xiàn)高度低于1.0 mm、尺寸小于#p#分頁標題#e#12 × 12 mm的封裝體積。