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中共中央總書記、國家主席、中央軍委主席習(xí)近平28日在湖北省武漢市考察時(shí)強(qiáng)調(diào)，科技自立自強(qiáng)是國家強(qiáng)盛之基、安全之要。我們必須完整、準(zhǔn)確、全面貫徹新發(fā)展理念，深入實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，把科技的命脈牢牢掌握在自己手中，在科技自立自強(qiáng)上取得更大進(jìn)展，不斷提升我國發(fā)展獨(dú)立性、自主性、安全性，催生更多新技術(shù)新產(chǎn)業(yè)，開辟經(jīng)濟(jì)發(fā)展的新領(lǐng)域新賽道，形成國際競爭新優(yōu)勢。

28日下午，習(xí)近平在湖北省委書記王蒙徽、省長王忠林陪同下，深入武漢的企業(yè)、社區(qū)調(diào)研。

習(xí)近平聽取湖北省光電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展及核心技術(shù)攻關(guān)情況介紹，仔細(xì)察看芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成果展示。其中，國家信息光電子創(chuàng)新中心、中國信科集團(tuán)和鵬城實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合研制的1.6Tb/s硅光互連芯片，作為湖北省光電子芯片的兩個(gè)代表成果之一，向領(lǐng)導(dǎo)人進(jìn)行了匯報(bào)和介紹。

習(xí)近平指出，光電子信息產(chǎn)業(yè)是應(yīng)用廣泛的戰(zhàn)略高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，也是我國有條件率先實(shí)現(xiàn)突破的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)。湖北武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)在光電子信息產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域獨(dú)樹一幟。要加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)攻關(guān)，掌握更多具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)，不斷延伸創(chuàng)新鏈、完善產(chǎn)業(yè)鏈，為推動我國光電子信息產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展作出更大貢獻(xiàn)。

（習(xí)近平察看芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成果展示，來源：新聞截屏）

(國家信息光電子創(chuàng)新中心展出的1.6T硅光互連芯片，來源：新聞截屏)

（1.6T硅光互連芯片，來源：央視新聞公眾號，總臺央視記者黃京輝拍攝）

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習(xí)近平考察湖北武漢光電子信息產(chǎn)業(yè) 強(qiáng)調(diào)科技自立自強(qiáng)