隨著“中國制造2025”的持續(xù)推動，以及國外對中國的技術限制，中國半導體發(fā)展面臨著前所未有的機遇與挑戰(zhàn)。中國半導體制造對國產技術的發(fā)展有著更高的要求，市場需求推動技術其朝著高效率、高精度、高質量方向發(fā)展。

近日，大族激光旗下全資子公司深圳市大族半導體裝備科技有限公司（簡稱“大族半導體”）憑借豐富的行業(yè)技術開發(fā)和工藝應用經驗，研制出核心部件100%國產化的高端晶圓激光切割設備——大族半導體DA100激光切割系統(tǒng)（以下簡稱“ DA100”），填補了我國在半導體晶圓切割領域的技術空白，成功打破國外壟斷。

大族半導體DA100是基于Ablation工藝原理進行晶圓切割分離的系統(tǒng)，本系列設備是針對多行業(yè)不同特點，優(yōu)化開發(fā)的高兼容性激光表面切割系統(tǒng)，可進行不同軌跡、多個產品的正背面自由切割，達到行業(yè)內最高精度。與此同時，在原有切割材料的基礎上，實現了加工硅，砷化鎵，氮化鎵，藍寶石，磷化銦，陶瓷，金屬等材料的技術突破，是大族半導體在半導體激光加工設備開發(fā)進程中的一個重要里程碑。

大族半導體DA100可滿足各種類型晶圓的切割需求，對晶圓進行表切（切深≤20μm，切寬可定制），半切（切深≤ 100μm，切寬≤20μm），全切（切深≤200μm，切寬≤30μm）三種分離制程，功能可按需配置提供定制化服務，進一步降低客戶的使用成本。該系統(tǒng)有如下突出特點：

1.從源頭及加工過程中良好地抑制粉塵、熱影響、回熔、崩邊等對晶圓品質造成影響的不利因素，極大提升產品的良品率；

2.進一步提升加工能力，相較于傳統(tǒng)切割能力，可應對200μm厚度以內的晶圓產品（不同材質切割效果會存在差異）；

3.可選多達5套光路系統(tǒng)方案，應對不同材料的分離工藝。

經反復驗證，大族半導體DA100在切割效率、精度、穩(wěn)定性等方面，在行業(yè)內已達國內領先甚至國際先進水平，且關鍵性技術已實現較大突破。其核心部件100%國產化為我國半導體產業(yè)的發(fā)展提供了強大的技術支持，實現了國產替代。

深圳市大族半導體裝備科技有限公司主要研究應用于硅、碳化硅、砷化鎵、氮化鎵、陶瓷、藍寶石、玻璃、柔性薄膜和金屬等材料的加工工藝，生產制造和銷售從精細微加工，到視覺檢測等一系列自動化專業(yè)裝備。公司設備廣泛應用于集成電路制造、第三代半導體、LED、面板等制造領域，致力于成為半導體裝備制造領域標桿企業(yè)，為集成電路產業(yè)的發(fā)展和突破不斷努力。目前公司在職員工逾千人，研發(fā)人員占50%左右，匯聚了十多位來自以色列、韓國和中國臺灣地區(qū)的行業(yè)技術專家、AI圖像處理算法專家，保證相關技術在行業(yè)中領先地位。隨著激光應用領域的擴展以及應用深度的加深，市場將對激光技術的應用提出更高要求。大族半導體將持續(xù)以技術創(chuàng)新、工藝創(chuàng)新、產品創(chuàng)新為驅動，提升自身技術開發(fā)實力，助力中國集成電路發(fā)展，成為集成電路裝備制造領域標桿企業(yè)。