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半導體激光器

nNIGHT高功率光纖耦合半導體激光器

星之球激光 來源:nNIGHT2011-08-04 我要評論(0 )   

nLIGHT的Pearl 高功率光纖耦合半導體激光器模塊,80x 或 88x nm 用于泵浦釹 (Nd) 基材料,78x 到 79x nm 用于泵浦銩 (Tm) 和鈥 (Ho) 基材料,938 nm用于泵浦盤式激光器...

       nLIGHT的Pearl高功率光纖耦合半導體激光器模塊,80x 或 88x nm 用于泵浦釹 (Nd) 基材料,78x 到 79x nm 用于泵浦銩 (Tm) 和鈥 (Ho) 基材料,938 nm用于泵浦盤式激光器,其它波長從639 nm到2050 nm可定制。

       它們還擁有理想的低數(shù)值孔徑 (NA) 的輸出光,是端泵晶體棒以實現(xiàn)卓越TEM00模性能的理想選擇,還有600 μm芯徑光纖或平行光輸出配置可選。

  • 光纖可插拔 
  • 即插即用 
  • nXLT™二極管保護

  • 結構緊湊
  • 可靠性高 
  • 工作電流低 
  • 效率高

  • 牙醫(yī) 
  • 皮膚醫(yī)療 
  • 泵浦盤式激光器 
  • 泵浦固體激光器 
  • 娛樂 
  • 照明 
  • 材料加工
  • 投影顯示

產品參數(shù)指標 機械圖紙

   P4-100-0808-3 P4-100-0880-3 P4-100-0980-3
光學性能
中心波長 nm 808 880 980
中心波長偏差 nm ± 3 ± 3 ± 3
連續(xù)輸出功率 W 100 100 100
光纖芯徑 μm 400 或 600 400 或 600 400 或 600
光束發(fā)散角 NA1 < 0.22 < 0.22 < 0.22
光譜寬度 (FWHM) nm < 3 < 3.5 < 3.5
斜率效率 W / A 17.9 15.8 15.3
電學性能
總轉換效率 % 50 51 54
閾值電流 A 1.0 1.0 0.7
工作電流 A 6.6 7.2 7.2
工作電壓 V 30.6 27.2 25.3
串聯(lián)電阻 Ω 0.6 0.6 0.6
機械性能
存儲溫度#p#分頁標題#e#2 °C -30 - +60 -30 - +60 -30 - +60
重量 gr 待定 待定 待定
熱學性能
熱阻3 °C / W 0.2 0.2 0.2
工作溫度 °C +15 - +35 +15 - +35 +15 - +35
波長溫度系數(shù)4 nm / °C 0.28 0.28 0.28
1 數(shù)值孔徑 (NA) 指包圍90%光纖輸出功率角的半角的正弦值。
2 存儲和工作時需要低于結露點的非冷凝環(huán)境。
3 熱阻是每增加1 W功率時二極管結處溫度的漂移。
4 波長溫度系數(shù)指二極管結處溫度每變化一度時波長的漂移。

 

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