自從中興被制裁，華為限制芯片出口，國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)鏈迎來(lái)蓬勃發(fā)展期。尤其是華為旗下的哈勃科技投資有限公司，頻繁出手投資潛力企業(yè)，雖然主要以晶元加工為主，但仍舊涉及部分激光芯片企業(yè)。

2022年4月1日，哈勃投資持有506.50萬(wàn)股的長(zhǎng)光華芯（688048）登陸科創(chuàng)板，但是隨后低走，截至2022年5月19日收盤，股價(jià)收于78.12元每股，低于發(fā)行價(jià)80.80元每股。

從產(chǎn)業(yè)層面看，迫切需要建立自己的芯片產(chǎn)業(yè)鏈的華為，旗下全資子公司哈勃投資買入長(zhǎng)光華芯，足以證明長(zhǎng)光華芯擁有領(lǐng)先業(yè)界的實(shí)力，但成功上市后，長(zhǎng)光華芯卻不被市場(chǎng)認(rèn)可，終究是華為錯(cuò)了，還是市場(chǎng)認(rèn)知偏差？

高功率激光芯片龍頭

成立于2012年的長(zhǎng)光華芯，主要產(chǎn)品包括高功率單管系列、高功率巴條系列、高效率VCSEL系列及光通信芯片系列等。

經(jīng)過(guò)10年的發(fā)展，長(zhǎng)光華芯產(chǎn)品涵蓋半導(dǎo)體激光芯片、器件、模塊及直接半導(dǎo)體激光器四大類，廣泛用于光纖激光器、固體激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半導(dǎo)體激光輸出加工應(yīng)用、國(guó)家戰(zhàn)略高技術(shù)、科學(xué)研究等領(lǐng)域。

公司依托高功率半導(dǎo)體激光芯片（邊發(fā)射EEL）優(yōu)勢(shì)，向面發(fā)射VCSEL芯片擴(kuò)展，從GaAs材料體系擴(kuò)展至InP材料體系，橫向拓展了高效率VCSEL激光芯片，和高速光通信芯片兩大產(chǎn)品平臺(tái)。

現(xiàn)如今，長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光芯片板塊，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)一體化布局，公司近年來(lái)不斷向光纖激光器、科研及特殊應(yīng)用等下游器件、模塊及直接半導(dǎo)體激光器延伸，分別對(duì)應(yīng)單管系列及巴條系列產(chǎn)品。

2021年公司高功率單管、巴條系列分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入3.61、0.56億元，分別占營(yíng)業(yè)收入比例為84.1%、13.1%。

2021年，長(zhǎng)光華芯VCSEL系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)小批量量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入820萬(wàn)元。預(yù)計(jì)2022年實(shí)現(xiàn)批量量產(chǎn)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費(fèi)電子及車載激光雷達(dá)領(lǐng)域。

在芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)，公司已建成覆蓋芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、晶圓處理工藝（光刻）、解理/鍍膜、封裝測(cè)試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺(tái)，是全球第二、國(guó)內(nèi)唯一擁有6寸量產(chǎn)線的廠商。

長(zhǎng)光華芯主業(yè)飛速發(fā)展，除了成立以來(lái)的技術(shù)積累，和各大股東的產(chǎn)業(yè)扶持，還和2018年的一個(gè)重大的產(chǎn)業(yè)發(fā)展拐點(diǎn)有關(guān)。

推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程

2018年，海外禁止向國(guó)內(nèi)出口單管15W以上、巴條100W以上高功率半導(dǎo)體激光芯片，拉開(kāi)了高功率半導(dǎo)體激光芯片國(guó)產(chǎn)化序幕。

2019年，長(zhǎng)光華芯成為國(guó)內(nèi)第一家量產(chǎn)單管15W高功率半導(dǎo)體激光芯片公司。一年后，長(zhǎng)光華芯技術(shù)突破帶動(dòng)產(chǎn)品性能持續(xù)提升，終于在2020年實(shí)現(xiàn)單管18W、25W高功率激光芯片量產(chǎn)。

2021年，公司又實(shí)現(xiàn)30W高功率半導(dǎo)體單管芯片量產(chǎn)，產(chǎn)品性能在國(guó)內(nèi)處于絕對(duì)領(lǐng)先，對(duì)標(biāo)甚至超過(guò)國(guó)外產(chǎn)品。

隨著高功率半導(dǎo)體激光芯片技術(shù)不斷突破、產(chǎn)品良率持續(xù)提升，公司在下游客戶份額將快速提升，業(yè)績(jī)也將加速增長(zhǎng)。這主要是因?yàn)楫a(chǎn)品良率上升，會(huì)極大程度節(jié)省成本支出以及時(shí)間成本，從而提升產(chǎn)線利用率。

2021年，長(zhǎng)光華芯整體毛利率，由2020年的31.35%大幅提升至52.82%，高功率單管芯片毛利率，由2020年的60.46%提升至2021年上半年的67.58%，毛利率較高的單管芯片產(chǎn)品，2021年收入翻倍增長(zhǎng)。

在毛利率穩(wěn)定提升的背景下，長(zhǎng)光華芯借助登陸科創(chuàng)板募資擴(kuò)產(chǎn)，公司“高功率激光芯片、器件、模塊產(chǎn)能擴(kuò)充項(xiàng)目”、“垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器（VCSEL）及光通訊激光芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”及“研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”達(dá)產(chǎn)后，總產(chǎn)值為14.56億元，有機(jī)構(gòu)據(jù)此預(yù)測(cè)，如果長(zhǎng)光華芯今年二季度一期產(chǎn)能投產(chǎn)，公司半導(dǎo)體激光芯片產(chǎn)能將提升5-10倍。

由此可見(jiàn)，長(zhǎng)光華芯今天的業(yè)務(wù)布局，基本上是在2019年的基礎(chǔ)上演進(jìn)出來(lái)的，對(duì)于整個(gè)國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈而言，2018年著實(shí)是個(gè)不可多得的時(shí)間拐點(diǎn)，讓整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)明白掌握核心技術(shù)才能保證企業(yè)健康發(fā)展。

產(chǎn)品具有較強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力

長(zhǎng)光華芯自2012年開(kāi)始堅(jiān)定扎根半導(dǎo)體激光芯片領(lǐng)域，華為旗下哈勃投資又愿意持有該公司超500萬(wàn)股股份，主要和長(zhǎng)光華芯所處的行業(yè)具有極高的門檻有關(guān)，且公司處于整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的上游，并具備可實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代的產(chǎn)品，與國(guó)內(nèi)同業(yè)企業(yè)相比，產(chǎn)品具有較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力。

長(zhǎng)光華芯主營(yíng)的半導(dǎo)體激光芯片產(chǎn)品，屬于半導(dǎo)體激光器的核心部件。下游應(yīng)用包括各類激光器的應(yīng)用，包括工業(yè)加工裝備、激光雷達(dá)、光通信、醫(yī)療美容等領(lǐng)域，以及工業(yè)激光器領(lǐng)域。

根據(jù) Laser Focus World預(yù)計(jì)，2021 年全球激光器市場(chǎng)規(guī)模為 184.8 億美元，同比 15.4%。其中，中國(guó)是全球最大的應(yīng)用市場(chǎng)。根據(jù)Laser Focus World數(shù)據(jù)，2020年中國(guó)激光器市場(chǎng)規(guī)模為109.1億美元，占全球激光器市場(chǎng)66.12%的份額。

國(guó)內(nèi)下游應(yīng)用領(lǐng)域方面，根據(jù)《2020年中國(guó)激光產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告》，材料加工與光刻市場(chǎng)、通信與光存儲(chǔ)市場(chǎng)、科研與軍事市場(chǎng)、醫(yī)療與美容市場(chǎng)、儀器與傳感器領(lǐng)域、娛樂(lè)顯示與打印市場(chǎng)分別占比40.94%、27.02%、12.02%、9.03%、8.01%、2.99%。

長(zhǎng)光華芯在國(guó)內(nèi)高功率半導(dǎo)體激光芯片領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，產(chǎn)品性能對(duì)標(biāo)海外頭部廠商，甚至已經(jīng)實(shí)現(xiàn)超越。在單管芯片方面，190-230μm條寬范圍內(nèi)，公司目前高功率單管芯片輸出功率最高達(dá)30W、電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到63.00%、波長(zhǎng)涵蓋808、880、915、976nm。

巴條芯片方面，在100μm條寬附近，公司高功率巴條芯片可實(shí)現(xiàn)100W連續(xù)激光輸出及300W準(zhǔn)連續(xù)激光輸出；在200μm條寬附近，公司高功率巴條芯片可實(shí)現(xiàn)200W連續(xù)激光輸出及700W準(zhǔn)連續(xù)激光輸出，電光轉(zhuǎn)換效率最大可達(dá)63%。

伴隨長(zhǎng)光華芯在高功率半導(dǎo)體激光芯片領(lǐng)域持續(xù)突破，公司目前商業(yè)化單管芯片輸出功率達(dá)到30W，巴條芯片連續(xù)輸出功率達(dá)到250W（CW），準(zhǔn)連續(xù)輸出1000W（QCW），產(chǎn)品性能與國(guó)外先進(jìn)水平同步，打破國(guó)外技術(shù)封鎖和芯片禁運(yùn)，逐步實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體激光芯片的國(guó)產(chǎn)化及進(jìn)口替代。

展望未來(lái)，伴隨長(zhǎng)光華芯新建產(chǎn)能逐步落地，公司激光芯片產(chǎn)品市占率有望進(jìn)一步提升，這對(duì)增厚公司業(yè)績(jī)大有裨益。