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半導體/PCB

中國科學院開發(fā)的5納米超高精度激光光刻技術

星之球科技 來源:富民2020-12-02 我要評論(0 )   

今年7月,研究進展發(fā)表在中國科學院的官方網站上。中國科學院蘇州研究所和國家納米中心在《納米快報》上發(fā)表了題為“制備5納米間隙電極的超分辨率激光光刻技術”。“超...

今年7月,研究進展發(fā)表在中國科學院的官方網站上。中國科學院蘇州研究所和國家納米中心在《納米快報》上發(fā)表了題為“制備5納米間隙電極的超分辨率激光光刻技術”?!俺直媛始す夤饪碳夹g在5 nm納米間隙電極和陣列上”的研究論文介紹了該團隊開發(fā)的新的5 nm超高精度激光光刻處理方法。

  

  該論文發(fā)表在《納米快報》(Nano Letters)上。圖片摘自ACS官方網站

  新聞發(fā)布后,外界開始沸騰。一些媒體聲稱,這項技術可能“突破ASML的壟斷地位”,“ China Chip取得了重大進展”。

  該論文的通訊作者,中國科學院研究員,博士生導師劉謙對《財經》記者說,這是一種誤解,而且該技術不同于極紫外光刻技術。

  極紫外光刻技術主要解決了光源波長的問題。極端紫外線(Extreme Ultra-violet,簡稱EUV)是一種光刻技術,它使用波長為10-14納米的極端紫外線作為光源。

  集成電路的線寬是指可以通過特定工藝光刻確定的最小尺寸,通常稱為“ 28納米”和“ 40納米”。該尺寸主要由光源的波長和數值孔徑確定。掩模上電路布局的大小也會影響光刻的大小。當前主流的28-nm,40-nm和65-nm線寬工藝均使用浸沒式光刻技術(波長為134 nm)。但是,在諸如5nm的先進工藝中,由于波長限制,浸沒式光刻技術無法滿足更精細工藝的需求。這就是極端紫外線光刻機誕生的背景。

  中國科學院開發(fā)的5納米超高精度激光光刻加工方法的主要目的是制造光掩模。這是集成電路光刻制造中必不可少的部分,并且是限制最小線寬的瓶頸之一。目前,中國生產的標線主要是低檔,大部分設備材料和技術都來自國外。

  劉謙告訴《財經》記者,如果可以將超高精度激光光刻處理技術用于高精度光罩的制造,那么有望提高我國光罩的制造水平,減小光罩的線寬?,F有的光刻機芯片。這也是非常有用的。該技術完全獨立于知識產權,其成本可能低于目前的水平,并且具有產業(yè)化的前景。

  但是,即使該技術已經商業(yè)化,以打破荷蘭ASML(NASDAQ:ASML)在光刻機上的壟斷地位,仍然需要突破許多核心技術,例如透鏡的數值孔徑和透鏡的波長。光源。

  如果您將光刻機看作是倒置的投影儀,則該掩模相當于一張幻燈片。光源穿過掩模,并且將設計的集成電路圖案投影到光敏材料上,然后通過蝕刻工藝將圖案轉印到半導體芯片上。

  

  原理圖:首先通過激光將電路設計寫在光掩模上,然后用光致抗蝕劑通過掩模將光源照射到矽晶片的表面上。

  通常,每個掩模版的布局是不同的,并且通常需要一組不同的掩模版來制造芯片。掩模版的生產要求非常高,這使其非常昂貴。例如,一套45nm節(jié)點CPU標線片的成本約為700萬美元。如今,隨著產品個性化和小批量化的趨勢,標線片的價格在整個芯片成本中迅速飆升。

  高端口罩在中國仍然是“瓶頸”技術。在半導體領域,除了可以獨立生產的英特爾(NASDAQ:INTC),三星(PINK:SSNLF)和臺積電(NYSE:TSM)之外,美國光電子公司(NASDAQ:PLAB)主要使用高端掩模。Dainippon Printing Co.,Ltd.(DNP)和Toppan Printing Co.,Ltd.(PINK:TOPPY)由三個公司壟斷。根據第三方市場研究機構前瞻性產業(yè)研究所的數據,這三家公司占全球市場份額的82%。

  數據來源:前瞻產業(yè)研究院圖:陳一帆

  而且,這項技術仍處于實驗室階段,要實現商業(yè)化還有很長的路要走。ASML于1999年開始開發(fā)極紫外光刻機,直到2010年才發(fā)布第一款原型機。首款7nm極紫外工藝芯片于2019年商業(yè)化,歷時20年。這是技術必須從實驗室支付到商業(yè)用途的時間成本。

  半導體行業(yè)已經發(fā)展了60多年,實現摩爾定律的關鍵在于光刻機可以不斷實現更小的分辨率,在單位面積上在芯片上制造更多的晶體管,并提高芯片的集成度。如果沒有光刻機,那么根本就不會有先進的芯片制造。根據第三方市場研究機構Foresight Industry Research Institute的調查,全球光刻機市場的74%在2019年由荷蘭ASML公司壟斷。ASML也是世界上唯一可以批量生產極限紫外光刻機的公司。

  

  如何突破專利保護層也是獲得完全獨立的光刻機的難題之一。極紫外光刻技術的領域就像是一個充滿地雷的戰(zhàn)場。ASML通過大量專利和知識產權保護來壟斷該技術。

  長期以來,該行業(yè)一直在嘗試另一條技術路線。例如,中國科學家和普林斯頓大學的周瑜于1995年首次提出了納米壓印技術,但仍無法克服商業(yè)化的困境。

  而且,極紫外光刻機的成功商業(yè)化不僅是ASML的工作,更像是一個集成的創(chuàng)新平臺,其中近90%的核心組件來自世界各地的公司。ASML通過收購開放了上游業(yè)務。產業(yè)鏈,例如德國的卡爾·蔡司的激光系統(tǒng),美國的矽谷光刻集團的激光系統(tǒng)以及西盟科技的紫外線光源。目前,沒有任何國家可以獨立完成光刻機的制造。在極短的時間內,中國幾乎不可能突破ASML在極端紫外光刻技術中的壟斷地位。


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