閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
半導(dǎo)體/PCB

激光器的特點(diǎn)與在半導(dǎo)體行業(yè)中的加工應(yīng)用介紹

Nick 來(lái)源:電子發(fā)燒友2019-06-01 我要評(píng)論(0 )   

半導(dǎo)體制造業(yè)發(fā)展迅速,"綠色"技術(shù)無(wú)疑具有光明的未來(lái),這就要求有新的激光加工工藝與技術(shù)來(lái)獲得更高的生產(chǎn)品質(zhì)、成品率和產(chǎn)量。除了激光系統(tǒng)的不斷發(fā)展,新的加工技術(shù)...

半導(dǎo)體制造業(yè)發(fā)展迅速,"綠色"技術(shù)無(wú)疑具有光明的未來(lái),這就要求有新的激光加工工藝與技術(shù)來(lái)獲得更高的生產(chǎn)品質(zhì)、成品率和產(chǎn)量。除了激光系統(tǒng)的不斷發(fā)展,新的加工技術(shù)和應(yīng)用、光束傳輸與光學(xué)系統(tǒng)的改進(jìn)、激光光束與材料之間相互作用的新研究,都是保持綠色技術(shù)革新繼續(xù)前進(jìn)所必須的。下文圍繞紫外DPSS激光器、準(zhǔn)分子激光器、光纖激光器在半導(dǎo)體行業(yè)中的加工應(yīng)用,展開論述。


紫外DPSS激光器在LED晶圓劃片中的應(yīng)用

DPSS是全固態(tài)半導(dǎo)體激光器的簡(jiǎn)稱。窄脈寬、短波長(zhǎng)紫外二極管泵浦固體激光器(DPSS)的最新進(jìn)展促進(jìn)了工業(yè)生產(chǎn)系統(tǒng)的發(fā)展。過去,DPSS激光器比較適用于科研而不適于工業(yè)生產(chǎn)。隨著DPSS激光器的進(jìn)展,現(xiàn)已開辟出很多可能的應(yīng)用,包括紅外、脈沖連續(xù)波以及Q開關(guān)產(chǎn)生具有多脈沖寬度的脈沖光波。與其他種類的激光器相比,DPSS激光器在調(diào)控脈沖形狀、重復(fù)頻率和光束質(zhì)量等方面具有較大的靈活性,其生成的諧波允許用戶獲得適于多種材料加工的較短波長(zhǎng)的光束。激光器的選擇不僅與應(yīng)用有關(guān),而且與激光束的特性直接相關(guān)。例如,用于大面積圖形加工的準(zhǔn)分子激光器能發(fā)出具有較低脈沖重復(fù)頻率(一般低于1kHz)的較粗光束。準(zhǔn)分子能產(chǎn)生具有中等脈沖重復(fù)頻率的高脈沖能量的激光束。目前所使用的基于Nd∶YVO4的DPSS激光器能產(chǎn)生大約1?滋m波長(zhǎng)的紅外光束,利用諧波振蕩器進(jìn)行二倍頻(輸出綠光)、三倍頻(輸出近紫外光)或者四倍頻(輸出深紫外光)。


355nm與266nm多倍頻DPSS激光器在紫外波段可以輸出數(shù)瓦的功率、kHz量級(jí)高重復(fù)頻率、高脈沖能量的激光,短脈沖的光束經(jīng)過聚焦后可以產(chǎn)生極高的功率密度,在晶圓劃片中可以使材料迅速氣化。在通常的激光劃片過程中,采用了一種遠(yuǎn)場(chǎng)成像的簡(jiǎn)易技術(shù)將光束聚焦到一個(gè)小點(diǎn),然后移到晶片材料上。不同的材料由于吸收光的特性不一樣,因此需要的光強(qiáng)也不一樣,但是這種遠(yuǎn)場(chǎng)成像的聚焦光斑在調(diào)節(jié)優(yōu)化光強(qiáng)時(shí)不夠靈活,光強(qiáng)過強(qiáng)或過弱都會(huì)影響激光劃片效果。而且通常的激光劃片局限于獲得最小的聚焦光斑,后者決定了劃片的分辨率。

激光器的特點(diǎn)與在半導(dǎo)體行業(yè)中的加工應(yīng)用介紹

圖1、氮化鎵-藍(lán)寶石晶圓激光劃片的切口寬度為2.5微米。


要達(dá)到理想的加工效果,優(yōu)化激光光強(qiáng)就很重要了,因此需要一種新的激光劃片方法來(lái)克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。美國(guó)JPSA公司的技術(shù)人員開發(fā)了一種有效的光束整形與傳遞的光學(xué)系統(tǒng),該系統(tǒng)可以獲得很狹窄的2.5微米切口寬度,可以在保證最小聚焦光斑的同時(shí)調(diào)節(jié)優(yōu)化激光強(qiáng)度,大大提高了半導(dǎo)體晶圓劃片的速度,同時(shí)降低了對(duì)材料過度加熱與附帶損傷的程度。這種新的激光加工工藝與技術(shù)可以獲得更高的生產(chǎn)品質(zhì)、更高的成品率和產(chǎn)量。

激光器的特點(diǎn)與在半導(dǎo)體行業(yè)中的加工應(yīng)用介紹

圖2、248nm激光剝離示意圖 

激光器的特點(diǎn)與在半導(dǎo)體行業(yè)中的加工應(yīng)用介紹

圖3、248nm激光剝離藍(lán)寶石上的氮化鎵(一個(gè)脈沖激光光斑一次覆蓋9個(gè)芯片)。


JPSA對(duì)不同波長(zhǎng)的激光進(jìn)行開發(fā),使它們特別適合于晶圓切割應(yīng)用,采用266nm的DPSS激光器對(duì)藍(lán)光LED藍(lán)寶石晶圓的氮化鎵正面進(jìn)行劃片,正切劃片速度可達(dá)150mm/s,每小時(shí)可加工大約15片晶圓(標(biāo)準(zhǔn)2英寸晶圓,裸片尺寸350m×350m),切口卻很?。ㄐ∮?m)。激光工藝具有產(chǎn)能高、對(duì)LED性能影響小的特點(diǎn),容許晶圓的形變和彎曲,其切割速度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)機(jī)械切割方法。


除了藍(lán)寶石之外,碳化硅也可以用來(lái)作為藍(lán)光LED薄片的外延生長(zhǎng)基板。266nm和355nm紫外DPSS激光器(帶隙能量分別為4.6eV和3.5eV)可用于碳化硅(帶隙能量為2.8eV)劃片。JPSA通過持續(xù)研發(fā)背切劃片的激光吸收增強(qiáng)等新技術(shù),研發(fā)了雙面劃片功能,355nm的DPSS激光器可以從LED的藍(lán)寶石面進(jìn)行背切劃片,實(shí)現(xiàn)了劃片速度高達(dá)150mm/s的高產(chǎn)量背切劃片,無(wú)碎片并且不損壞外延層。對(duì)于第III-V主族半導(dǎo)體,例如砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)和磷化銦(InP),典型的切口深度為40m,250微米厚的晶圓劃片速度高達(dá)300mm/s.


準(zhǔn)分子激光器在2D圖案成形與3D微加工、LED剝離中的應(yīng)用

準(zhǔn)分子激光器以準(zhǔn)分子為工作物質(zhì)的一類氣體激光器件。常用相對(duì)論電子束(能量大于200千電子伏特)或橫向快速脈沖放電來(lái)實(shí)現(xiàn)激勵(lì)。當(dāng)受激態(tài)準(zhǔn)分子的不穩(wěn)定分子鍵斷裂而離解成基態(tài)原子時(shí),受激態(tài)的能量以激光輻射的形式放出。波長(zhǎng)為193nm的ArF準(zhǔn)分子激光,進(jìn)行屈光手術(shù)的機(jī)理就是光化學(xué)效應(yīng)。準(zhǔn)分子激光單個(gè)光子的能量大約是6.4eV,而角膜組織中肽鍵與碳分子鍵的結(jié)合能量?jī)H為3.6eV.當(dāng)其高能量的光子照射到角膜,直接將組織內(nèi)的分子鍵打斷,導(dǎo)致角膜組織碎裂而達(dá)到消融切割組織的目的,并且由于準(zhǔn)分子激光脈寬短(10~20nm),又是光化學(xué)效應(yīng)切除。因此,對(duì)切除周圍組織的機(jī)械損傷和熱損傷極?。ī?.30μm)。

轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

半導(dǎo)體激光器光纖激光器
免責(zé)聲明

① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權(quán)均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使 用,并注明"來(lái)源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)責(zé)任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來(lái)源的作品及圖片,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)向本網(wǎng)提出書面權(quán)利通知,并提供身份證明、權(quán)屬證明、具體鏈接(URL)及詳細(xì)侵權(quán)情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會(huì)依法盡快移除相關(guān)涉嫌侵權(quán)的內(nèi)容。

網(wǎng)友點(diǎn)評(píng)
0相關(guān)評(píng)論
精彩導(dǎo)讀