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市場(chǎng)研究

半導(dǎo)體激光芯片材料國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇與挑戰(zhàn)

來(lái)源:材能遇見(jiàn)理2019-06-27 我要評(píng)論(0 )   

報(bào)告人簡(jiǎn)介:羅帥,工學(xué)博士,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所副研究員,江蘇華興激光科技有限公司總經(jīng)理,國(guó)家“萬(wàn)人計(jì)劃”,科技部科技創(chuàng)新

報(bào)告人簡(jiǎn)介:

羅帥,工學(xué)博士,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所副研究員,江蘇華興激光科技有限公司總經(jīng)理,國(guó)家“萬(wàn)人計(jì)劃”,科技部科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才,江蘇省雙創(chuàng)博士,江蘇省“雙百工程”拔尖人才,徐州市十大杰出青年,徐州市勞動(dòng)模范。主要從事半導(dǎo)體激光芯片材料外延及器件應(yīng)用方面的研究。在Opt.Express,IEEE Photon,Technol.Lett等國(guó)際刊物上已發(fā)表SCI論文20余篇,重要國(guó)際,國(guó)內(nèi)會(huì)議論文20余篇。申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利6項(xiàng),獲授權(quán)2項(xiàng);實(shí)用新型專(zhuān)利5項(xiàng),獲授權(quán)3項(xiàng)。主持或參與完成多項(xiàng)國(guó)家及省級(jí)研發(fā)項(xiàng)目,包括國(guó)家自然科學(xué)基金,北京市科委項(xiàng)目,973國(guó)家重大研究計(jì)劃,國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)及及江蘇省重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)等。2016年羅帥博士創(chuàng)建了江蘇省華興激光科技有限公司。

激光芯片技術(shù)

半導(dǎo)體激光器俗稱(chēng)激光二極管,因?yàn)槠溆冒雽?dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的特性所以被稱(chēng)為半導(dǎo)體激光器。半導(dǎo)體激光器由光纖耦合半導(dǎo)體激光器模塊、合束器件、激光傳能光纜、電源系統(tǒng)、控制系統(tǒng)及機(jī)械結(jié)構(gòu)等構(gòu)成,在電源系統(tǒng)和控制系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)和監(jiān)控下實(shí)現(xiàn)激光輸出。半導(dǎo)體激光器的常用工作物質(zhì)主要有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。根據(jù)不同的工作物質(zhì)主要有三種激勵(lì)方式:電注入,pump式和高能電子束激勵(lì)。

(1)電注入是半導(dǎo)體激光器,一般由GaAS、CdS、InP、ZnS等工作物質(zhì)作為主要材料,制成半導(dǎo)體面結(jié)型二極管,在受到電注入時(shí),沿著正向偏壓注入的電流,對(duì)工作物質(zhì)進(jìn)行激勵(lì),從而在節(jié)平面區(qū)域產(chǎn)生受激發(fā)射。

(2)Punp式激光器,一般由晶體中摻入受主雜的的以空穴為載流子的鍺單晶(P型半導(dǎo)體單晶)或以電子為載流子的鍺單晶(N型半導(dǎo)體單晶)作為工作物質(zhì),并通過(guò)其他激光器發(fā)出的激光作pump激勵(lì),從而實(shí)現(xiàn)種群反演。

(3)高能電子束激勵(lì)式半導(dǎo)體激光器,一般在工作物質(zhì)的選擇上與pump式激光器相似,也是選用半導(dǎo)體鍺單晶,但值得注意的問(wèn)題是,在P型半導(dǎo)體單晶的選擇上高能電子束激勵(lì)式半導(dǎo)體激光器主要以PbS。CbS和ZnO為主。

行業(yè)背景

自1962年發(fā)明了世界上第一臺(tái)半導(dǎo)體激光器以來(lái),半導(dǎo)體激光器發(fā)生了巨大的變化,極大地推動(dòng)了其他科學(xué)技術(shù)的發(fā)展。

近年來(lái)用于信息技術(shù)領(lǐng)域的小功率半導(dǎo)體激光器發(fā)展極快。如用于光纖通信的DFB和動(dòng)態(tài)單模的激光二極管以及在光盤(pán)處理中大量應(yīng)用的可見(jiàn)光波長(zhǎng)的激光二極管,甚至是超短脈沖的激光二極管都得到了大幅度的革新性進(jìn)步。

小功率激光二極管其自身還擁有這高集成、高速率以及可調(diào)諧的發(fā)展特征。大型高功率半導(dǎo)體激光器的發(fā)展速度也不斷加快。

在上世紀(jì)八十年代,獨(dú)立的激光二極管的輸出功率已經(jīng)在100mW以上,并達(dá)到了39%的轉(zhuǎn)化效率。等到了90年代,美國(guó)人又一次將指標(biāo)提高一個(gè)新的水平,達(dá)到了45%的轉(zhuǎn)化效率,就輸出功率來(lái)看,也從W到了KW級(jí)的轉(zhuǎn)變。

目前各國(guó)在研制項(xiàng)目的支持下,半導(dǎo)體激光器的芯片結(jié)構(gòu)、外延生長(zhǎng)和器件封裝等激光器技術(shù)均有了長(zhǎng)足發(fā)展,單元器件的性能也實(shí)現(xiàn)了重大突破:電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)70%以上,很低的光束發(fā)散角,單巴條連續(xù)輸出功率超過(guò)千瓦,采用碳納米(CN)熱沉使激光器的冷卻效率比傳統(tǒng)的半導(dǎo)體巴條安裝技術(shù)可提高30%。100μm條寬單管輸出功率達(dá)到24.6W,大功率連續(xù)工作壽命長(zhǎng)達(dá)數(shù)萬(wàn)小時(shí)。

高效能大功率的半導(dǎo)體激光器也迅速發(fā)展為全固化激光器,從而使得LDP固體激光器獲得了全新的發(fā)展機(jī)遇和前景。

應(yīng)用與市場(chǎng)

半導(dǎo)體激光器具有體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)、運(yùn)轉(zhuǎn)可靠性高、能耗低、電光轉(zhuǎn)換效率高、易于大規(guī)模生產(chǎn)以及價(jià)格較低廉等優(yōu)點(diǎn),在CD激光唱片機(jī)、光纖通信、光存儲(chǔ)器、激光打印機(jī)等獲得廣泛應(yīng)用,范圍覆蓋了整個(gè)光電子學(xué)領(lǐng)域。

隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和突破,半導(dǎo)體激光器正向發(fā)射波長(zhǎng)更短、發(fā)射功率更大、超小型、長(zhǎng)壽命的方向發(fā)展,以滿(mǎn)足各種應(yīng)用的需要,產(chǎn)品種類(lèi)日益豐富。在激光加工、3d打印、激光雷達(dá)、激光測(cè)距、軍事、醫(yī)療和生命科學(xué)等方面也得到了大量應(yīng)用。另外,通過(guò)耦合進(jìn)光纖進(jìn)行傳輸,大功率直接半導(dǎo)體激光器在切割和焊接領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

目前,全球半導(dǎo)體激光器市場(chǎng)規(guī)模較大,從2012年的35.4億美元增加值至2017年的53.1億美元,年復(fù)合增長(zhǎng)率為8.4%。

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激光芯片技術(shù)半導(dǎo)體激光
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