宜普電源轉(zhuǎn)換公司發(fā)布第九階段可靠性測(cè)試報(bào)告，記錄受測(cè)器件在累計(jì)超過(guò)900萬(wàn)個(gè)器件-小時(shí)的應(yīng)力測(cè)試后,沒(méi)有發(fā)生故障。該報(bào)告聚焦電路板熱機(jī)械可靠性，首次描述焊點(diǎn)的完整性的預(yù)測(cè)模型，以及與可比的封裝器件相比，展示出采用晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝（WLCSP）的氮化鎵晶體管具備卓越的可靠性。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司的第九階段可靠性測(cè)試報(bào)告表明所有受測(cè)的器件都通過(guò)了嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臒釞C(jī)械可靠性測(cè)試。我們過(guò)去已發(fā)布了八份關(guān)于產(chǎn)品可靠性的測(cè)試報(bào)告，第九階段可靠性測(cè)試報(bào)告進(jìn)一步累積與氮化鎵技術(shù)相關(guān)的知識(shí)，以及實(shí)現(xiàn)我們的承諾，與工程師分享對(duì)氮化鎵技術(shù)的學(xué)習(xí)研究。

宜普公司首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)始人Alex Lidow博士說(shuō)：「要展示全新技術(shù)的可靠性是一個(gè)重大的挑戰(zhàn)。我們非常重視所有產(chǎn)品的可靠性。第九階段可靠性測(cè)試報(bào)告闡述我們采用晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝的氮化鎵產(chǎn)品無(wú)論在可靠性、成本及性能方面都比硅基元件優(yōu)越，是替代硅技術(shù)的首選半導(dǎo)體技術(shù)。丟棄封裝的時(shí)候終于來(lái)臨了?！?/p>

EPC公司的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）及集成電路采用晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝（WLCSP），可以提高性能、降低成本及把元件的占板面積減至最小而同時(shí)提高可靠性。WLCSP具備優(yōu)越的散熱性能，于終端應(yīng)用中焊接器件到PCB時(shí)，這是非常重要的。 第九階段可靠性測(cè)試報(bào)告主要闡述電路板熱機(jī)械可靠性。

所選的受測(cè)器件采用不同的封裝尺寸及焊接工位的布局和配置，并且使用預(yù)測(cè)焊點(diǎn)的完整性的模型。客戶(hù)可以利用本報(bào)告所述的熱機(jī)械應(yīng)力模型來(lái)預(yù)測(cè)器件于各種特定最終應(yīng)用中的可靠性。在與最終應(yīng)用相關(guān)的任意壓力條件下，客戶(hù)可利用焊點(diǎn)應(yīng)變之間的相關(guān)性和器件的熱疲勞壽命，利用模型來(lái)預(yù)測(cè)熱循環(huán)引致的器件故障。

從這九份可靠性報(bào)告所累計(jì)的資料可以看到，eGaN FET及集成電路是非?？煽康钠骷约霸谀壳暗慕K端產(chǎn)品的合理壽命內(nèi)，eGaN FET及集成電路的失效概率是非常低的。與硅器件相比，報(bào)告描述了氮化鎵技術(shù)具備卓越的性能、成本及可靠性，丟棄采用較低可靠性封裝的硅器件、轉(zhuǎn)用芯片級(jí)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的時(shí)候終于來(lái)臨了。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司簡(jiǎn)介

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其目標(biāo)應(yīng)用包括 直流-直流轉(zhuǎn)換器、無(wú)線(xiàn)電源傳送、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達(dá)（LiDAR）及D類(lèi)音頻放大器等應(yīng)用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶(hù)提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)我們的網(wǎng)站，網(wǎng)址為www.epc-co.com.cn 。

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