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激光電源

晶閘管在高壓軟起動(dòng)中的選型及應(yīng)用(一)

星之球激光 來源:工控網(wǎng)2012-12-31 我要評(píng)論(0 )   

1 引言 隨著 電力電子 技術(shù)的飛速發(fā)展,晶閘管軟起動(dòng)裝置應(yīng)運(yùn)而生。三相異步電動(dòng)機(jī)的起停技術(shù)發(fā)生了劃時(shí)代的變化。晶閘管軟起動(dòng)產(chǎn)品問世不過30年左右的時(shí)間,而其主要性...

1 引言

  隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,晶閘管軟起動(dòng)裝置應(yīng)運(yùn)而生。三相異步電動(dòng)機(jī)的起停技術(shù)發(fā)生了劃時(shí)代的變化。晶閘管軟起動(dòng)產(chǎn)品問世不過30年左右的時(shí)間,而其主要性能卻大大優(yōu)于磁控軟起動(dòng)、液阻軟起動(dòng)等傳統(tǒng)軟起動(dòng)方式。它的體積小,結(jié)構(gòu)緊湊,幾乎免維護(hù),功能齊全,起動(dòng)重復(fù)性好,保護(hù)周全,目前已成為軟起動(dòng)領(lǐng)域中的佼佼者。

2 晶閘管簡(jiǎn)介

  晶閘管(thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅;1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上第一個(gè)晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化;晶閘管是pnpn四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽極,陰極和門極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流。其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,在電路中用文字符號(hào)為“v”、“vt”表示(舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“scr”表示)。

  晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。

3 晶閘管參數(shù)說明

  為了正確地選擇和使用晶閘管,對(duì)其主要參數(shù)應(yīng)有所了解才能正確地選型。晶閘管的主要參數(shù)有:

  (1)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓udrm

  是指晶閘管在正向阻斷時(shí),允許加在a、k,如圖1所示,a是晶閘管的陽極,k是晶閘管的陰極,g是晶閘管的門極。極間最大的峰值電壓。此電壓約為不重復(fù)峰值電壓udsm的90%。

  (2)反向重復(fù)峰值電壓urrm

  在控制極斷路時(shí),允許重復(fù)加在晶閘管上的反向峰值電壓,稱為反向阻斷峰值電壓。此電壓約為不重復(fù)峰值電壓ursm的90%。

  udrm和urrm在數(shù)值上一般相近,統(tǒng)稱為晶閘管的阻斷峰值電壓。通常把其中較小的那個(gè)數(shù)值作為該型號(hào)器件上的額定電壓值。

  由于瞬時(shí)過電壓也會(huì)使晶閘管損壞,因此晶閘管的額定電壓應(yīng)選為正常工作峰值電壓的2~3倍,以確保安全。

   (3)額定正向平均電流if#p#分頁標(biāo)題#e#

  在規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)散熱條件和環(huán)境溫度(40℃)下,晶閘管的陽極和陰極間允許連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值,稱為額定正向平均電流。

  由于晶閘管的過載能力小,選用晶閘管的額定正向平均電流時(shí),至少應(yīng)大于正常工作平均電流的1.5~2倍,以留有一定的余地。

 ?。?)維持電流ih

  在室溫下,控制極開路時(shí),維持晶閘管繼續(xù)導(dǎo)通所必須的最小電流,稱為維持電流。當(dāng)正向電流小于ih值時(shí),晶閘管就自行關(guān)斷。ih值一般為幾十至一百多毫安。

  (5)控制極觸發(fā)電壓vg、觸發(fā)電流ig

  在室溫下,陽極加正向電壓為直流6v時(shí),使晶閘管由阻斷變?yōu)閷?dǎo)通所需要的最小控制極電壓和電流,稱為控制極觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流。vg一般為3.5~5v,ig約為幾十至幾百毫安。實(shí)際應(yīng)用時(shí),加到控制極的觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流應(yīng)比額定值稍微大點(diǎn),以保證可靠觸發(fā)。

 ?。?)電壓上升率dv/dt

  晶閘管阻斷時(shí)其陰陽極之間相當(dāng)于一個(gè)結(jié)電容當(dāng)突加陽極電壓時(shí)會(huì)產(chǎn)生充電電容電流,此電流可能導(dǎo)致晶閘管誤導(dǎo)通,因此對(duì)管子的最大正向電壓上升率必須加以限制,一般采用阻容吸收元件并聯(lián)在晶閘管兩端的辦法加以限制。

 ?。?)電流上升率di/dt

  晶閘管開通時(shí)電流是從靠近門極區(qū)的陰極開始導(dǎo)通然后逐漸擴(kuò)展到整個(gè)陰極區(qū)直至全部導(dǎo)通,這個(gè)過程需要一定的時(shí)間,如陽極電流上升太快,使電流來不及擴(kuò)展到整個(gè)管子的pn結(jié)面,造成門極附近的陰極因電流密度過大,發(fā)熱過于集中pn結(jié),結(jié)溫會(huì)很快超過額定結(jié)溫而燒毀晶閘管,故必須限定晶閘管的電流上升臨界值di/dt,一般在橋臂中串入電感或鐵淦氧磁環(huán)。

 

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