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　　引言

　　傳統(tǒng)硅晶片的切割方法主要是金剛石鋸，偶爾也使用劃線折斷工藝，這種方法只能切割直線，并且邊緣具有較嚴(yán)重的裂痕，或者使用倍頻的鐵合金激光器，這種方法和微噴工藝，一樣都操作昂貴，速度緩慢。最近SPI開發(fā)了一種光纖激光器切割工藝，該工藝能在較快的切割速度下，仍然具有極好的切割質(zhì)量。

圖1 太陽能電池板

　　結(jié)果

　　使用200W連續(xù)光纖激光器對(duì)200μm（0.008”）厚度的多晶硅進(jìn)行切割時(shí)，切割速度可達(dá)10m/min，并且可得到高度平滑的切割邊緣，沒有任何裂縫的痕跡。可以做到和側(cè)面平行、無任何邊緣碎裂痕跡的40微米的切口寬度。甚至在1.2mm厚度（0.005”）,切割速度也可超過1m/min。這個(gè)比現(xiàn)存的所有其他硅切割技術(shù)都要快。

　　下表展現(xiàn)了光纖激光器切割硅的能力。

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光纖激光器在硅材料加工中的應(yīng)用（上）