1月30日，長(zhǎng)光華芯開工首日，一舉收獲三項(xiàng)國(guó)際發(fā)明專利授權(quán)通知，其中兩項(xiàng)來自美國(guó)專利局，一項(xiàng)來自日本專利局，成為長(zhǎng)光華芯布局海外知識(shí)產(chǎn)權(quán)，打造科技核心競(jìng)爭(zhēng)力的良好開端。長(zhǎng)光華芯硬核開啟全球化新征程。

PCT 是一份擁有超過 155 個(gè)締約國(guó)的國(guó)際條約，是申請(qǐng)國(guó)外專利的主要途徑之一，必須經(jīng)過一系列嚴(yán)格的技術(shù)新穎性、創(chuàng)新性和實(shí)用性審查才能完成授權(quán)，含金量極高。通過世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織PCT體系提交的國(guó)際專利申請(qǐng)量是衡量全球創(chuàng)新活動(dòng)廣泛使用的指標(biāo)之一（長(zhǎng)光華芯申請(qǐng)PCT國(guó)際專利12項(xiàng)，其中3項(xiàng)已獲得美國(guó)和日本授權(quán)）。

01 

一種多有源區(qū)級(jí)聯(lián)的半導(dǎo)體激光器

Multi-Active-Region Cascaded Semiconductor Laser 

在激光雷達(dá)芯片方面，獲美國(guó)專利局授權(quán)的“一種多有源區(qū)級(jí)聯(lián)的半導(dǎo)體激光器”，通過在周期性增益結(jié)構(gòu)中增加更多的有源區(qū)，提高了器件的內(nèi)量子效率，同時(shí)也降低了載流子的密度，從而獲得更多的增益。勢(shì)壘層連接不具有pn結(jié)特性，因此該層不會(huì)提高器件工作的開啟的電壓，同時(shí)外延生長(zhǎng)也較隧道結(jié)更簡(jiǎn)單。該專利為激光雷達(dá)芯片的新型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，打破了國(guó)外激光雷達(dá)芯片結(jié)構(gòu)專利限制?；谠搶＠夹g(shù)，長(zhǎng)光華芯VCSEL陣列最高效率達(dá)到60%，打破了當(dāng)時(shí)最高光電轉(zhuǎn)換效率指標(biāo)紀(jì)錄。

該項(xiàng)專利成果于2021年取得中國(guó)授權(quán)后進(jìn)入美國(guó)申請(qǐng)專利，分別于2021年和2022年在全球光學(xué)盛會(huì)美國(guó)Photonics West世界光子學(xué)會(huì)議上做了報(bào)告。長(zhǎng)光華芯在激光雷達(dá)芯片方面一直堅(jiān)持自主創(chuàng)新的技術(shù)路線，圍繞激光雷達(dá)VCSEL芯片技術(shù)路線進(jìn)行了多項(xiàng)核心專利國(guó)際保護(hù)。

 02

一種高功率半導(dǎo)體芯片及其制備方法

在高功率半導(dǎo)體激光芯片方面，獲日本專利局授權(quán)的“一種高功率半導(dǎo)體芯片及其制備方法”通過在波導(dǎo)內(nèi)設(shè)置側(cè)向光柵層，提高了高階光側(cè)向模式在波導(dǎo)內(nèi)的傳播損耗，達(dá)到了抑制高階光側(cè)向模式激射的目的；通過設(shè)置多組周期不同的光柵，抑制了由于單一光柵增益調(diào)制和折射率調(diào)制引起的強(qiáng)度振蕩光模式的激射，從而達(dá)到抑制側(cè)向光強(qiáng)度周期振蕩的作用，消除遠(yuǎn)場(chǎng)雙峰，降低激光器的側(cè)向發(fā)散角，且不對(duì)低階模產(chǎn)生影響，提高了芯片亮度。基于該專利技術(shù)，長(zhǎng)光華芯芯片亮度達(dá)到100 MW/cm²sr，處于國(guó)際領(lǐng)先水平。

 03

一種布拉格光柵外腔激光器模塊合束裝置及合束方法

Beam Combining Device and Beam Combining Method for Bragg Grating External-Cavity Laser

在光纖耦合模塊方面，獲美國(guó)專利局授權(quán)的“一種布拉格光柵外腔激光器模塊合束裝置及合束方法”，通過檢測(cè)和判斷形成閉環(huán)反饋，有效解決在外腔光柵光譜合束中因不同發(fā)光模塊光束指向性不同，鎖定波長(zhǎng)存在偏差造成的功率損失和合束輸出光光束質(zhì)量下降的問題，合束裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，判斷檢測(cè)快速，調(diào)整方便。