6月24日，全國科技大會、國家科學技術(shù)獎勵大會、兩院院士大會在京召開，2023年度國家科學技術(shù)獎揭曉，共評選出250個項目。其中，大族激光聯(lián)合廣東工業(yè)大學等完成的“面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備”榮獲國家科技進步獎二等獎。

“面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備”項目由廣東省提名，是大族激光與廣東工業(yè)大學、廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司、安捷利美維電子（廈門）有限責任公司等單位長期合作取得的研究成果。

· 關(guān)于項目

后摩爾時代，以芯片高密度互連為特征的先進封裝技術(shù)延續(xù)摩爾定律，并成為行業(yè)技術(shù)進步與競爭的新賽道。面向高性能芯片的高密度互連封裝制造技術(shù)成為行業(yè)國際技術(shù)競爭焦點。

電子制造產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展事關(guān)國家經(jīng)濟安全與國防安全。大族激光與廣東工業(yè)大學陳新教授團隊等長期深入產(chǎn)學研合作，突破半導體激光精細加工技術(shù)與裝備多項關(guān)鍵技術(shù)，形成行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢，成果獲得國內(nèi)國際一流龍頭企業(yè)的嚴格認證與批量采購。

該項目有力推動高性能芯片高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備的自主可控，服務企業(yè)千余家，為我國電子制造產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展做出了突出貢獻。

此前，“面向高性能芯片的高密度互連封裝制造關(guān)鍵技術(shù)及裝備”項目暨“電子器件高密度封裝的微細陣列制造關(guān)鍵技術(shù)與裝備”項目入選2023年度廣東省科學技術(shù)獎技術(shù)發(fā)明獎一等獎公示名單。

科技獎勵是我國長期堅持的激勵科技創(chuàng)新的重要基礎(chǔ)制度，是我們黨“尊重勞動、尊重知識、尊重人才、尊重創(chuàng)造”方針的具體體現(xiàn)。2023年度國家科學技術(shù)獎共評選出國家最高科學技術(shù)獎2人，國家自然科學獎49項，國家技術(shù)發(fā)明獎62項，國家科學技術(shù)進步獎139項，中華人民共和國國際科學技術(shù)合作獎10人。

公司在集成電路領(lǐng)域提供全制程一體化解決方案，致力推動中國“芯”征程。大族激光旗下全資子公司深圳市大族半導體裝備科技有限公司憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新及綜合實力，曾摘得2022年度“廣東省科技進步獎”一等獎及“深圳市科技進步獎”二等獎。近年來，大族半導體不斷探索新型科研形式，先后推出涂膠顯影、清洗、濕法刻蝕、剝離去膠等設(shè)備；突破封鎖，推出大族激光首臺FilmCut （OLED EAC制程設(shè)備）及國內(nèi)首臺高真空激光設(shè)備Laser Driling（OLED蒸鍍段制程設(shè)備）等。

國家科學技術(shù)進步獎是國務院設(shè)立的國家科學技術(shù)獎5大獎項之一。此次獲獎是對公司技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)學研技術(shù)成果落地、高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化，以及校企合作多元化、深入化等的高度認可，大族激光將繼續(xù)積極打造產(chǎn)業(yè)鏈、創(chuàng)新鏈、人才鏈等相互融合的創(chuàng)新生態(tài)，激發(fā)產(chǎn)業(yè)活力和發(fā)展動能，全力打造在全省、全國具有影響力的創(chuàng)新高地。