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助推半導體激光芯片國產化 瑞波光電攜芯片新品亮相CIOE2023

激光制造網 來源:瑞波光電2023-08-23 我要評論(0 )   

9月6-8日,深圳瑞波光電子有限公司(以下簡稱瑞波光電)將攜最新大功率半導體激光芯片解決方案亮相第24屆中國國際光電博覽會(CIOE2023),誠摯邀請您蒞臨激光技術及智...

9月6-8日,深圳瑞波光電子有限公司(以下簡稱瑞波光電)將攜最新大功率半導體激光芯片解決方案亮相第24屆中國國際光電博覽會(CIOE2023),誠摯邀請您蒞臨激光技術及智能制造展4號館4A062展位參觀、交流及業(yè)務洽談。

第24屆中國國際光電博覽會開展在即,瑞波光電如約而至,將展示最新半導體激光芯片新品——225W 905nm脈沖發(fā)射芯片(EEL),905nm APD,500mW 980nm單模芯片及模組等。



5節(jié)905nm芯片功率225W:商業(yè)芯片里全球功率最高


基于激光雷達市場的蓬勃發(fā)展,瑞波光電為該應用領域開發(fā)了多款低溫漂905nm EEL芯片系列,包括65W/135W/165W單管芯片,以及1*8和1*16陣列芯片,同時在展會上發(fā)布國內首款可商業(yè)化的5節(jié)功率225W芯片@37A, 光功率密度達到47KW/mm2,支持常規(guī)溫漂和低溫漂,所有芯片均支持TO和SF封裝;客戶通過使用瑞波迭代的新款905nm EEL芯片,可以開發(fā)出性能更優(yōu)、成本更低的新一代激光雷達。

瑞波5節(jié)功率225W 905nm EEL芯片PIV曲線(RB-905E-300-225-0.75-SE-G90)


首推雪崩光電二極管器件APD


瑞波光電也將展示雪崩光電二極管器件APD,實現了在探測產品上的零突破,本次發(fā)布的APD型號RB-APD500-905-SMD,有源區(qū)面積500 μm,響應度為56 A/W,擊穿電壓為130-190V,該器件主要用于測距領域,憑借發(fā)射和探測的齊備,可大大提升了客戶的設計彈性和便攜度。

瑞波光電APD增益-反向電壓曲線


首推大功率980nm單模芯片及模塊


目前,用于光通信和激光雷達用的大功率單模980nm激光芯片仍主要依賴進口。多年來,瑞波光電針對單模980nm激光芯片和模塊進行全方位布局研發(fā),目前已攻克了多項核心技術,突破了芯片和模塊研制過程中IDM體系的諸多關鍵技術和工藝,實現了從芯片設計、材料外延、芯片到模塊的國產化制造。本次展會,瑞波將展示500mW級的980nm激光芯片RB-980-4-0.5-4-SE,以及蝶形封裝模組RB-980-400-M。

980nm單模激光芯片RB-980-4-0.5-4-SE PIV曲線


980nm蝶形封裝模組RB-980-400-M  PIV曲線


測試表征設備助力行業(yè)升級


本屆深圳光博會上,瑞波還將展出支持50A以上的大電流老化設備,新一代全自動COS測試機,以及面向紅綠藍激光 TO器件的全自動盤測機等新型測試設備。通過穩(wěn)定的整機性能控制、物料優(yōu)化和選型,為激光廠家提供整體智能化、高性價比的測試解決方案,滿足客戶對更大電流、更快速度測試的迫切需求。

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