2022年11月11-13日，第十九屆“中國(guó)光谷”國(guó)際光電子博覽會(huì)暨論壇（以下簡(jiǎn)稱“武漢光博會(huì)”）將于中國(guó)光谷科技會(huì)展中心舉辦。同期還將舉辦“2022先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)”，屆時(shí)將邀請(qǐng)業(yè)內(nèi)知名專家，共同探討光刻技術(shù)的前沿進(jìn)展及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

會(huì)議主題：2022先進(jìn)光刻技術(shù)研討會(huì)

會(huì)議時(shí)間：2022年11月12日9:30-16:45

會(huì)議地點(diǎn)：中國(guó)光谷科技會(huì)展中心三樓

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組織機(jī)構(gòu)

主辦單位：國(guó)家工信部、國(guó)家科技部、國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局、中國(guó)科學(xué)院、中國(guó)國(guó)際貿(mào)促會(huì)、湖北省人民政府

承辦單位：武漢市人民政府、武漢東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)

執(zhí)行承辦單位：中國(guó)激光雜志社、上海意桐光電科技有限公司

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大會(huì)主席

王向朝

中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所研究員

韋亞一

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員

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部分邀請(qǐng)嘉賓

師江柳

北京超弦存儲(chǔ)器研究院首席光刻科學(xué)家

報(bào)告題目及摘要

題目：先進(jìn)DRAM光刻工藝研發(fā)介紹

摘要：DRAM存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額巨大，發(fā)展前景廣闊，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心支柱之一。中國(guó)的DRAM市場(chǎng)接近全球的60%，但自給能力嚴(yán)重不足，亟需關(guān)鍵技術(shù)的突破。當(dāng)前，北京超弦存儲(chǔ)器研究院積極搭平臺(tái)、引人才、建隊(duì)伍、出成果，為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供技術(shù)來(lái)源、協(xié)調(diào)資源調(diào)配、培養(yǎng)專業(yè)人才、實(shí)施知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)，致力于成為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展的“探路人”。本報(bào)告介紹先進(jìn)DRAM光刻工藝研發(fā)的理論和方法。

施偉杰

東方晶源微電子科技（北京）有限公司常務(wù)副總經(jīng)理

報(bào)告題目及摘要

題目：Practice on HPO：A Timing emphasis OPC Approach for OCV improvement

摘要：The Fabless/Fab mode has been proven successfully for IC manufacturing for decades. Fabs focused on patterning and yield while fabless concentrated on electrical performance, known as PPA. As the feature sizes continuously shrink, the design capability gap between available and realized manufacturing scaling grows larger, which eventually affects cost and time-to-market. To bridge this gap, a systematic solution namely, HPO (Holistic Processes Optimization) ,has been proposed by DFJY, which involves process variation aware physical design flow, timing and power aware OPC for electrical process window improvements and wafer defect inspection guided by timing critical paths and process-sensitive hotspots. In this talk, a timing emphasis OPC approach is practiced for OCV improvement under the HPO conception. Experiments have been performed to demo pros and cons.

王曉偉

蘇州理碩科技有限公司總經(jīng)理

報(bào)告題目及摘要

題目：延續(xù)摩爾定律下的光刻技術(shù)探討

摘要：根據(jù)經(jīng)典摩爾定律，集成電路晶體管數(shù)目大約每?jī)赡陼?huì)增加一倍，性能也隨之提高一倍，且價(jià)格下降一半。近年來(lái)，隨著光刻技術(shù)的快速發(fā)展，光刻膠的線寬已經(jīng)接近材料的極限分子尺寸，摩爾定律能否繼續(xù)延續(xù)成為半導(dǎo)體行業(yè)一個(gè)不得不面對(duì)的問(wèn)題。

13.5納米EUV極紫外光刻機(jī)的出現(xiàn)，為摩爾定律的延續(xù)提供了一種可能。然而由于EUV光源強(qiáng)度過(guò)低、反射鏡片的反射率衰減及光罩缺陷難題等設(shè)備問(wèn)題，以及光刻膠解像度問(wèn)題、outgas問(wèn)題等各種技術(shù)難題有待克服，EUV光刻機(jī)量產(chǎn)化時(shí)間被多次推遲。作為EUV光刻的替代技術(shù)，如double patterning技術(shù)、納米壓印技術(shù)、DSA技術(shù)、多電子束直寫(xiě)技術(shù)等也被各大國(guó)際半導(dǎo)體組織和集成電路芯片企業(yè)深入研討，隨著近期各芯片廠家在技術(shù)上的突破，這些EUV替代技術(shù)開(kāi)始逐步趨于成熟和實(shí)用。

由于光刻膠材料分子尺寸的限制和EUV光刻機(jī)的自身缺陷，EUV光刻機(jī)的解像性能依然差強(qiáng)人意，對(duì)于14納米以下小線寬來(lái)說(shuō)依然很難實(shí)現(xiàn)一次曝光成形。為此EUV+double patterning 和EUV+DSA技術(shù)作為超摩爾時(shí)代光刻技術(shù)的不得已選擇，成為實(shí)現(xiàn)7納米芯片技術(shù)的主要手段。

伴隨著FinFET技術(shù)的出現(xiàn)，通過(guò)先進(jìn)封裝進(jìn)行實(shí)現(xiàn)晶體管的多層疊加也是實(shí)現(xiàn)芯片高級(jí)程度的一個(gè)可行性方向，在不需要縮小圖形線寬和提高光刻膠解像度的前提下，也能夠大幅提高晶體管的集成度。但對(duì)于拉開(kāi)芯片巨頭和跟隨廠家之間技術(shù)代差并無(wú)明顯幫助，各大芯片巨頭依然對(duì)EUV技術(shù)充滿期待。

李小平

華中科技大學(xué)研究員

報(bào)告題目及摘要

題目：投影光刻機(jī)中的溫度控制技術(shù)

摘要：投影光刻機(jī)的性能易受到溫度波動(dòng)的影響，超穩(wěn)定溫度控制技術(shù)是投影光刻機(jī)的關(guān)鍵技術(shù)之一。報(bào)告從投影光刻機(jī)溫度控制、投影物鏡的溫度控制、浸沒(méi)液體的溫度控制、微空氣環(huán)境溫度控制四個(gè)方面介紹投影光刻機(jī)中的固體、水和空氣的溫度控制中的傳熱結(jié)構(gòu)、控制模型和控制算法。

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聯(lián)系方式

會(huì)議咨詢：

杜虹 17771025207（微信同號(hào)）

會(huì)議贊助：

吳雅慧 18672307517（微信同號(hào)）本屆會(huì)議匯聚了光刻領(lǐng)域的一流科研機(jī)構(gòu)與企業(yè)，是展示企業(yè)以及產(chǎn)品性能的最佳時(shí)機(jī)，歡迎各大廠商前來(lái)贊助~更多會(huì)議信息持續(xù)更新中，大家可關(guān)注本公眾號(hào)的后續(xù)報(bào)道。報(bào)名鏈接：

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