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晶閘管在高壓軟起動中的選型及應(yīng)用(二)

星之球激光 來源:21ic2012-03-09 我要評論(0 )   

5 晶閘管在高壓軟起動中的應(yīng)用 隨著國民經(jīng)濟(jì)的高速發(fā)展,高壓電動機(jī)的數(shù)量不斷增加。由于大電機(jī)直接起動時的電流為額定電流的5~7倍,而啟動轉(zhuǎn)矩只有額定轉(zhuǎn)矩的0.4~1.6...

 5 晶閘管在高壓軟起動中的應(yīng)用

  隨著國民經(jīng)濟(jì)的高速發(fā)展,高壓電動機(jī)的數(shù)量不斷增加。由于大電機(jī)直接起動時的電流為額定電流的5~7倍,而啟動轉(zhuǎn)矩只有額定轉(zhuǎn)矩的0.4~1.6倍。它在電網(wǎng)條件(電機(jī)啟動時的電網(wǎng)壓降小于10%)和工藝條件(啟動轉(zhuǎn)矩滿足)允許的情況下,可以直接啟動。但過大的啟動電流、過小的啟動轉(zhuǎn)矩和過長的啟動時間給電機(jī)和電網(wǎng)造成了極大的危害。常導(dǎo)致電網(wǎng)電壓、諧波電壓波動的增大,以至前級跳閘,大大地增加了電網(wǎng)的負(fù)擔(dān)及電網(wǎng)污染,嚴(yán)重影響電網(wǎng)的安全運(yùn)行。同時,也對自身造成了很大傷害。因此,必須在電源和電機(jī)之間串入軟起動器來解決這些問題。

  晶閘管電機(jī)軟起動器的出現(xiàn),很好的解決了以上問題,它彌補(bǔ)了傳統(tǒng)軟起動器的各種不足,很好地降低了電機(jī)的起動電流,降低了配電容量,延長了電機(jī)及相關(guān)設(shè)備的使用壽命。起動參數(shù)可視負(fù)載調(diào)整,易于維護(hù)。

  5.1晶閘管電機(jī)軟起動器工作原理

  晶閘管在高壓電機(jī)軟起動器中的應(yīng)用是一種利用晶閘管進(jìn)行交流調(diào)壓的應(yīng)用。利用晶閘管可以相控改變晶閘管導(dǎo)通的相位角來調(diào)節(jié)電壓。

  晶閘管移相式軟起動器是改變正弦交流電壓的波形,使之變?yōu)榉钦颐}沖式交流電,通過調(diào)節(jié)其占空比,如圖2所示。

  注釋:

 ?。?)α:控制角。指觸發(fā)脈沖的加入時間。

 ?。?)q:導(dǎo)通角。每半個周期晶閘管導(dǎo)通角度??刂平窃酱?,導(dǎo)通角越小,它們的和為定值α+q=p。它改變交流電的平均電壓,其平均電壓是可控的、平滑變化的。

  5.2 晶閘管的選型

  晶閘管是電機(jī)軟起動器中最關(guān)鍵的功率器件,整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇晶閘管額定電流、額定電壓等參數(shù)有很大的關(guān)系。選型的原則應(yīng)該首先考慮工作可靠性,即電流、電壓必須有足夠的余量倍數(shù)。其次應(yīng)考慮經(jīng)濟(jì)性即性價比,最后應(yīng)考慮安裝美觀、體積盡量減小等。

  對于6kv、10kv的高壓電機(jī),由于電壓高,所以需要將晶閘管反并聯(lián)后再串聯(lián)起來。6kv每相需要6只晶閘管(2只反并聯(lián)后,3組串聯(lián)),10kv每相需要10只晶閘管(2只反并聯(lián)后,5組串聯(lián))。這樣對于每只晶閘管來說所承受的電壓約為2000v,所以所選擇的晶閘管的正反向不重復(fù)額定電壓vdsm、vrsm應(yīng)為6500v以上。

  對晶閘管額定電流的選擇,必須考慮電機(jī)的額定工作電流。一般來說,晶閘管的電流應(yīng)是電機(jī)額定電流的3~4倍。

  在晶閘管高壓電機(jī)軟起動裝置中,采用2個獨(dú)立晶閘管器件反并聯(lián)組成的交流相控調(diào)壓,正負(fù)半周各對應(yīng)1個晶閘管工作,因此對2個反并聯(lián)器件參數(shù)的一致性要求較高。包括晶閘管觸發(fā)參數(shù),維持電流參數(shù)等也都盡量要求挑選一致。盡量讓正負(fù)半波對稱,否則會有直流成分電流流過電機(jī)。由于電機(jī)為繞組負(fù)載為電感性的,因此過高的直流份量會使得電機(jī)定子發(fā)熱嚴(yán)重,甚至?xí)龤щ姍C(jī)繞組,從而使電機(jī)報廢。

6 晶閘管保護(hù)

  晶閘管承受過電壓、過電流的能力很差,這是它的主要缺點(diǎn)。晶閘管的熱容量很小,一旦發(fā)生過電流時,溫度急劇上升,可能將pn結(jié)燒壞,造成元件內(nèi)部短路或開路。例如一只100a的晶閘管過電流為400a時,僅允許持續(xù)0.02s,否則將因過熱而損壞;晶閘管耐受過電壓的能力極差,電壓超過其反向擊穿電壓時,即使時間極短,也容易損壞。若正向電壓超過轉(zhuǎn)折電壓時,則晶閘管誤導(dǎo)通,導(dǎo)通后的電流較大,使器件受損。#p#分頁標(biāo)題#e#

  6.1 晶閘管的過壓保護(hù)

  在晶閘管兩端并聯(lián)r-c阻容吸收回路,如圖3所示,利用電容吸收過壓。其實(shí)質(zhì)就是將造成過電壓的能量變成電場能量儲存到電容中,然后釋放到電阻中消耗掉。

  晶閘管從導(dǎo)通到阻斷時,和開關(guān)電路一樣,因線路電感(主要是變壓器漏感l(wèi)b)釋放能量會產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,所以元件在關(guān)斷過程中,正向電壓下降到零時,內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感l(wèi)很小,電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢l(di/dt)值仍很大,這個電勢與電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,稱為關(guān)斷過電壓,其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取抑制措施。

  阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能抑制晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。

  阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。最好采用無感電阻,以取得較好的保護(hù)效果。

 

  6.2 晶閘管的過流保護(hù)

  由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小,特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時,熱量來不及散發(fā),使得結(jié)溫迅速升高,最終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。

  產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的,例如,變流裝置本身晶閘管損壞,觸發(fā)電路發(fā)生故障,控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,以及交流電源電壓過高、過低或缺相,負(fù)載過載或短路,相鄰設(shè)備故障影響等。

  晶閘管過電流保護(hù)方法最常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動作太慢,在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞;所以不能用來保護(hù)晶閘管??焖偃蹟嗥饔摄y制熔絲埋于石英沙內(nèi),熔斷時間極短,可以用來保護(hù)晶閘管。

  與普通熔斷器比較,快速熔斷器是專門用來保護(hù)半導(dǎo)體功率器件過電流的。它具有快速熔斷的特性,在流過6倍額定電流時其熔斷時間小于50hz交流電的一個周期(20ms)。一般說來快速熔斷器額定電流有效值應(yīng)小于被保護(hù)晶閘管的額定有效值,同時要大于流過晶閘管的實(shí)際有效值。

  6.3 晶閘管的過熱保護(hù)

  晶閘管在電流通過時,會產(chǎn)生一定的壓降,而壓降的存在則會產(chǎn)生一定的功耗,電流越大則功耗越大,產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉,會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時,一定要安裝散熱器。

  散熱條件的好壞,是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀,而且能夠提高模塊的電流輸出能力。

7 結(jié)束語

  晶閘管在高壓軟起動中的應(yīng)用,為軟起動帶來了革命性的變化,它將在軟起動的發(fā)展史上留下濃重的一筆。#p#分頁標(biāo)題#e#

 

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