半導體激光器專家德國DILAS 正式發(fā)布可用基于技術領先的TBAR迷你陣列的高亮度光纖耦合模塊 。這種光纖耦合模塊模塊通過光纖芯徑200μm(包層220um)，數(shù)值孔徑0.22 的光纖能輸出功率達到135W，波長為976nm。
    這種特制的迷你陣列結構是由DILAS 創(chuàng)新研發(fā)出為實現(xiàn)最高效光纖耦合效率的高亮度輸出而特別設計的一款超高效率半導體芯片封裝而成。該迷你陣列結構所產(chǎn)生的光學參數(shù)能通過200μm 的光纖以及簡單、高性價比的光學元件來實現(xiàn)。 T-BAR 芯片由多個單管組成，在每個單獨的生產(chǎn)步驟的處理中，相對于多個單管擁有更簡便，成本更低的集成優(yōu)勢。
    根據(jù)可拓展概念，DILAS 將于不久正式推出更多的模塊，如976nm 波長，200W 功率，200μm 光纖模塊。
    這些光纖耦合多陣列模塊除了非常適合直接的半導體激光器工業(yè)加工應用外，同時也是作為光纖激光器或固體激光器泵浦源的理想選擇。