據(jù)麥姆斯咨詢報道，增強模式氮化鎵（GaN）功率管理器件領(lǐng)導(dǎo)廠商宜普（EPC）近日宣布為汽車行業(yè)和其他惡劣環(huán)境激光雷達（LiDAR）系統(tǒng)設(shè)計的新款80 V EPC2214獲得了美國汽車電子協(xié)會AEC Q101認(rèn)證。
EPC率先推出了增強模式硅基氮化鎵（eGaN）FET，可替代眾多應(yīng)用中的功率MOSFET，如 DC－DC轉(zhuǎn)換器、無線功率傳輸、包絡(luò)跟蹤、射頻傳輸、功率逆變器、LiDAR以及D類音頻放大器等，其性能高于最好的硅功率MOSFET數(shù)倍。
eGaN技術(shù)已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)超過9年，在多個領(lǐng)域積累了數(shù)十億小時的實際應(yīng)用經(jīng)驗，例如：汽車應(yīng)用的LiDAR和自動駕駛汽車?yán)走_，數(shù)據(jù)中心計算機應(yīng)用的48 V－12 V DC－DC轉(zhuǎn)換器，超高保真信息娛樂系統(tǒng)和卡車用高強度前照燈等。EPC推出的這款新器件已經(jīng)完成了嚴(yán)格的汽車AEC Q101認(rèn)證測試，還將推出幾款專為惡劣汽車應(yīng)用環(huán)境設(shè)計的分立晶體管和集成電路。
EPC2214是一款80 V、20 mΩ、eGaN FET，具有47 A的脈沖電流，占位面積僅為1.8平方毫米，非常適合用于LiDAR系統(tǒng)中的激光器，因為eGaN FET可以觸發(fā)以產(chǎn)生極短脈沖寬度的高電流。短脈沖寬度可以實現(xiàn)更高的分辨率，而更高的脈沖電流可使LiDAR探測并識別更遠距離的物體。憑借這兩種特性，以及小尺寸和低成本優(yōu)勢，使eGaN FET成為高要求汽車應(yīng)用LiDAR以及雷達、超聲波傳感器的理想選擇。
為了完成AEC Q101測試，EPC的eGaN FET經(jīng)受了嚴(yán)格的環(huán)境和偏壓應(yīng)力測試，包括偏壓濕度測試（H3TRB）、高溫反向偏壓（HTRB）、高溫柵極偏壓（HTGB）、溫度循環(huán)（TC）以及其他幾項測試。值得注意的是，EPC的晶圓級芯片（WLCS）封裝通過了針對傳統(tǒng)封裝器件創(chuàng)建的所有相同測試標(biāo)準(zhǔn)，證明了芯片級封裝的卓越性能不會影響器件的堅固性或可靠性。這些eGaN器件由經(jīng)過汽車質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)IATF 16949認(rèn)證的工廠生產(chǎn)。
EPC首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow指出：“這種新型汽車產(chǎn)品是EPC晶體管和集成電路的最新產(chǎn)品，旨在實現(xiàn)自動駕駛并提高燃油經(jīng)濟性和安全性。我們的eGaN技術(shù)比當(dāng)今車輛中使用的老舊硅功率MOSFET更快、更小、更高效、更經(jīng)濟、更可靠?！?/span>
EPC率先推出了增強模式硅基氮化鎵（eGaN）FET，可替代眾多應(yīng)用中的功率MOSFET，如 DC－DC轉(zhuǎn)換器、無線功率傳輸、包絡(luò)跟蹤、射頻傳輸、功率逆變器、LiDAR以及D類音頻放大器等，其性能高于最好的硅功率MOSFET數(shù)倍。
eGaN技術(shù)已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)超過9年，在多個領(lǐng)域積累了數(shù)十億小時的實際應(yīng)用經(jīng)驗，例如：汽車應(yīng)用的LiDAR和自動駕駛汽車?yán)走_，數(shù)據(jù)中心計算機應(yīng)用的48 V－12 V DC－DC轉(zhuǎn)換器，超高保真信息娛樂系統(tǒng)和卡車用高強度前照燈等。EPC推出的這款新器件已經(jīng)完成了嚴(yán)格的汽車AEC Q101認(rèn)證測試，還將推出幾款專為惡劣汽車應(yīng)用環(huán)境設(shè)計的分立晶體管和集成電路。
EPC2214是一款80 V、20 mΩ、eGaN FET，具有47 A的脈沖電流，占位面積僅為1.8平方毫米，非常適合用于LiDAR系統(tǒng)中的激光器，因為eGaN FET可以觸發(fā)以產(chǎn)生極短脈沖寬度的高電流。短脈沖寬度可以實現(xiàn)更高的分辨率，而更高的脈沖電流可使LiDAR探測并識別更遠距離的物體。憑借這兩種特性，以及小尺寸和低成本優(yōu)勢，使eGaN FET成為高要求汽車應(yīng)用LiDAR以及雷達、超聲波傳感器的理想選擇。
為了完成AEC Q101測試，EPC的eGaN FET經(jīng)受了嚴(yán)格的環(huán)境和偏壓應(yīng)力測試，包括偏壓濕度測試（H3TRB）、高溫反向偏壓（HTRB）、高溫柵極偏壓（HTGB）、溫度循環(huán)（TC）以及其他幾項測試。值得注意的是，EPC的晶圓級芯片（WLCS）封裝通過了針對傳統(tǒng)封裝器件創(chuàng)建的所有相同測試標(biāo)準(zhǔn)，證明了芯片級封裝的卓越性能不會影響器件的堅固性或可靠性。這些eGaN器件由經(jīng)過汽車質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)IATF 16949認(rèn)證的工廠生產(chǎn)。
EPC首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow指出：“這種新型汽車產(chǎn)品是EPC晶體管和集成電路的最新產(chǎn)品，旨在實現(xiàn)自動駕駛并提高燃油經(jīng)濟性和安全性。我們的eGaN技術(shù)比當(dāng)今車輛中使用的老舊硅功率MOSFET更快、更小、更高效、更經(jīng)濟、更可靠?！?/span>
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