1. 投資觀點

　　2025 年前鈣鈦礦電池將以疊層形式和晶硅電池共存，2025 年后單結(jié)組 件將開始滲透。鈣鈦礦電池的理論效率達 31%，分別較 PERC 單晶 /HJT/TOPCon 電池高 6.5/3.5/2.3pct，疊層后理論效率將提升至 45%。鈣 鈦礦產(chǎn)線設(shè)備投資較晶硅電池低 44%-50%；組件制造成本約為 1 元/W， 量產(chǎn)后有望降至 0.3-0.4 元/W，而 PERC/TOPCon/HJT 電池組件分別為 2/2.05/2.2 元/W。雖然鈣鈦礦電池具有高效率和低成本優(yōu)勢，但是目前 僅完成了 3 年可靠性驗證，我們認(rèn)為在 2025 年之前鈣鈦礦電池將是晶 硅電池的補充，以疊層形式提升組件的整體效率表現(xiàn)，在 2025 年完成 長周期驗證后，非疊層的單結(jié)鈣鈦礦組件有望快速提升滲透率。 鈣鈦礦加速滲透將帶來新激光設(shè)備需求。鈣鈦礦電池生產(chǎn)過程中需要對 各功能層進行刻蝕以形成子電池結(jié)構(gòu)，激光設(shè)備具有組件效率影響更小、 生產(chǎn)效率高等優(yōu)勢。鈣鈦礦電池的加工精度要求為 0.3-0.5 微米，原有激 光設(shè)備無法滿足要求，鈣鈦礦電池開啟滲透后將帶來新激光設(shè)備需求。

　　哪些激光設(shè)備供應(yīng)商將受益于鈣鈦礦投資機會？ 目前能夠提供整線激光設(shè)備的廠商具有先發(fā)優(yōu)勢并有望保持高市占率。 帝爾激光率先推出了 PERC 激光摻雜設(shè)備，市占率超過 90%。目前鈣鈦 礦存在不同的技術(shù)路線，參考 PERC 激光摻雜設(shè)備發(fā)展歷程，我們認(rèn)為 率先實現(xiàn)出貨的廠商能夠與客戶形成較強的合作關(guān)系并保持高市占率。 整線激光設(shè)備的毛利率高于激光器，自產(chǎn)激光器將改善激光設(shè)備毛利率。 激光設(shè)備技術(shù)難度高，毛利率高于激光器，以德龍激光為例，其激光器 產(chǎn)品毛利率約為 35%-45%，激光設(shè)備產(chǎn)品毛利率約為 40%-50%。激光 器作為核心元器件，在激光設(shè)備價值量中占比約為 40%-60%，廠商能夠 通過自產(chǎn)激光器以降低成本，提升設(shè)備毛利率。

2. 鈣鈦礦電池將憑借高效低本優(yōu)勢快速滲透

　　現(xiàn)階段多種光伏電池技術(shù)同步推進，其中鈣鈦礦電池效率領(lǐng)先。目前光 伏電池技術(shù)可以分為硅晶電池、化合物薄膜電池、鈣鈦礦電池等類型， 從效率來看，硅晶電池是現(xiàn)階段比較成熟的光伏電池技術(shù)，實驗室效率 和量產(chǎn)效率均相對領(lǐng)先?；衔锉∧る姵鼐哂兴p低、重量輕、材料消 耗少、制備能耗低、適合與建筑結(jié)合（BIPV）等特點，且實驗室效率高 于硅晶電池；鈣鈦礦電池具有成本低、靈活性高等特點，能夠與 HJT 疊 層，有望開啟快速滲透。

　　2.1. 鈣鈦礦電池結(jié)構(gòu)簡單

　　鈣鈦礦電池是使用具有鈣鈦復(fù)合氧化物晶體結(jié)構(gòu)的化合物作為吸光半 導(dǎo)體材料的第三代光伏電池技術(shù)。鈣鈦礦電池的發(fā)電原理為：1）鈣鈦 礦層吸收光子產(chǎn)生電子-空穴對；2）電子從鈣鈦礦層傳輸?shù)诫娮觽鬏攲?并被透明導(dǎo)電氧化物（TCO，一般使用導(dǎo)電玻璃）收集，同時空穴從鈣 鈦礦層傳輸?shù)娇昭▊鬏攲硬⒈唤饘匐姌O收集；3）通過連接 TCO 和金屬 電極形成電流。

　　鈣鈦礦電池的結(jié)構(gòu)相對簡單。鈣鈦礦電池主要由以下幾個功能層組成： 透明導(dǎo)電氧化物（TCO）、電子傳輸層（ETL）、鈣鈦礦層、空穴傳輸層 （HTL）和背電極。根據(jù)功能層的堆疊順序，鈣鈦礦電池可分為正置的 n-i-p 和倒置的 p-i-n 結(jié)構(gòu)。根據(jù)是否使用介孔支架，PSCs 可以進一步分 為介孔結(jié)構(gòu)和平面結(jié)構(gòu)。

　　2.2. 鈣鈦礦電池具有高效率、低成本優(yōu)勢

　　鈣鈦礦電池將憑借轉(zhuǎn)換效率和成本優(yōu)勢快速滲透。鈣鈦礦電池是第三代 薄膜電池的代表技術(shù)路線，理論轉(zhuǎn)換效率上限高于晶硅電池，通過與 HJT 等晶硅電池疊層后能夠進一步提高效率，同時鈣鈦礦電池的設(shè)備成 本和材料成本均較晶硅電池低超 50%。光伏技術(shù)迭代以降本和增效為主 線，而鈣鈦礦的效率和成本優(yōu)勢明顯，雖然目前還面臨面積擴大將影響 效率、壽命不及晶硅電池等問題，但是我們認(rèn)為鈣鈦礦電池將在 2023 年實現(xiàn) GW 級產(chǎn)能投產(chǎn)，并有望在 2025 年實現(xiàn) 10GW 產(chǎn)能投產(chǎn)。

　　2.2.1. 鈣鈦礦電池的理論效率上限更高，提效速度更快

　　鈣鈦礦電池的理論效率上限高于晶硅電池。鈣鈦礦電池的轉(zhuǎn)換效率上限 為31%，分別較PERC單晶電池/HJT 電池/TOPCon電池高6.5/3.5/2.3pct。 通過與晶硅電池疊層，鈣鈦礦電池能夠進一步提升效率上限，多結(jié)電池 理論效率可達 45%。

　　鈣鈦礦是效率提升最為迅速的光伏電池技術(shù)。2009 年鈣鈦礦初次發(fā)明時 轉(zhuǎn)換效率僅為 3.8%，在經(jīng)過 13 年的發(fā)展后鈣鈦礦電池轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達 到 25.7%，二/四端子鈣鈦礦晶硅疊層電池分別實現(xiàn)了 29.8%/26.63%的轉(zhuǎn) 換效率，是轉(zhuǎn)換效率提升速度最快的光伏電池技術(shù)。

　　鈣鈦礦電池的產(chǎn)業(yè)化效率有望快速提升。纖納光電 100WM 鈣鈦礦電池 產(chǎn)線已投產(chǎn)，協(xié)鑫光電 100MW 鈣鈦礦組件已下線，極電光能 150MW 鈣鈦礦電池產(chǎn)線已于 2022 年 12 月投產(chǎn)。國內(nèi)鈣鈦礦光伏組件產(chǎn)業(yè)化仍 處于較為初期的階段，鈣鈦礦組件的產(chǎn)業(yè)化效率僅為 16%左右，隨著大 面積影響效率等問題逐漸得到解決，我們預(yù)計 2023 年鈣鈦礦組件的產(chǎn) 業(yè)化效率將超過 18%并持續(xù)提升。

　　2.2.2. 鈣鈦礦電池的設(shè)備投資和單位成本低于晶硅電池

　　相較于晶硅電池，鈣鈦礦組件具有綜合成本優(yōu)勢。根據(jù)協(xié)鑫光電數(shù)據(jù)， 100MW 中試線生產(chǎn)的鈣鈦礦組件成本為 1 元/W，當(dāng)產(chǎn)能提高至 10GW 時鈣鈦礦組件成本將降至 0.5 元/W，隨著未來產(chǎn)能提升，鈣鈦礦組件成 本有望進一步降低至 0.3-0.4 元/W，較目前 PERC 電池的 2 元/W 的組件 成本有明顯優(yōu)勢。

　　鈣鈦礦電池原材料來源豐富且廉價。鈣鈦礦電池所用鈣鈦礦原材料是具 有 ABX3 結(jié)構(gòu)的化合物的統(tǒng)稱，其中 A 是甲胺、銫等有機/無機陽離子， B 是鉛、鍺等金屬陽離子，X 為鹵素陰離子。A、B、X 位均可以相互替 換組合，可選材質(zhì)種類達數(shù)千種。同時鈣鈦礦原材料多為采礦等工業(yè)生 產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品，采購成本較低，原材料成本是傳統(tǒng)晶硅電池的 5% 左右。 鈣鈦礦電池單位原材料用量少于晶硅電池。目前 PERC 電池所用硅片平 均厚度約為 170 微米，TOPCon 電池所用硅片的平均厚度約為 165 微米， HJT 電池所用硅片的平均厚度約為 150 微米，每平方米晶硅電池的硅料 用量約為 400 克。鈣鈦礦具有良好的吸收光譜能力，僅需不足 1 微米的 厚度就可以吸收超 90%的太陽光，每平米的材料使用量小于 2 克。

　　鈣鈦礦材料純度要求低于晶硅電池，能耗成本更低。光伏級硅料純度要 求為 99.9999%（6N），而制造 20%效率級別鈣鈦礦僅需純度 90%左右的 鈣鈦礦原材料，制造 30%效率級別鈣鈦礦需要使用純度約 98%的鈣鈦礦 原材料。硅料提純過程需要保持 1000 度以上高溫，單晶光伏組件制造的能耗約為 1.52kWh/W，而鈣鈦礦組件的能耗成本為 0.12kWh/W。

　　鈣鈦礦設(shè)備投資僅為晶硅電池的 50%。不同于晶硅電池產(chǎn)業(yè)鏈有硅料、 硅片、電池和組件 4 個生產(chǎn)環(huán)節(jié)，鈣鈦礦電池產(chǎn)業(yè)鏈僅有 1 個生產(chǎn)環(huán)節(jié)， 同時鈣鈦礦電池的制備過程無需高溫處理，根據(jù)協(xié)鑫光電數(shù)據(jù)，GW 級 鈣鈦礦產(chǎn)線投資約為 5 億元，較目前晶硅電池產(chǎn)線每 GW9-10 億元的投 資低 44%-50%。另外受益于生產(chǎn)環(huán)節(jié)較少，鈣鈦礦組件的整體生產(chǎn)流程 僅耗時 45 分鐘，顯著少于晶硅電池的 3 天。

　　2.3. 2025 年鈣鈦礦組件產(chǎn)能有望達到 15GW

　　初期鈣鈦礦電池將作為晶硅電池的補充，待可靠性和大面積組件制備問 題解決后有望開始快速滲透。鈣鈦礦電池滲透仍然面臨著兩大問題：1） 可靠性，目前鈣鈦礦電池僅完成了 3 年的老化測試，產(chǎn)品壽命較晶硅電 池的 20 年仍有明顯差距；2）大面積組件制備難度較大，目前業(yè)界仍未解決大面積鈣鈦礦組件的薄膜制備不勻影響轉(zhuǎn)換效率問題。鈣鈦礦電池 在短期內(nèi)難以取代晶硅電池成為主流電池技術(shù)，我們預(yù)計 2025 年之前 鈣鈦礦電池將通過與晶硅電池疊層等方式成為晶硅電池的補充并逐漸 滲透，并在 2025 年解決可靠性和大面積問題后開始逐漸取代晶硅電池 成為主流電池技術(shù)。 鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)化于 2022 年啟動，國內(nèi)產(chǎn)能接近 350MW。鈣鈦礦業(yè)界關(guān)注 度較高，但技術(shù)發(fā)展初期需要投入大量研發(fā)資金，投資周期較長，提高 穩(wěn)定性、規(guī)模量產(chǎn)大面積組件的難度較大。近年來國內(nèi)能源行業(yè)頭部企 業(yè)以及科研院校紛紛開始探索鈣鈦礦技術(shù)，推動鈣鈦礦的產(chǎn)業(yè)化進展。 極電光能、協(xié)鑫光電等企業(yè)自 2021 年開始探索規(guī)?；虡I(yè)量產(chǎn)生產(chǎn)鈣 鈦礦組件，在 2022 年完成產(chǎn)線試驗并開始投產(chǎn)。根據(jù)不完全統(tǒng)計，截 至 2022 年 12 月國內(nèi)共有近 350MW 大面積鈣鈦礦產(chǎn)線實現(xiàn)或接近量產(chǎn)。

　　鈣鈦礦產(chǎn)能將從 2024 年開始快速提升。國內(nèi)廠商目前仍處于 100MW 規(guī) 模產(chǎn)線試產(chǎn)的階段，考慮到鈣鈦礦的大面積和穩(wěn)定性問題仍需時日，我 們認(rèn)為 2023 年國內(nèi)鈣鈦礦產(chǎn)能將達到 GW 級別，將在 2024 年開始快速 提高，并于 2026 年達到 30GW 級別。

3. 鈣鈦礦組件工藝及設(shè)備相對簡單

　　3.1. 鈣鈦礦工藝包括鍍膜、涂布、刻蝕和封裝環(huán)節(jié)

　　鈣鈦礦產(chǎn)線工藝主要包括鍍膜、涂布/印刷、刻蝕和封裝等環(huán)節(jié)。目前鈣 鈦礦的生產(chǎn)技術(shù)路線尚未標(biāo)準(zhǔn)化，不同鈣鈦礦廠商往往會采用不同的工藝和技術(shù)路線，但大部分工藝路線都包括鍍膜、涂布/印刷、刻蝕和封裝 這四個主要的工藝環(huán)節(jié)。

　　3.1.1. 鍍膜環(huán)節(jié)

　　鍍膜環(huán)節(jié)制備各功能層和電極層，是鈣鈦礦電池的關(guān)鍵工藝。空穴傳輸 層、鈣鈦礦層、電子傳輸層、TCO 層和背電極的制備過程中均涉及鍍膜。 鈣鈦礦組件鍍膜環(huán)節(jié)主要使用物理氣相沉積技術(shù)（PVD），即在真空條 件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā) 并使被蒸發(fā)物質(zhì)與氣體都發(fā)生電離，利用電場的加速作用，使被蒸發(fā)物 質(zhì)及其反應(yīng)產(chǎn)物沉積在工件上。根據(jù)反應(yīng)方法不同，PVD 可以分為蒸鍍、 磁控濺射鍍和反應(yīng)式等離子體鍍（RPD），其中：1）蒸鍍成熟度較高， 薄膜純度高但其過程溫度較高，薄膜附著力較差，主要應(yīng)用于金屬和有 機材料電極；2）磁控濺射鍍的薄膜附著力較強，過程溫度較低但是會 產(chǎn)生厚度不均勻的問題，主要應(yīng)用于金屬氧化物電極；3）RPD 的薄膜 質(zhì)量更高，對襯底的轟擊損傷較小，成膜速度更快，但是設(shè)備成本較高， 且專利被日本住友掌握，國內(nèi)僅有捷佳偉創(chuàng)獲授權(quán)后生產(chǎn)相關(guān)設(shè)備，主 要應(yīng)用于金屬氧化物電極。

　　3.1.2. 涂布/印刷環(huán)節(jié)

　　涂布/印刷環(huán)節(jié)主要制備鈣鈦礦層。涂布和印刷工藝主要用于生產(chǎn)鈣鈦礦 層，并且在實驗室中已經(jīng)開始嘗試使用這兩項技術(shù)生產(chǎn)空穴傳輸層和電 子傳輸層。濕法涂布和印刷是制備鈣鈦礦層的兩種主要工藝，其中濕法涂布工藝的可控性強，已經(jīng)成為主流工藝；而印刷工藝用于生產(chǎn)印刷型 鈣鈦礦組件，適用范圍有限。

　　涂布技術(shù)可以分為刮涂、輥涂以及狹縫涂布等，其中狹縫涂布是主流工 藝。1）狹縫涂布技術(shù)是一種高精度涂布方式，工作原理為涂布液沿著 涂布模具的縫隙擠壓噴出而轉(zhuǎn)移到基材上，具有涂布速度快、精度高、 濕厚均勻、漿料利用率高、可同時進行多層涂布等優(yōu)點。2）刮涂的工 作原理是使用刮刀刮掉基材上的過量涂料，具體工作原理是將過量漿料 涂在薄膜基材上，在基材通過涂輥與刮刀之間時刮掉多余漿料，并由此 在基材表面形成一層均勻的涂層，刮刀與基材之間的間隙決定了涂層厚 度。優(yōu)點是易于控制涂布量和涂布精度，適用于高固含量和高黏度的漿 料，但存在這種刮刀具在刮涂過程中可能會對器件表面造成損傷。3） 輥涂的工作原理是涂輥轉(zhuǎn)動帶動漿料，通過刮刀間隙來調(diào)節(jié)漿料轉(zhuǎn)移量， 并利用背輥和涂輥的轉(zhuǎn)動將漿料轉(zhuǎn)移到基材上，優(yōu)缺點和刮涂類似。

　　3.1.3. 刻蝕環(huán)節(jié)

　　刻蝕環(huán)節(jié)用于切割子電池，激光刻蝕已經(jīng)成為主流方法。鈣鈦礦刻蝕工 藝有機械刻蝕、金剛線刻蝕和激光刻蝕等方法，激光刻蝕具有綜合成本 較低、精度高、死區(qū)小、效率高等優(yōu)勢，已成為鈣鈦礦刻蝕的主流工藝。

　　3.1.4. 封裝環(huán)節(jié)

　　封裝環(huán)節(jié)可以減緩鈣鈦礦電池穩(wěn)定性破壞過程，可以分為完全覆蓋封裝 和邊緣封裝。鈣鈦礦電池組件對外部環(huán)境較為敏感，不利的外部環(huán)境將 加速鈣鈦礦層的分解，常見封裝方式可以分為兩種：1）完全覆蓋封裝， 在模塊頂部制備封裝層，優(yōu)點是封裝效果更好，但是對鈣鈦礦層以及其 它功能層的影響較大。2）邊緣封裝，在模塊周圍放置密封劑，優(yōu)點是 減少對功能層的影響，同時對材料透光率的要求較低，但封裝效果會相 應(yīng)降低。

　　3.2. 設(shè)備種類較少，單位投資較低

　　鈣鈦礦產(chǎn)線主要包括 PVD、涂布、激光和封裝四種設(shè)備。鈣鈦礦生產(chǎn)工 序可以分為磁控濺射/熱蒸鍍、反應(yīng)式等離子體沉積、濕法涂布、激光刻 蝕、激光清邊和封裝等環(huán)節(jié)，主要應(yīng)用了 PVD、涂布、激光和封裝四種 設(shè)備。由于尚未形成規(guī)模，現(xiàn)階段鈣鈦礦光伏組件的生產(chǎn)線投資相對較 高，極電光能 150MW 鈣鈦礦光伏生產(chǎn)線投資約 2 億元，而協(xié)鑫光電的 100MW 鈣鈦礦光伏生產(chǎn)線投資約為 1 億元，仍存在較大下降空間。

　　PVD 設(shè)備是鈣鈦礦產(chǎn)線中價值量最高的設(shè)備類型，占比約 50%。雖然 目前鈣鈦礦的技術(shù)路線尚未實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化，不同技術(shù)路線之間使用 PVD 設(shè)備和涂布設(shè)備的數(shù)量和比例不同，但是總體來看，PVD/涂布/激光/封 裝設(shè)備的價值量占比分別約為 50%/20%/20%/10%。

4. 鈣鈦礦快速滲透帶來旺盛激光設(shè)備需求

　　4.1. 激光設(shè)備將成為鈣鈦礦產(chǎn)線標(biāo)配

　　激光劃線和清邊是鈣鈦礦制備過程中的必須工序。鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用需 要解決制備大面積組件所面臨的電阻提高等問題，主要解決方向是通過 將電池以串聯(lián)或者并聯(lián)的方式制作組件來降低電阻，其中串聯(lián)是鈣鈦礦 的主要應(yīng)用方式。在形成鈣鈦礦電池的串聯(lián)結(jié)構(gòu)時需要對不同的功能層 在不同的位置進行劃線。功能層的劃線可以通過掩膜版、化學(xué)蝕刻、機 械或者激光劃線完成。激光劃線可以產(chǎn)生更細(xì)的劃線區(qū)域，目前激光劃 線已逐漸取代其他劃線方法成為主要的劃線方法，同時激光設(shè)備還可以 應(yīng)用于鈣鈦礦的膜層清除工序環(huán)節(jié)。

　　激光劃線 P1 工藝：通過激光設(shè)備分割底部的 TCO 襯底。在導(dǎo)電玻璃電 極 TCO 層制備完成后，在制備空穴傳輸層、鈣鈦礦層和電子傳輸層之 前通過激光設(shè)備進行劃線，形成相互獨立的 TCO 襯底。 激光劃線 P2 工藝：劃開空穴傳輸層、鈣鈦礦層和電子傳輸層。P2 工藝 的目的是露出 TCO 襯底，為連接相鄰兩節(jié)子電池的正負(fù)電極提供通道。 完成空穴傳輸層、鈣鈦礦層和電子傳輸層制備之后，通過激光設(shè)備刻蝕 空穴傳輸層、鈣鈦礦層和電子傳輸層，暴露出 TCO 層，從而在下一步 電極蒸鍍過程中能夠讓子電池之間的正負(fù)極相互連接。 激光劃線 P3 工藝：去除部分功能層以分割相鄰子電池的正極。P3 工藝需要在蒸鍍完電極后進行，本道工藝使用激光設(shè)備刻蝕部分電極，從而 將子電池之間分離開。為了保證不損傷 P2 層，本道工藝對激光設(shè)備加 工精度要求較高。 激光清邊 P4 工藝：封裝前的清理工藝。激光清邊是指利用激光技術(shù)清 除掉電池邊緣的沉積膜，而本工藝相對較為成熟，同樣可以應(yīng)用于薄膜 電池。過往技術(shù)難點在于采用近紅外激光進行一次清邊，即一次性去除 所有功能層的待去除邊緣，該方法的效率較高但是會產(chǎn)生膜層側(cè)邊互熔 問題，從而導(dǎo)致短路，影響電池的效率和可靠性。業(yè)內(nèi)已研發(fā)出兩次清 邊法分別切除前電極和背電極的待去除邊緣，避免互熔問題。

　　4.2. 激光設(shè)備市場規(guī)模有望快速增長

　　4.2.1. 激光設(shè)備在鈣鈦礦產(chǎn)線中價值量占比約 20%

　　激光設(shè)備在鈣鈦礦產(chǎn)線中的價值量占比約 20%。鈣鈦礦對激光刻蝕有更 高的精度要求。以碲化鎘和銅銦鎵硒薄膜電池為例，對激光刻蝕的精度 要求分別為 3-5 微米和 2 微米，但鈣鈦礦則需要 0.3-0.5 微米精度的激光 設(shè)備，薄膜電池的激光刻蝕設(shè)備無法直接應(yīng)用于鈣鈦礦電池生產(chǎn)，目前 激光設(shè)備廠商正在與鈣鈦礦生產(chǎn)商合作開發(fā)激光設(shè)備。 鈣鈦礦光伏產(chǎn)線激光設(shè)備價值量約為 1 億元/GW。目前百兆瓦級別鈣鈦 礦光伏產(chǎn)線中激光設(shè)備價值量約為 1000 萬元，鈣鈦礦產(chǎn)能提升將提高 激光設(shè)備保持同一精度的難度，同時生產(chǎn)商的經(jīng)驗將隨著激光設(shè)備出貨 量的提升而改善，我們預(yù)計在這兩個因素的共同影響下 GW 級產(chǎn)線的激 光設(shè)備價值量約為 1 億元/GW。

　　4.2.2. 2025 年鈣鈦礦激光設(shè)備市場規(guī)模將達 10 億元

　　激光設(shè)備作為標(biāo)準(zhǔn)配置，將伴隨鈣鈦礦產(chǎn)能快速擴張同步放量。激光劃 線和清邊設(shè)備已成為鈣鈦礦的標(biāo)準(zhǔn)配備，考慮到：1）新增鈣鈦礦產(chǎn)能， 如前文 所述， 我們 預(yù)計 2023/2024/2025 年新增 鈣鈦 礦組件 產(chǎn)能 0.65/4/10GW。2）鈣鈦礦產(chǎn)能投資，現(xiàn)階段鈣鈦礦產(chǎn)能僅為 380MW 左 右，產(chǎn)能有限造成目前國內(nèi)鈣鈦礦產(chǎn)能的單位 GW 投資規(guī)模高達 10-13 億元/GW，未來單位投資額有望隨著工藝成熟而逐漸下降至 5 億元/GW。 3）激光設(shè)備投資占比，考慮到鈣鈦礦激光設(shè)備已趨于成熟，未來將隨 鈣鈦礦產(chǎn)線投資額下降，我們預(yù)計其將在鈣鈦礦設(shè)備投資額中保持 20% 的占比?；谝陨霞僭O(shè)，我們預(yù)計 2023-2025 年國內(nèi)新增激光設(shè)備市場 規(guī)模為 1.2/4.8/10 億元。

5. 投資分析

　　德龍激光

　　國內(nèi)激光精細(xì)微加工頭部廠商，在鈣鈦礦、巨量轉(zhuǎn)移和鋰電池除膜設(shè)備 領(lǐng)域均已實現(xiàn)技術(shù)突破，有望在 2023 年快速放量。德龍激光聚焦于半 導(dǎo)體、光學(xué)、顯示及消費電子等領(lǐng)域的激光精細(xì)微加工設(shè)備業(yè)務(wù)，2020 年國內(nèi)泛半導(dǎo)體激光設(shè)備市占率達 15%，排名第三；2016-2020 年中國 大陸主要面板廠的激光切割類設(shè)備銷量占 12%，排名第三。公司目前已 經(jīng)突破了鈣鈦礦 P0（激光打標(biāo)）、P1-P3 及 P4 全套激光加工設(shè)備生產(chǎn)工 藝，Micro-LED 激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備已經(jīng)通過客戶測試，同時公司的在研 項目鋰電池電芯激光除膜工藝進展順利，以上新項目有望在 2023 年開 始放量。

　　疫情影響收入確認(rèn)疊加研發(fā)費用大幅上漲，公司凈利潤受到影響，但恢 復(fù)在即。受到疫情影響，公司下游客戶訂單確認(rèn)進度不及預(yù)期，2022Q3 公司營收為 3.57 億元，同比下滑 1.78%。在收入確認(rèn)不及預(yù)期的情況下， 2022Q3 公司研發(fā)費用達到 5,767 萬元，同比增長 39.2%，對公司盈利造 成了負(fù)面影響，2022Q3 扣非歸母凈利潤為 2,678 萬元，同比下降 41.36%； 在毛利率僅同比下降 0.98pct 的情況下，2022Q3 公司凈利率同比下降 4.04pct 至 9.7%。隨著疫情對下游客戶確認(rèn)收入的影響逐漸出清，我們 認(rèn)為公司 2022 年未能確認(rèn)的收入有望遞延至 2023 年確認(rèn)，從而改善公 司整體業(yè)績表現(xiàn)。 激光設(shè)備是公司的主營業(yè)務(wù)，營收占比長期超過 70%。在公司的營收結(jié) 構(gòu)中，激光設(shè)備自 2018 年起占比就保持在 70%及以上水平，成為公司 業(yè)績增長的主要動力。

　　產(chǎn)能利用充分，激光器自產(chǎn)比例較高，公司毛利率表現(xiàn)良好。公司的激 光設(shè)備為定制化產(chǎn)品，不同產(chǎn)品由于技術(shù)要求、設(shè)計規(guī)模和設(shè)計難度存 在差異因此需要分別進行設(shè)計、組裝和調(diào)試，疊加下游需求旺盛， 2019-2021 年公司產(chǎn)能利用率均超 110%，從而攤薄了生產(chǎn)成本。公司能 夠生產(chǎn)納秒、皮秒和飛秒激光器，外售激光器業(yè)務(wù)毛利率約為 40%-50%， 而公司生產(chǎn)的激光加工設(shè)備中大部分都搭載了自產(chǎn)激光器，有利于降本， 激光加工設(shè)備業(yè)務(wù)毛利率長期保持在 40%-50%區(qū)間，為鈣鈦礦設(shè)備降本 留下了充足空間。

　　杰普特

　　MOPA 脈沖激光器全球市占率第一，切入鋰電和光伏激光設(shè)備領(lǐng)域。杰 普特是全球市占率最高的 MOPA 脈沖激光器生產(chǎn)商，2021 年 MOPA 脈 沖激光器出貨量約為 2.5 萬臺，市占率接近 70%。公司利用在 MOPA 激 光器領(lǐng)域的優(yōu)勢順利切入鋰電池激光加工設(shè)備和鈣鈦礦設(shè)備業(yè)務(wù)領(lǐng)域， 并且主動縮減競爭激烈的連續(xù)切割激光器相關(guān)業(yè)務(wù)，營收規(guī)模和凈利潤 有望恢復(fù)快速增長。

　　傳統(tǒng)業(yè)務(wù)承壓疊加新業(yè)務(wù)訂單確認(rèn)延期影響，財務(wù)表現(xiàn)承壓。公司 2022 年前 3 季度營收為 8.1 億元，同比下降 6.9%；扣非歸母凈利潤為 4,291 萬元，同比增長 0.7%。受到疫情影響，下游通用激光器需求疲軟，新能 源設(shè)備使用的激光器訂單確認(rèn)不及預(yù)期。激光設(shè)備方面部分客戶的設(shè)備 驗收工作進度受到影響，部分激光設(shè)備需要到 2023 年才能確認(rèn)收入。 調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)，收縮傳統(tǒng)連續(xù)切割激光器業(yè)務(wù)，加速推進光伏和鋰電設(shè) 備業(yè)務(wù)布局。2022 年上半年連續(xù)切割激光器產(chǎn)品市場競爭激烈，導(dǎo)致公 司連續(xù)切割激光器產(chǎn)品毛利率水平較 2021 年同比大幅下降，對凈利潤 造成一定影響。公司已對連續(xù)切割激光器進行戰(zhàn)略調(diào)整，收縮切割市場 布局，著重在鋰電、光伏、消費電子模組檢測設(shè)備等新業(yè)務(wù)領(lǐng)域，目前 新業(yè)務(wù)拓展進程順利，有望改善公司的盈利表現(xiàn)。

　　大族激光

　　國內(nèi)激光行業(yè)規(guī)模最大的廠商之一，設(shè)備能夠應(yīng)用多個領(lǐng)域，將受益于 2023 年鋰電、光伏和大功率激光器復(fù)蘇。大族激光的產(chǎn)品范圍覆蓋從激 光器到設(shè)備的全產(chǎn)業(yè)鏈，并能夠提供鋰電、PCB、光伏和顯示面板等多 領(lǐng)域的激光加工設(shè)備，受到疫情反復(fù)、鋰電頭部客戶停止設(shè)備采購、硅 料價格處于高位壓制組件廠商支出等因素影響，2022 年公司業(yè)績表現(xiàn)不 佳。隨著疫情管控措施放松以及原材料價格回歸正常水平，2023 年下游 設(shè)備需求有望復(fù)蘇。

　　主要下游行業(yè)有望于 2023 年重啟設(shè)備采購，公司作為國內(nèi)激光設(shè)備規(guī) 模最大的廠商將率先受益。2022 年原材料價格大幅上漲，硅料價格年內(nèi) 最大漲幅達 25%，磷酸鐵鋰價格年內(nèi)最大漲幅超 70%，原材料價格的快 速上漲擠占了行業(yè)內(nèi)公司增加設(shè)備的成本空間，寧德時代等廠商 2022 年前 3 季度均未開展設(shè)備招標(biāo)，光伏企業(yè)也放緩了升級產(chǎn)線的安排，導(dǎo) 致公司訂單不及預(yù)期同時收入確認(rèn)也受到影響。目前動力電池和光伏原 材料已經(jīng)開始降價，鈣鈦礦等新技術(shù)路線逐漸落地，下游設(shè)備需求有望 于 2023 年開始恢復(fù)。