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深度解讀

液相激光燒蝕法plus微流控提高納米結(jié)構(gòu)制備效率

星之球科技 來源:中國激光2017-05-02 我要評(píng)論(0 )   

納米材料的出現(xiàn)令人類第一次從微觀層次主動(dòng)設(shè)計(jì)、開發(fā)材料,從而向分子原子尺度控制材料性能跨越。例如,2016年科學(xué)家用納米材料研制出“超級(jí)鏡頭”,即比一張紙還要薄...

納米材料的出現(xiàn)令人類第一次從微觀層次主動(dòng)設(shè)計(jì)、開發(fā)材料,從而向分子原子尺度控制材料性能跨越。例如,2016年科學(xué)家用納米材料研制出“超級(jí)鏡頭”,即比一張紙還要薄的透鏡,圖像質(zhì)量還和當(dāng)前世界上最先進(jìn)的光學(xué)成像系統(tǒng)相當(dāng)。 

作為一種環(huán)保、低選擇性的新型納米材料制備技術(shù),激光液相燒蝕法利用脈沖激光對(duì)浸沒在液體中的靶樣品進(jìn)行燒蝕,直接在液相環(huán)境中制備出微納米結(jié)構(gòu),成為了納米材料制造業(yè)的“新寵兒”。但是,這項(xiàng)新技術(shù)存在制備效率低下等缺陷。
 
近日,吉林大學(xué)于顏豪博士課題組提出將液相激光燒蝕法與微流控技術(shù)相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了基于微流控芯片的液相激光燒蝕法。相關(guān)工作發(fā)表于《中國激光》2017年第4期:基于微流控技術(shù)的高效液相脈沖激光燒蝕法。
 
該方法結(jié)合了二者優(yōu)勢,在微流控芯片中精確控制液相環(huán)境,使其避免了湍流等不利現(xiàn)象,使得激光燒蝕形成的納米粒子隨著“微流體”迅速排出芯片,顯著提高了制備效率。實(shí)驗(yàn)裝置如圖1所示。
 
 
圖1 實(shí)驗(yàn)裝置圖
右側(cè)為制備完成的微流控芯片(藍(lán)色箭頭為微流體流動(dòng)方向),左側(cè)為實(shí)驗(yàn)所用光路。激光經(jīng)過物鏡聚焦在微通道硅基上,制備完成的納米材料會(huì)被微流體“帶離”微流體芯片。
 
實(shí)驗(yàn)首先在硅基上利用PDMS和二氧化硅蓋玻片制備出含有一條為微流通道的微流控芯片。在保持微流控流速不變的情況下,通過控制激光燒蝕功率成功地?zé)g出晶格型(400 -800 nm)和圓球型(100 -300 nm)硅納米結(jié)構(gòu),并研究了微流控流速對(duì)硅納米材料制備效率之間的關(guān)系。
 
當(dāng)微流控流速在9 mL/min以后制備效率趨于飽和,9 mL/min以下時(shí)微流控流速增加對(duì)納米材料的制備效率確實(shí)有促進(jìn)作用,將最高制備效率提高了30%以上,達(dá)到87.5 mg/min。這為將來液相激光燒蝕法工業(yè)化生產(chǎn)提供了一種新的技術(shù)路線。
 
實(shí)驗(yàn)中在不同激光功率下制備出了下述的硅納米結(jié)構(gòu)。
 
 
圖2 硅納米結(jié)構(gòu)掃描電鏡照片
 
(a)-(b)的激光燒蝕功率為3 mW;(c)-(d)的激光燒蝕功率為4 mW;(e)-(f)的激光燒蝕功率為5 mW。3 mW制備出的硅納米結(jié)構(gòu)帶有明顯的晶格特征,并且結(jié)構(gòu)尺寸較大; 4 mW制備出的硅納米結(jié)構(gòu)便失去了晶格特性,呈現(xiàn)球型,并且結(jié)構(gòu)尺寸較小。
 
研究人員表示后續(xù)將著重將此技術(shù)應(yīng)用于各種金屬,介質(zhì)等材料,并且嘗試使用不同溶液作為液相環(huán)境,試圖制備出具有特殊表面活性的納米材料。
 
論文信息:
關(guān)凱珉,劉晉橋,徐穎,于顏豪. 基于微流控技術(shù)的高效液相激光燒蝕法[J]. 中國激光, 2017, 44(4): 0402006

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納米材料激光燒蝕
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